Е.Б.Ольшанецкий, З.Д.Квон, М.В.Энтин, Л.И.Магарилл, Н.Н.Михайлов, И.О.Парм, С.А.Дворецкий
Лаборатория физики и технологии структур на основе полупроводников А3В5
Лаборатория теоретической физики
Лаборатория технологии эпитаксии из молекулярных пучков соединений А2В6
Проведено экспериментальное исследование процессов рассеяния в
двумерной электронной системе при ее переходе от металлического к
полуметаллическому состоянию, в котором реализуется одновременное


Рис.2. (а)-Зависимости ρ(Vg) при B=0 и различных температурах в диапазоне T=0.2-4.1 К
(температура повышается от нижней кривой к верхней). (б)- черными символами обозначены полученные из рисунка (а) зависимости ρ(T) для выбранных значений Vg=-1;-2 и -3 В.
Проходящие через символы линии - подгонка с помощью теории. На вставке - зависимость
подгоночного параметра Θ (константа, характеризующая интенсивность взаимного
рассеяния электронов и дырок) от затворного напряжения: символы - эксперимент, линия -
теория.
существование двумерных электронов и дырок. Обнаружено, что в отличие от
практического отсутствия температурной зависимости сопротивления в первом из
указанных состояний во втором наблюдается значительное увеличение сопротивления при росте температуры. Построена теория рассеяния в двумерном
полуметалле и получено хорошее количественное согласие между ней и
результатами эксперимента. На основе этого сделано заключение, что наблюдаемая
температурная зависимость сопротивления в полуметаллическом состоянии
обусловлена рассеянием электронов и дырок друг на друге (механизм Ландау).
Таким образом, впервые наблюдалось прямое влияние межчастичного рассеяния
на поведение сопротивления Ферми-системы.