Ю.Г.Сидоров, С.А.Дворецкий, В.С.Варавин, Н.Н.Михайлов, В.В.Васильев, Т.И.Захарьяш
Лаборатория технологии эпитаксии из молекулярных пучков соединений А2В6.
Лаборатория физико-технологических основ создания приборов на основе полупроводников А2В6
Изготовлены p+-n переходы на основе гетероэпитаксиальных структур (ГЭС)
КРТ методом имлантации ионов мышьяка и последующего активационного отжига.
 |
| Рис. 1. Зависимость сопротивления диодов от
напряжения смещения. |
Имплантация ионами As
+ производилась на ускорителе HVE-400 с параметрами: Е=190 кэВ, D=3.10
14cм
-2, j=0,025 мкА/см
2. Отжиг имплантированных
мышьяком образцов проводился в вертикальном реакторе с двумя зонами на
грева. На дно реактора наливался слой ртути и давление паров ртути задавалось ее температурой, которая поддерживалась нижним нагревателем. На подставке высотой 25 см устанавливался образец и его температура поддерживалась верхним нагревателем.
Высокотемпературная стадия отжига проводилась
при температуре образца 350-360°С и температуре ртути 340-
350°С в течение 2 часов. На этой
стадии происходила активация мышьяка, и одновременно в объеме
образца генерировались вакансии
ртути. Для заполнения вакансий
ртути проводилась вторая низкотемпературная стадия отжига при
температуре образца 215-225°С и
температуре ртути 205-215°С.
После отжига были изготовлены мезадиоды площадью
A=4.9×10-3см2. Плотность темнового тока при смещении U=-0.1 В составляла ~ 0.04 А/см2. На рисунке
представлены типичные зависимости удельного сопротивления от
напряжения смещения. Значение произведения R0A для данных фотодиодов лежало в диапазоне 20÷28 Ом×см2.
Это значение попадает в интервал лучших достижений для p-n переходов с длинноволновой границей чувствительности 9,7 мкм.
