О.А.Ткаченко, В.А.Ткаченко, З.Д.Квон, А.В.Латышев, А.Л.Асеев

Обобщен опыт вычислительно-экспериментального выяснения внутренних свойств квантовых и одноэлектронных наноустройств, созданных в ИФП СО РАН и в ведущих зарубежных научных группах: разработана концепция интроскопии устройств. С использованием всей первичной информации, собранной в процессе изготовления устройств и измерения их структурных, а также электрофизических характеристик, вычислительно восстанавливаются экспериментально невидимые картины удерживающего потенциала, геометрии электронных систем, а также квантовые и одноэлектронные явления, происходящие внутри устройств.

Разработан оригинальный комплекс универсальных прикладных программ, который адаптирован для многопроцессорных суперЭВМ. Идея иллюстрируется на примере кольцевого интерферометра, созданного локальным анодным окислением: (a) - карта глубины окисления структуры GaAs/AlGaAs с двумерным электронным газом (ДЭГ), найденная по данным атомно-силовой микроскопии (видны несовершенства изготовления); (б) - удерживающий потенциал в плоскости ДЭГ (заметна асимметрия); (в) - плотность вероятности для электронов, падающих слева с указанной энергией E=3 мэВ при B=0 (видна интерференция); (г)-вычисленная на суперЭВМ карта осцилляций кондактанса интерферометра c изменением E и магнитного поля B (виден интересный физический эффект-дрейф фазы и ветвление осцилляций Ааронова-Бома).