Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН активно участвует в подготовке квалифицированных научных кадров.
Институт является базовым для кафедры физики полупроводников Физического факультета Новосибирского государственного университета. На базе Института действуют филиалы кафедр: кафедры полупроводниковых приборов и микроэлектроники факультета радиотехники и электроники Новосибирского государственного технического университета, кафедры физики полупроводников Томского государственного университета, кафедры технической физики Сибирского государственного аэрокосмического университета имени академика М.Ф. Решетнева.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН известен своими признанными научными школами. В настоящее время научная школа «Атомные процессы на поверхности полупроводников и электронные явления в литографически наноструктурированных полупроводниковых и металлических системах» (руководители академик Латышев А.В., академик Асеев А.Л.) поддержана грантом Президента РФ.
В ИФП СО РАН действует отдел аспирантуры, где ведется подготовка кадров по специальностям: физика полупроводников (01.04.10) и физика конденсированного состояния (01.04.07). Институт имеет приборную базу для проведения научных исследований на высоком международном уровне и высококвалифицированных специалистов для руководства аспирантами.
В Институте действует диссертационный совет, который принимает к защите диссертации на соискание ученых степеней кандидата и доктора физико-математических наук по специальностям: физика конденсированного состояния (01.04.07) и физика полупроводников (01.04.10).
Ежегодно в ИФП СО РАН проходит конкурс стипендий молодых ученых.
В Институте действует центр коллективного пользования "Наноструктуры" в котором, проводят исследования различными методами электронной микроскопии атомной структуры, морфологии и химического состава, осуществляется контроль атомарных поверхностей, создаются структуры пониженной размерности для наноэлектроники. ЦКП создан на базе Новосибирского государственного университета и ряда Институтов СО РАН: ИФП, ИК, ИНХ. Руководитель: академик РАН, профессор А.В. Латышев.
Кафедра физики полупроводников Новосибирского государственного университета
Заведующий кафедрой: Латышев Александр Васильевич, академик РАН, д.ф.-м.н.
e-mail:
Секретари кафедры: Родякина Екатерина Евгеньевна, к.ф.-м.н.
Казанцев Дмитрий Михайлович, к.ф.-м.н.
E-mail кафедры:
телефон кафедры: (383)330-98-74
Направление подготовки: 510104 физика полупроводников, микроэлектроника.
Система подготовки специалистов - двухуровневая : первая ступень - основное базовое четырехлетнее образование завершается защитой квалификационной работы бакалавра, вторая - двухгодичная магистратура, с защитой магистерской диссертации.
Выпускники кафедры подготовлены для работы в области физики и техники полупроводников, физики структур пониженной размерности, процессов микро- и нанотехнологии, физико-химии и технологии поверхности и межфазных границ, микро- и наноэлектроники. Выпускники кафедры могут работать также преподавателями дисциплин физико-математического профиля в школах, колледжах и вузах России. Лучшие выпускники магистратуры проходят обучение в аспирантуре.
Филиал кафедры полупроводниковых приборов и микроэлектроники факультета радиотехники и электроники Новосибирского государственного технического университета
Заведующая филиалом кафедры - Шварц Наталия Львовна, к.ф.-м.н.
Тел: +7(383)333-14-75, e-mail: Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.
Официально филиал кафедры ППиМЭ НЭТИ в ИФП СО РАН был организован в апреле 1988г. (Приказ № 114 от 28.04.88 за подписью ректора НЭТИ проф. Г.П.Лыщиннского). Но уже с начала 60-х годов (прошлого века) в ИФП стали приходить на практику и дипломное проектирование студенты НЭТИ кафедры Полупроводниковой и квантовой электроники (ПиКЭ) по специальностям физическая электроника(ФЭ) и полупроводниковые приборы(ПП). А начиная с середины 60-х годов А.В.Ржанов и А.Ф. Кравченко начали читать в НЭТИ лекции.
Заведующим филиала с 1988 по 2010 год являлся Игорь Георгиевич Неизвестный.
В настоящее время заведующий кафедрой ППиМЭ в НГТУ является В.А.Гайслер, а заведующей филиала кафедрой В ИФП - Н.Л.Шварц.
