З.Д. Квон, Д.А. Козлов, А.К. Бакаров, Д.В. Дмитриев, А.И. Торопов
Лаборатория физики и технологии структур на основе полупроводников А3В5.
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений А3В5.
Изучен терагерцовый отлик двумерного электронного газа с высокой концентрацией и подвижностью в 13 нм GaAs квантовой яме на частотах 0.7 ТГц и 1.63 ТГц. Обнаружены осцилляции магнитосопротивления (МС), возникающие под воздействием излучения частотой 0.7 ТГц, положение максимумов которых определяются гармониками циклотронного резонанса (ЦР), а максимальная амплитуда составляет несколько процентов от полного сопротивления образца.
 | Рис. а - зависимость сопротивления высокоподвижного двумерного электронного газа от магнитного поля; б - индуцированные терагерцовым излучением осцилляции магнитосопротивления (TIRO) этой же системы; в - номера шубниковских осцилляций и TIRO в шкале обратного магнитного поля, г - резонансное циклотронное фотосопротивление при Т = 10 К. |
Они являются аналогом осцилляций, индуцированных микроволновым излучением. При воздействии излучения 1.63 ТГц наблюдались особенности фотосопротивлении и фото-эдс, связанные со второй и третьей гармониками ЦР.
