
Результаты экспериментальных измерений представлены на рисунке. Сдвоенный максимум на профилях интенсивности (рис. в,г) соответствует позиции слоя SiO2, а резкий минимум - позиции поверхности кремния. Высота ступени на гетерограницах SiO2- Si(111) и SiO2-Ti была измерена по сдвигу этих экстремумов при наложении профилей интенсивности (рис. д) и составила 0,314 нм. Важно отметить, что при наложении профилей интенсивности, записанных слева и справа от ступени, периодические максимумы, соответствующие позициям атомных плоскостей (111)Si (правые части рисунков в,г) точно накладываются
![]() | ![]() |
Рис. ВРЭМ изображение моноатомной ступени на гетерограницах Si(111) -SiO2 и SiO2-Ti (a) и Фурье-спектр для области Si с измеренными межплоскостными расстояниями (б). На рис. в и г приведены профили интенсивности изображения на рис. а, записанные в направлении сверху-вниз слева (область1) и справа (область 2) от ступени. Области интегрирования профилей интенсивности выделены на рис.а белыми прямоугольниками. На рис. д - изображение наложенных профилей интенсивности. |
один на другой (правая часть рисунка д). Это является дополнительным подтверждением, что сдвиг на ступени точно соответствует межплоскостному расстоянию для плоскостей (111) в объемном кремнии - 0,314 нм.