Теоретически исследовано неупругое рассеяние света электронами двумерной системы с учетом рашбовского спин-орбитального взаимодействия (СОВ) в зоне проводимости. Рассматривался случай резонансного рассеяния: частота падающего (и рассеянного) света близка к эффективному расстоянию между зоной проводимости и спин-отщепленной зоной полупроводника типа A_IIIB_V.

Рис. a) Геометрия рассеяния света 2D электронной системой; Q_1,2 - волновые векторы падающей и рассеянной волн, θ - угол падения, n – нормаль к плоскости системы. b) Зависимость сечения рассеяния R от частоты. Сплошная линия - падающая волна имеет левую поляризацию, штриховая линия - падающая волна имеет правую поляризацию.

Показано, что в отличие от случая отсутствия СОВ в спектре рассеяния света имеется плазмонный пик даже при строго перпендикулярных векторах поляризации падающего и рассеянного света. При определенной геометрии в спектре можно наблюдать особенности, обусловленные только одночастичными переходами. Кроме того показано, что в общем случае эллиптически поляризованного падающего и рассеянного света амплитуда плазмонного пика оказывается чувствительной к знаку эффективной константы рашбовского СОВ и знакам фаз векторов поляризации. Этот факт позволяет определять знак константы СОВ экспериментально.