Ежегодно около половины выпускников магистров филиала кафедры поступают в аспирантуру ИФП.
Филиал кафедры физики полупроводников Томского государственного университета
Заведующий филиалом кафедры - д.ф.-м.н., профессор О.П.Пчеляков
Филиал кафедры технической физики Сибирского государственного аэрокосмического университета имени академика М.Ф. Решетнева
Заведующий филиалом кафедры - д.ф.-м.н., профессор О.П.Пчеляков
При Новосибирском государственном университете и Институте физики полупроводников СО РАН организован учебно-научный центр "Технология и физика полупроводниковых наноструктур". Сопредседателями центра являются заведующий лабораторией ИФП СО РАН, профессор Терехов А.С. и профессор Аржанников А.В.
ИФП входит в состав участников научно-образовательного комплекса (НОК) "Наносистемы и современные материалы" Новосибирского государственного университета, призванного обеспечить развитие структурно-функциональных исследований уникальных наносистем и материалов в рамках приоритетного направления развития науки, технологий и техники РФ "Индустрия наносистем и материалы", подготовку специалистов-исследователей высшей квалификациимагистров, аспирантов, кандидатов и докторов наук - по этому направлению Председатель Ученого совета, исполнительный директор НОК - д.ф.-м.н., профессор Аржанников А.В.
Институт является участником Научно-образовательного центра "Генерация и применение терагерцевого излучения", созданного на базе Новосибирского государственного университета, ряда Институтов СО РАН: ИЯФ, ИХКиГ, ИГД, ИФПИТПМ, ИЦиГ, КТИ НП и Новосибирского государственного технического университета. Председателем научного совета является д.ф.-м.н. Князев Б.А. (ИЯФ СО РАН), членами совета от ИФП СО РАН являются академик Чаплик А.В. и к.ф.-м.н Есаев Д.Г.
Совместно с Сибирским государственным университетом телекоммуникаций и информатики (ГОУ ВПО «СибГУТИ») Институт создал научно-образовательный центр «Материаловедение и микрофотоэлектроника»; директор центра - профессор Ситников С.Г., научный руководитель член-корр. РАН, профессор Неизвестный И.Г.
Совместно с Новосибирским государственным техническим университетом Институт создал научно-образовательный центр «Полупроводниковые нанотехнологии»; научный руководитель д.ф.-м.н. Гайслер В.А.
Совместно с Новосибирским государственным университетом Институт создал научно-образовательный центр «Физика конденсированных сред и физического материаловедения»; научный руководитель академик Латышев А.В.
Совместно с Якутским Государственным университетом им. М.К. Аммосова Институт организовал научно-образовательный центр «Нанотехнологии и нанокомпозиты», научный руководитель со стороны ИФП СО РАН д.ф.-м.н. Принц В.Я., со стороны ЯГУ д.п.н., профессор Сыромятникова В.Г.
Совместно с Новосибирским государственным университетом Институт организовал научно-образовательный центр «Современные сенсоры и сети передачи данных», научный руководитель член-корр. РАН Двуреченский А.В., исполнительный директор член-корр. РАН Федорук М.П.
Институт входит в состав научно-образовательного центра «Оптоэлектроника» созданного на базе Новосибирского государственного университета, ОАО «ЦКБ Точприбор», ИФП СО РАН, ИАиЭ СО РАН, КТИ НП СО РАН и ОАО «ПО НПЗ».
Академик Асеев А.Л. входит в состав Ученого совета НГУ, наблюдательного совета ТГУ, является членом Попечительского совета Программы развития Национального исследовательского Томского государственного университета; академик Асеев А.Л. и д.ф.-м.н. Погосов А.Г. входят в состав Ученого совета НГУ, академик РАН Асеев А.Л. и академик Латышев А.В. - члены Ученого совета физического факультета НГУ. Член-корр. РАН Двуреченский А.В. - член экспертного совета ВАК Минобрнауки РФ.
С 2014 г. работают три совместные лаборатории, созданные на базе ИФП СО РАН и Новосибирского государственного университета: лаборатория полупроводниковых и диэлектрических материалов, лаборатория квантовых явлений в конденсированных системах, лаборатория наносверхпроводимости.
