Впервые на основе полупроводниковой мембраны, отделенной от подложки (Рис. 1a), изготовлен транзистор с эффектом кулоновской блокады - квантовая точка, соединенная двумя туннельными барьерами с областями истока s и стока d, рядом с которой расположены два боковых затвора g₁ и g₂ (Рис. 1б). Полупроводниковая мембрана изготовлена методом селективного травления жертвенного AlAs слоя, отделяющего GaAs подложку от AlGaAs/GaAs гетероструктуры, содержащей двумерный электронный газ (Рис. 1в).

Рис. 1. Изображения подвешенной мембраны (a) и транзистора (б), полученные с помощью электронного микроскопа. в) - схема используемой гетероструктуры.
Рис. 2. Зависимость кондактанса G от тянущего V_sd и затворного V_g1 напряжений.

Зависимость кондактанса транзистора от тянущего (исток-сток) и затворного напряжения (Рис. 2) имеет ромбовидную структуру, характерную для эффекта кулоновской блокады. Вертикальный размер ромба ΔV_sd = E_c/e, где E_c - зарядовая энергия квантовой точки. Отрыв образца от подложки, обладающей высокой диэлектрической проницаемостью, привел к резкому снижению полной емкости C квантовой точки и как следствие к увеличению зарядовой энергии E_c = e²/C и критической температуры работы транзистора T_c = E_c/k = 40 K. Подобные устройства перспективны с точки зрения создания одноэлектронных приборов, работающих при высоких температурах. В изготовленном транзисторе обнаружена термоэдс фононного увлечения, которая имеет аномальную знакопеременную зависимость от затворного напряжения и интенсивности потока фононов. Для объяснения этих закономерностей предложены возможные физические механизмы: акустогальванический эффект, баллистическое переотражение, приводящие к наблюдаемым аномалиям термоэдс.
Описанная технология изготовления подвешенных наноструктур может быть расширена и на другие материалы, такие, например, как кремний-на-изоляторе.