Экспериментально исследован квантовый транспорт в HgTe квантовых ямах с толщинами, соответствующими реализации двумерного топологического изолятора (ДТИ). Принципиальной особенностью исследуемых экспериментальных систем является наличие локального затвора, позволяющего реализовать n-p-n and n-ДТИ-n переходы. В сильном магнитном поле для n-p-n обнаружено дробное квантование двухтерминального кондактанса, ранее наблюдаемое в графене.

Рис. Слева: топология краевых токовых состояний при различных положениях уровня Ферми; справа: диссипативная R₁₄₂₃(V_g) и холловская компоненты R_xy(V_g) магнитосопротивления в зависимости от затворного напряжения и нулевом магнитном поле и магнитном поле В = 7 Т.

В режиме n-ДТИ-n перехода обнаружено плато кондактанса, не имеющее никакого универсального значения. Показано, что его появление вызвано взаимодействием краевых токовых состояний различной природы: киральных в n-областях перехода и геликоидальных в области ДТИ.