На базе Института действует Центр коллективного пользования «Технологии наноструктурирования полупроводниковых, металлических, углеродных, биоорганических материалов и аналитические методы их исследования на наноуровне» (ЦКП «Наноструктуры»). Руководитель центра академик Латышев А.В.
Спин-зависимые транспортные и оптические эффекты в низкоразмерных наноструктурах
Научный руководитель: академик А.В. Чаплик
Год основания: 1996
Основные направления научных исследований коллектива: теория электронных процессов в низкоразмерных системах, электронные процессы в низкоразмерных системах сложной геометрии при нестационарных внешних воздействиях, кинетические и оптические свойства разупорядоченных систем пониженной и дробной размерностей (фракталы), сильно коррелированные двумерные электронные системы, спин-зависимые транспортные и оптические эффекты в низкоразмерных наноструктурах.
Развитие фундаментальных представлений об атомных процессах, структуре и технологиях твердотельных наносистем с новыми функциональными свойствами, включая разработку модельных структур, в сочетании с расчетами квантового транспорта и новых когерентных явлений
Год основания: 2006
Научные руководители: академик А.Л. Асеев, член-корреспондент РАН А.В. Латышев
определение атомных механизмов формирования поверхностей, границ раздела и структурных дефектов полупроводниковых, металлических, диэлектрических и биологических материалов; создание и исследование низкоразмерных структур для нанотехнологий, микро- и наноэлектроники методами оптической, электронной, ионной и зондовой литографии; исследования методами просвечивающей и сканирующей электронной микроскопии атомной структуры, морфологии и химического состава широкого класса материалов для различных областей фундаментальной и прикладной науки, таких как полупроводниковое материаловедение, катализ, минералогия, медицина и биология.
Радиационные дефекты в полупроводниках
Основатель школы: профессор Л.С. Смирнов
Год основания: 2003
Рост и свойства полупроводниковых гетеросистем и наноструктур
Год основания: 1997
Основатель НШ: профессор И.С.Стенин
Научный руководитель: профессор О.П.Пчеляков
Общее количество членов коллектива НШ: 24
Количество молодых (до 35 лет) членов коллектива НШ: 7
Основные направления научных исследований коллектива: Исследование процессов гетероэпитаксии и самоформирования квантоворазмерных наноструктур при молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) полупроводниковых соединений типа А3В5, А4В4 и А2В6, включая нитриды металлов третьей группы. Развитие теории упругой и пластической релаксации героэпитаксиальных механических напряжений, дефектообразования и поверхностного массопереноса на начальных стадиях формирования наноструктур и гетеропереходов. Получение многослойных композиций и квазиупорядоченных наносистем на основе полупроводниковых соединений элементов 3, 4, 5 и 6 групп и их твердых растворов, содержащих квантовые ямы, квантовые точки и нити на различных подложках, исследование их структур и физических свойств. Создание базы знаний для полупроводникового материаловедения и физики конденсированного состояния в направлении синтеза многослойных полупроводниковых композиций и наноструктур для микро-, нано, и оптоэлектроники. Совершенствование экспериментального оборудования и программного обеспечения теоретических и экспериментальных исследований
Распределенные вычислительные системы с программируемой структурой
Год основания: 1970
Научный руководитель: Заслуженный деятель науки Российской Федерации член-корр. РАН проф. д.т.н. Виктор Гаврилович Хорошевский
Основные направления научных исследований коллектива: научным коллективом школы ведутся работы в области теории функционирования большемасштабных распределённых вычислительных систем (ВС), их архитектуры и проектирования и параллельных вычислительных технологий.
- архитектура и функциональные структуры распределенных вычислительных систем
- Алгоритмы и методы организации функционирования большемасштабных распределенных вычислительных систем
- Параллельное мультипрограммирование
- Осуществимость параллельного решения задач
- Надежность, живучесть, технико-экономическая эффективность распределенных вычислительных систем
- Параллельные вычислительные технологии
- Разработка распределенных вычислительных систем
- Моделирование большемасштабных распределенных ВС и параллельных вычислительных технологий