Направление I
Председатель сессии: Ковалев В.М.
|
| № работы |
Время |
Авторы, название работы |
Рецензенты |
|
|
9:00 |
Вступительное слово директора ИФП СО РАН Академик РАН А.В. Латышева
| |
|
|
9:10 |
Работа - победитель конкурса 2024 г.
Н.П. Степина, А.О. Баженов, А.В. Шумилин, А.Ю. Кунцевич, В.В. Кириенко, Е.Ю Жданов, Д.В. Ищенко, О.Е. Терещенко
«Установление механизма аномального магнетосопротивления в пленках трехмерного топологического изолятора (Bi, Sb)2(Te, Se)3»
| |
|
1 |
9:25 |
И.А. Милёхин, А.В. Царев, Е.Е. Родякина, Т.А. Дуда, Б.М. Саиджонов, Р.Б. Васильев, А.Г. Милёхин, А.В. Латышев
И.А. Милёхин, А.В. Царев, Е.Е. Родякина, Т.А. Дуда, Б.М. Саиджонов, Р.Б. Васильев, А.Г. Милёхин, А.В. Латышев
|
Володин В. А. Кумар Н. |
|
2 |
10:05 |
И.И. Бетеров, Е.А. Якшина, Г. Сулиман, П.И. Бетлени, А.А. Прилуцкая, Д.А. Скворцова, Т.Р. Загиров, Д.Б. Третьяков, В.М. Энтин, Н.Н. Безуглов,И.И. Рябцев
«Осцилляции Раби при трёхфотонном лазерном возбуждении одиночного ридберговского атома рубидия в оптической дипольной ловушке»
|
Ненашев А. В. Хворостов Е. Б.
|
|
3 |
10:45 |
Н. Кумар, Д.В. Ищенко, И.А. Милёхин, А.Г. Милёхин, Е.Д. Кырова, О.Е. Терещенко
«Спектроскопия резонансного КРС в трехмерных топологических изоляторах, выращенных методом МЛЭ»
|
Володин А.В. Адищев С.В. ИАиЭ СО РАН |
|
11:25 - 11:40 Перерыв
|
|
Председатель сессии: Альперович В.Л.
|
|
4 |
11:40 |
Д.А. Похабов, Д.И. Сарыпов, Д.А. Егоров, А.Г. Погосов, Е.Ю. Жданов, А.А. Шевырин, А.К. Бакаров, А.А. Шкляев.
«Подвешенный двумерный электронный газ: e-e взаимодействие и вязкость»
|
Брагинский Л.С. Энтин М.В.
|
|
5 |
12:20 |
А.В. Ненашев, S.D. Baranovskii, K. Meerholz, F. Gebhard
«Квантовые состояния в неупорядоченных средах»
|
Ткаченко В.А. Махмудиан М.М.
|
|
6 |
13:00 |
А.А. Шевырин, А.Г. Погосов, А.К. Бакаров, А.А. Шкляев, А. Наик
«НЭМС: in-situ управление нелинейностью колебаний и контроль квантового состояния полупроводниковых наноструктур»
|
Ковалев В.М. Воробьёв А.Б. |
|
13:40 - 14:40 Обед
|
|
Председатель сессии: Никифоров А.И.
|
|
7 |
14:40 |
В.Г. Мансуров, Т.В. Малин, Д.Д. Башкатов, В.В. Атучин, В.А. Голяшов, Д.С. Милахин
«Нитрид кремния в эпитаксиальной технологии А3-нитридов»
|
Шкляев А.А. Кеслер В.Г.
|
|
8 |
15:20 |
Я.Е. Майдэбура, В.Г. Мансуров, Т.В. Малин, И.А. Александров, К.С. Журавлев
«Явление политипизма при формировании нанокристаллов GaN на графеноподобном SiN»
|
Ткаченко В.А. Махмудиан М.М.
|