А.А. Быков, А.В. Горан, W. Mayer, С.А. Виткалов

Изучен нелинейный магнетотранспорт двумерных (2D) электронов в селективно-легированных гетероструктурах GaAs/AlAs с анизотропной подвижностью μ, имеющей максимальное значение в направлении [110], а минимальное – в направлении [110]. Обнаружено, что при увеличении постоянного электрического тока I_dc в холловских мостиках, ориентированных вдоль направления [110], переход 2D системы в магнетополевое состояние с дифференциальным сопротивлением r_xx 0 происходит при меньшей величине I_dc и сопровождается более глубоким «прова лом» в область отрицательных значений r_xx по сравнению с мостиками, ориентированными вдоль направления [110].

Рис. (a) Зависимости ρ_xx(B) и ρ_yy(B) 2D электронного газа в гетероструктуре GaAs/AlAs при температуре T = 4.2 К, измеренные на мостиках Холла, ориентированных в направлениях [110] и [110]. На вставке изображена схема измерения. (b) Зависимости r_xx/ρ_0x и r_yy/ρ_0y от I_dc при T = 4.2 К в магнитном поле B = 0.5 Тл. Стрелками указаны пороговые токи I_thx и I_thy для мостиков Холла, ориентированных в направлениях [110] и [110].

Полученные экспериментальные результаты объясняются ролью подвижности в спектральной диффузии неравновесных носителей заряда.