 |
| Рис. 1. Тепловое изображение, полученное с
помощью фотодиодной матрицы формата
128×128, изготовленной из ГЭС КРТ МЛЭ (К). |
Проведены исследования процесса осаждения пленок соединений A
2B
6 на
подложках из кремния, которые позволили разработать технологию выращивания
эпитаксиальных структур КРТ. Кремний предпочтителен по таким параметрам, как стоимость, размеры пластин, структурное совершенство.
Для создания пленок КРТ на подложках из кремния использован низкотемпературный метод
подготовки поверхности подложек из кремния. Обычный метод получения
чистой поверхности кремния в установках МЛЭ основан на прогреве подло
жек до температур 800° С. Для создания монолитных фотоприемников, на
что ориентирована разрабатываемая технология, этот метод не подходит, так
как разрушает систему обработки сигнала, сформированную в подложке до
осаждения пленки КРТ.
В 2005 году на основе гетероструктур КРТ МЛЭ на подложке из кремния
(К) изготовлен матричный фотоприемник с максимумом чувствительности на длине волны 3,83 мкм и получено тепловизионное изображение, показанное на Рис.1.
Полученное тепловизионное изображение свидетельствует, что структуры
КРТ МЛЭ (К) дырочного типа проводимости, выращенные на подложках из крем
ния, соответствуют требованиям предъявляемым к использованию в многоэлементных и матричных ФПУ и обеспечивают высокие фотоэлектрические параметры.
