Получено положительное решение по патенту на новый низковольтный, быстродействующий элемент памяти на основе нитрида кремния с использованием в качестве блокирующего слоя диэлектриков ZrO₂ и Al₂O₃. Альтернативные диэлектрики с высокой диэлектрической проницаемостью (e = 10-50), такие, как ZrO₂, HfO₂, Ta₂O₅, Al₂O₃, BaSrTiO₃, в настоящее время, рассматриваются как кандидаты на замену двуокиси кремния в полевых транзисторах и конденсаторах оперативных запоминающих устройств.

Рис.1. Принципиальная схема элемента памяти на основе Si₃N₄ с блокирующим слоем диэлектрика ZrO₂ и Al₂O₃.

Показано, что применение альтернативных диэлектриков позволяет на два порядка повысить быстродействие ФЛЭШ памяти и существенно уменьшить напряжение перепрограммирования, что приводит к уменьшению стоимости и повышению надежности.

Рис. 2. Кинетика перепрограммирования КОНОП структуры с использованием альтернативного диэлектрика. Использование Al₂O₃ вместо SiO₂ приводит к увеличению окна памяти и повышению быстродействия.

Совместно с ИАиЭ СО РАН разработан пакет программ для моделирования терабитных (10¹² бит/кристалл) кремниевых микросхем памяти на основе альтернативных диэлектриков.