Т.И.Батурина, А.Ю.Миронов, Д.А.Насимов, А.В.Латышев

Методом электронной литографии с последующим плазмохимическим травлением изготовлены наноперфорированные плёнки TiN с периодом 80 нм и рекордно большим количеством элементов (~780 тыс.). Низкотемпературные

Рис. (а) Изображение фрагмента наноперфорированной плёнки TiN в сканирующем электронном микроскопе. (б) Tемпературные зависимости сопротивления "на квадрат" перфорированной и исходной плёнок. (в) Зависимости дифференциального сопротивления от приложенного напряжения, в среднем приходящегося на один переход, при различных температурах. Наблюдаются характерные особенности, отвечающие щелевой структуре (на рисунке отмечены символами). (г) Температурная зависимость положения особенностей (символы). Линиями показана температурная зависимость сверхпроводящей щели в теории БКШ.

измерения вольтамперных характеристик выявили наличие аномально больших и узких провалов в дифференциальном сопротивлении при напряжениях смещения

2Δ(T)/(2ⁿ e) (где Δ(T) - температурная зависимость ширины энергетической щели сверхпроводника, n - целое число). При этом Δ(T) с большой точностью совпадает с величиной сверхпроводящей щели исходных плёнок, определённой методом сканирующей туннельной спектроскопии. Данный результат фактически является основой для создания высокоточной методики андреевской спектроскопии для определения сверхпроводящей щели в тонких плёнках. Анализ результатов показывает, что особенности в дифференциальном сопротивлении являются следствием нелокальной природы андреевского отражения в массивах сверхпроводник-металл-сверхпроводник переходов. Предложен механизм коррелированного переноса куперовских пар, основанный на комбинированном действии эффекта близости и синхронного андреевского отражения на многих NS- границах.