М.В.Якушев, Ю.Г.Сидоров, А.В.Сорочкин, А.Л.Асеев

Разработана технология, позволяющая создавать методом МЛЭ на подложках из кремния диаметром до 102,4 мм, нелегированные образцы КРТ дырочного типа проводимости приборного качества.

Рис.1 Внешний вид (а) и распределение V-дефектов по поверхности (б) гетероструктуры HgCdTe/Si(310).

Рис.2 Распределение состава (а) по площади гетероструктуры HgCdTe/Si(310) и соответствующего ему края поглощения (в микронах) при 77К (б).

Оптимизация процессов предэпитаксиальной подготовки поверхности кремниевой подложкия, условий формирования гетероперехода подложка - буферный слой ZnTe и процессов роста КРТ позволяет выращивать ГЭС КРТ МЛЭ без антифазных границ с однородным распределение по поверхности морфологи- ческих V-дефектов и ямок травления с плотностью менее 1000 см^-2 и 10^-7 см^-2, соответственно. Проведено выращивание ГЭС КРТ МЛЭ на подложках из кремния. Максимальное отклонение состава на диаметре 76,2 мм составляет менее 0.002 мол.дол./см (Δλ_1/2 = 0,1 мкм при 77К) для ГЭС КРТ МДЭ с составами XCdTe~ 0.3 мол. дол.

После роста ГЭС КРТ МЛЭ имеют электронный тип проводимости с концентрацией электронов (5-10)·10¹⁴см^-3, подвижностью (1,5-2,5)·10⁴см²В^-1с^-1 и временами жизни не основных носителей 5-15 мкс при 77 К. ГЭС КРТ МЛЭ ды- рочного типа проводимости получены изотермическим отжигом в атмосфере гелия. Концентрация носителей заряда, подвижность и время жизни при 77 К составили (5-15)·10¹⁵ см^-3, 200-400 см²В^-1с^-1 и 30-50 нс, соответственно.