А.Б. Талочкин, И.Б. Чистохин

Исследованы спектры продольной фотопроводимости многослойных Ge/Si структур с квантовыми точками (КТ) Ge, полученные методом молекулярно-

Рис. 1 Схема многослойной Si/Ge структуры с КТ Ge для измерения спектров продольной ФП.

лучевой эпитаксии. Наблюдался фотоотклик в диапазоне энергий 0.3÷1.1 эВ при T=78K, связанный с оптическими переходами между дырочными уровнями КТ и электронными состояниями Si. Показано, что основной вклад в латеральную фотопроводимость дают электронные состояния, локализованные в области изгиба зон Si вблизи Ge/Si границы раздела. Применение модели квантового ящика для

Рис.2. Спектральная зависимость продольной фотопроводимости Si/Ge структуры с КТ Ge. Малыми стрелками обозначены наблюдаемые положения пиков. Большими стрелкам и показаны энергии оптических переходов, вычисленные в модели "квантового ящика". На вставках показаны энергетические диаграммы Si/Ge структур с КТ Ge двух образц ов. Штриховыми и точечными линиями показаны положения дырочных уровней КТ.

описания дырочных уровней КТ позволило понять происхождение пиков, наблюдаемых в спектрах фотопроводимости. Построена подробная энергетическая диаграмма дырочных уровней КТ и оптических переходов в Ge/Si структурах с напряженными КТ Ge.