А.Ф.Зиновьева, А.В.Двуреченский, Н.П.Стёпина, А.И.Никифоров, А.С.Любин, Л.В.Кулик

Проведены исследования электронных состояний в структурах с Ge/Si квантовыми точками (КТ) методом спинового эха. Был получен сигнал спинового эха от электронов, локализованных вблизи Ge КТ. Локализация электронов вблизи КТ реализована за счет усиления упругих напряжений в Si, окружающем Ge КТ, в многослойных структурах с когерентными КТ. Кривые затухания намагниченности хорошо аппроксимируются суперпозицией двух затухающих экспонент (Рис.).

Рис. Зависимость интенсивности сигнала спинового эха от времени задержки между СВЧ-импульсами для двухимпульсного (а) и трехимпульсного (б) режимов измерения. На вставках к рисункам показаны последовательности СВЧ-импульсов.

Наличие двух экспонент с разными параметрами затухания можно объяснить существованием двух групп носителей заряда с разными скоростями спиновой релаксации. Параметры затухания дают два характерных времени релаксации Т1, первое ~10 мкс, второе ~0.1 мкс, и два времени релаксации Т2, первое ~20 мкс, второе ~1 мкс. Для обеих групп носителей заряда наблюдается необычное соотношение времен спиновой релаксации: Т2 >T1. Это соотношение подтверждает выдвинутую ранее модель спиновой релаксации за счёт спиновой прецессии в эффективных магнитных полях, возникающих при туннелировании носителей заряда между КТ. Эти магнитные поля возникают из-за особенностей симметрии структур с КТ и связаны со спин-орбитальным взаимодействием