А.А.Быков, А.К.Бакаров, Д.Р.Исламов, З.Д.Квон, А.И.Торопов

Исследовано влияние микроволнового поля в диапазоне частот от 54 до 140 ГГц на магнетотранспорт в GaAs квантовой яме с AlAs/GaAs сверхрешеточными барьерами, концентрация электронов в которой составляла 8.5×10¹¹ см^-2, а подвижность не превышала 10⁶ см²/Вс. В изучаемой двумерной системе обнаружены гигантские осцилляции сопротивления, возникающие под действием микроволнового излучения, положение которых в магнитном поле определяется отношением частоты излучения к циклотронной частоте и ранее наблюдавшиеся лишь

Рис. Экспериментальные зависимости ρ_xx(B) двумерного электронного газа в GaAs квантовой яме с AlAs/GaAs сверхрешеточными барьерами при T=1.7 K в отсутствии (тонкая линия) и присутствии (толстая линия) микроволнового излучения частотой 140 ГГц. Стрелкой обозначено положение циклотронного резонанса.

в GaAs/AlGaAs гетероструктурах с существенно большей электронной подвижностью и меньшей концентрацией. Установлено, что при облучении исследуемых образцов микроволновым полем на частоте 140 ГГц сопротивление в основном минимуме этих осцилляций, расположенном вблизи циклотронного резонанса принимает значение близкое к нулю. Полученные результаты указывают на то, что подвижность, величиной менее 10⁶ см²/Вс не является фактором, препятствующим возникновению в двумерной системе под действием микроволнового излучения магнетополевых состояний с нулевым сопротивлением.