Направление I
Председатель сессии: Володин В.А.
|
| № работы |
Время |
Авторы, название работы |
Рецензенты |
|
|
9:00 |
Вступительное слово директора ИФП СО РАН
Академик РАН А.В. Латышева
| |
|
|
9:10 |
Работа - победитель конкурса 2025 г.
Д.А. Похабов, Д.И. Сарыпов, Д.А. Егоров, А.Г. Погосов, Е.Ю. Жданов, А.А. Шевырин, А.К. Бакаров, А.А. Шкляев
«Подвешенный двумерный электронный газ: e-e взаимодействие и вязкость»
| |
|
1 |
9:25 |
О.А. Ткаченко, В.А. Ткаченко, O.P. Sushkov, Z. Krix, D.Q. Wang, O. Klochan, A.R. Hamilton, C. Chen, I. Farrera, D.A. Ritchie
«Ожидаемые и фактические минизонные эффекты в затворно-управляемом полупроводниковом искусственном графене»
|
А.В. Ненашев
А.А. Шевырин |
|
2 |
10:05 |
Е.Ю. Жданов, М.В. Буданцев, Д.И. Сарыпов, Д.А. Похабов, А.К. Бакаров, А.Г. Погосов.
«Гигантские осцилляции Шубникова–де Гааза с V образными минимумами в высокоподвижном двумерном электронном газе: эксперимент и феноменологическая модель»
|
Л.С. Брагинский
В.А. Ткаченко
|
|
3 |
10:45 |
Л.С. Брагинский, М.В. Энтин
«Теория систем с малой шероховатостью границ в применении к электронным состояниям в квантовых каналах, электро- и гидродинамике»
|
А.В. Ненашев
Д.А. Похабов
|
|
11:25 - 11:40 Перерыв
|
|
Председатель сессии: Ковалев В.М.
|
|
4 |
11:40 |
А.А. Шкляев, А.Ф. Зиновьева, В.А. Зиновьев, Д.Е. Уткин, С.А. Рудин, Н.А. Ташкеев, С.Л. Вебер
«Циркулярные резонансы Фабри-Перо в решетках Ge дисков в телекоммуникационном диапазоне длин волн»
|
И.А. Милёхин
А.В. Царёв
|
|
5 |
12:20 |
С.А. Рожков, В.В. Бакин, В.С. Русецкий, Г.Э. Шайблер, Д.А. Кустов, В.А. Голяшов, Д.В. Горшков, А.Ю. Дёмин, В.Л. Альперович и О.Е. Терещенко
«Преломление электронов на поверхности мультищелочного фотокатода»
|
А.Ф. Зиновьева
В.Г. Мансуров |
|
13:00 - 14:00 Обед
|
|
Председатель сессии: Петров А.С.
|
Направление II |
|
6 |
14:00 |
В.Г. Мансуров, Т.В. Малин, Я.Е. Майдэбура, Д.С. Милахин, И.Н. Ляпустин, А.М. Гилинский, В.А. Голяшов
«Транзисторы с высокой подвижностью электронов на базе in situ пассивированных А3-нитридных гетероэпитаксиальных структур»
|
С.Н. Речкунов
Д.Ю. Протасов
|
|
7 |
14:40 |
К.Е. Капогузов, С.В. Мутилин, Е.К. Багочус, В.С. Тумашев, Н.И. Лысенко, Д.М. Милюшин, Б.В. Волошин, В.А. Селезнев
«Энергоэффективные и стабильные резистивные переключатели на основе наноструктур диоксида ванадия»
|
В.А. Гриценко
М.А. Демьяненко |
|
15:20 - 15:30 Перерыв
|
|
8 |
15:30 |
А.М. Гилинский, Д.В. Дмитриев, А.И. Торопов, М.С. Аксенов, А.С. Ярошевич, К.С. Журавлев
«Составные контактные слои полупроводниковых структур повышенной проводимости»
|
С.А. Дворецкий
И.Б. Чистохин |
|
9 |
16:10 |
И.А. Милёхин, П.А. Алексеев, К.А. Гасникова, И.А. Елисеев, В.Ю. Давыдов, А.А. Богданов, В. Кравцов, А.О. Михин, Б.Р. Бородин, А.Г. Милёхин
«Ультратонкий высокодобротный источник света на основе микродисковых резонаторов, сформированных из двойной гетероструктуры WS₂/MoSe₂/WS₂»
|
В.А. Володин
Н. Кумар |
|
16:50 - 17:00 Перерыв
|
