Эллипсометр предназначен для пооперационного технологического контроля основных параметров тонкопленочных полупроводниковых структур в условиях высокотехнологичных производств твердотельной микро- и наноэлектроники, а также для использования в других областях промышленности и для проведения научных исследований. Прибор является первой в РФ промышленно-ориентированной моделью автоматического эллипсометра для технологического контроля в составе производственной линии. Эллипсометр позволяет с высокой производительностью и точностью осуществлять контроль тонких пленок различных материалов на образцах до 200 мм.
Основные технические характеристики прибора:
| Источник света: | Полупроводниковый лазер, λ=635 нм |
| Погрешность измерения показателя преломления монослоя, не более | 0,005 |
| Чувствительность к изменению толщины пленки монослоя, не более | 0,05 нм |
| Погрешность измерения толщины монослоя, не более | 0,2 нм |
| Чувствительность к изменению оптических констант, не более | 0,0003 |
| Погрешность измерения состава, не более | 0,005 мольных долей |
| Диапазон измеряемых толщин, нм | до 50000 |
| Время единичного измерения, не более | 1 мсек |
| Вес, не более | 30 кг |
| Питание | ≈220 В/50Гц |
Технико – экономические преимущества
Эллипсометр разработан с использованием современных схемотехнических решений и уникальной элементной базы, что обеспечивает высокую точность измерений и быстродействие, которое определяется только временем накопления и оцифровки сигналов. Минимальное время измерения эллипсометра составляет 40 микросекунд, а оптимальное, при котором достигается чувствительность измерений поляризационных углов на уровне 0.003, не более 1 мс.
Области применения
Научные учреждения, а также промышленные предприятия высокотехнологичных областей производства, занимающиеся научно-исследовательскими и опытно-технологическими работами в области создания современных функциональных материалов полупроводниковой микро- и наноэлектроники.
Общий вид прибора
Уровень практической реализации
Опытный образец
