Впервые выращены структуры с квантовыми ямами CdTe/HgTe/CdTe с толщинами слоев HgTe 16 нм и 21 нм. Двумерный электронный газ в первом случае имел концентрацию 2,2×10¹¹ см^-2 и подвижность 2,5×10⁵см²/В×с, а во втором соответственно 1,4×10¹¹ см^-2 и 1,5×10⁵см²/В×с.

Рис. Продольное и холловское магнетосопротивление в зависимости от величины магнитного поля для температур от 0,3 до 3 К. На вставке показана схема слоев в образце. Увеличено показаны области переходов с плато на плато (2-1)

Полученные значения подвижности являются рекордными для соответствующих концентраций электронов и свидетельствуют о высоком качестве выращенных структур. На этих структурах впервые наблюдался индуцированный магнитным полем квантовый холловский переход жидкость-изолятор и переход с плато на плато в высокоподвижном двумерном электронном газе в квантовых ямах HgТe (см. Рис.).