В.В.Шашкин, М.А.Демьяненко, А.Г.Клименко, В.Н.Овсюк, О.И.Семенова, Л.Л.Васильева, Б.И.Фомин
Лаборатория физической химии поверхности полупроводников и систем полупроводник-диэлектрик.
Лаборатория кинетических явлений в полупроводниках.
Лаборатория технологии кремниевой микроэлектроники.
Лаборатория физико-технологических основ создания приборов на основе полупроводников А2В6.
Разработана технология изготовления матричного микроболометрического приемника ИК-излучения. С помощью разработанной технологии изготовлена микроболометрическая матрица с шагом 51 мкм размерностью 120х160 элементов. На рис.1 приведена микрофотография фрагмента микроболометрической матрицы с мультиплексором. Мультиплексор изготовлен ОАО "Ангстрем" (г. Москва). Основные параметры матрицы: термочувствительный слой - пленка окисла ванадия толщиной 70нм с поверхностным сопротивлением около 100кОм/кв и температурным коэффициентом 1,5%. Пленка получена методом золь-гель. Размер ячейки матрицы 49х49мкм, коэффициент заполнения ячейки около 50%. Несущая балка: плазмохимический нитрид кремния с шириной 2мкм и толщиной 350нм. Металлическая шина, проходящая по несущей балке: ширина - 1,5мкм, толщина - 50нм. Зазор зеркало - термоочувствительный слой 2,5 мкм. С помощью изготовленной матрицы получено тепловое изображение человека с разрешением 100мК (см. рис.2). Продолжается отработка технологии изготовления матриц с целью увеличения их формата до размерности 320х240.
 |  |
| Рис 1. Микрофотография фрагмента микроболометрической матрицы форматом 120х160 | Рис.2. Пример тепловое изображение человека с разрешением 100 мК. |
