Г.М.Гусев, Е.Б.Ольшанецкий, З.Д.Квон, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий, J.C.Portal
Лаборатория физики и технологии структур на основе полупроводников А3В5.
Лаборатория технологии эпитаксии из молекулярных пучков соединений А2В6.
Instituto de Física da Universidade de São Paulo, Brazil.
LNCMI-CNRS, France.
INSA Toulouse, France.
Institut Universitaire de France, France.
Впервые изучен режим квантового эффекта Холла в двумерной электроннодырочной системе в точке зарядовой нейтральности, то есть в точке равенства
концентраций двумерных электронов и дырок. В высококачественных структурах
на основе квантовых ям CdHgTe, выращенных в ИФП СО РАН, обнаружен эффект
подавления сильной локализации в указанных условиях. Показано, что в сильном
Рис. Слева: Зависимость диагональной и холловской компонент тензора сопротивления (a)
и проводимости (b) от затворного напряжения в магнитном поле B = 2.8 Тесла. Справа:
Топология токовых состояний двумерного полуметалла в режиме КЭХ в точке зарядовой
нейтральности.
магнитном поле двухкомпонентная электронно-дырочная плазма обладает принципиально иными топологическими свойствами в отличие от обычной однокомпонентной (электронной или дырочной) плазмы. Предположено, что именно они приводят к возникновению бесконечного множества делокализованных проводящих
токовых состояний и подавлению локализации.
