Характеристика
Быстродействующий эллипсометр предназначен для контроля основных технологических параметров растущего слоя полупроводниковых структур в условиях высокотехнологичных производств твердотельной электроники, а также для проведения научных исследований. Эллипсометр позволяет с высокой точностью и стабильностью в масштабе реального времени осуществлять мониторинг различных быстропротекающих процессов, таких как рост-травление пленок, параметров адсорбции/десорбции, характеристик высокотемпературных нагревов и других.
Основные технические характеристики прибора:
| Источник света: | лазер HeNe, λ=632.8 |
| Погрешность измерения показателя преломления монослоя, не более | 0,005 |
| Чувствительность к изменению толщины пленки монослоя, не менее | 0,05 |
| Погрешность измерения толщины монослоя, не более | 0,2 нм |
| Чувствительность к изменению оптических констант, не менее | 0,0005 |
| Погрешность измерения состава, не более | 0,005 мольных долей |
| Диапазон измеряемых толщин, нм | до 50000 |
| Время измерения единичного измерения, не более | 1 мсек |
| Вес, не более | |
| Питание | ≈220 В/50Гц |
Рис. Общий вид прибора.
Технико – экономическое преимущество
Быстродействующий эллипсометр разработан с использованием современных схемотехнических решений и уникальной элементной базы, что обеспечивает высокую точность измерений и быстродействие, которое определяется только временем накопления и оцифровки сигналов. Минимальное время измерения эллипсометра составляет 40 микросекунд, а оптимальное, при котором достигается чувствительность измерений поляризационных углов на уровне 0.003, не более 1 мс.
Области применения
Научные учреждения, а также промышленные предприятия высокотехнологичных областей производства, занимающиеся научно-исследовательскими и опытно-технологическими работами в области создания современных функциональных материалов полупроводниковой электроники.
