В.А.Володин, Е.Б.Горохов, Д.В.Марин, М.Д.Ефремов, А.Г.Черков, С.А.Аржанникова, В.А.Швец, А.Г.Борисов
Лаборатория радиационной стойкости полупроводников и полупроводниковых приборов.
Лаборатория электронной микроскопии и субмикронных структур.
Лаборатория эллипсометрии полупроводниковых материалов и структур
Исследованы спектры фотолюминесценции (ФЛ) в Ge-квантовых точках,
сформированных в слое аморфного GeO2. Гетерослои Ge:GeO2 выращены путем
конденсации пересыщенных паров монооксида германия (GeO) при одновременном их разложении на Ge и GeO2. Вариация условий роста позволяет контролируемо изменять размеры кластеров Ge. Наблюдаемый в указанных гетерослоях
Ge:GeO2 сдвиг максимума пика ФЛ в голубую область при уменьшении размеров
кластеров германия был объяснен как квантоворазмерный эффект (Рис. 1). Расчеты оптической щели нанокристаллов Ge, учитывающие данный эффект, были
проведены на основе модели эффективной массы, сведенной к известному реше
нию одномерного уравнения Шрёдингера для квантовой ямы сферической фор
мы. Определенные по положению пика ФЛ средние размеры нанокристаллов Ge
оказались близкими к величинам, полученным из спектров комбинационного рассеяния и из прямых данных электронной микроскопии. Плёнки Ge:GeO2 были также исследованы с применением методики спектральной эллипсометрии; получены
первые свидетельства влияния квантоворазмерного эффекта на показатель преломления данной гетеросистемы.
Рис. 1. Спектры ФЛ плёнок Ge:GeO2 - от образцов 1- 4 размер кластеров Ge уменьшается.
Таким образом, при комнатной температуре обнаружена фотолюминесцен-
ция от нанокристаллов германия, находящихся в окружении диоксида германия,
спектр которых смещается в синюю область при уменьшении их размеров в согласии с моделью прямых переходов внутри нанокристаллов. В работе нанокристаллы германия рассматриваются как квантовые точки первого рода.