На основе гетероструктур Ga(Al)As изготовлены затворно-управляемые интерферометры, имеющие электронное кольцо с эффективным радиусом 90-130 нм. Такие интерферометры являются рекордными для использованных методов электронной литографии с последующим реактивным ионным травлением, либо прямого локального анодного окисления поверхности гетероструктуры острием атомно-силового микроскопа. Разработка новых технологических приемов создания интерферометров, а также комбинированное применение теоретических, экспериментальных и расчетных исследований позволило определить электронные свойства созданных наноструктур, выяснить влияние технологических допусков на квантовую интерференцию и обнаружить сосуществование эффекта Ааронова-Бома с другими квантовыми и одноэлектронными эффектами.

Геометрия электронной системы интерферометров найдена расчетом трехмерной электростатики по данным о строении гетероструктур и форме поверхности образцов. Из решения задачи электростатики вычислялись емкости разных частей электронного устройства. Этот расчет позволил объяснить наблюдение кулоновских затворных осцилляций сопротивления интерферометра, включая эффект дублетного расщепления пиков (рис.1), обусловленный одноэлектронной зарядкой взаимодействующих треугольных точек соединения кольца с резервуарами (рис.2). Таким образом, впервые для кольцевых интерферометров с помощью теории и численных расчетов удалось надежно связать результаты структурных и электрофизических исследований. Выяснены условия, при которых интерферометр становится квантовым и одноэлектронным транзистором. Расчеты электростатики использовались также для оптимизации глубины локального анодного окисления, благодаря чему удалось уменьшить радиус кольца до 90 нм, наблюдать осцилляции АБ до рекордно высокой температуры 15K и обнаружить влияние микроскопического состояния образца (зарядового состояния примесей) на температурную зависимость амплитуды осцилляций Ааронова-Бома.