Был предложен метод получения спин - поляризованных электронных пучков в двумерных баллистических структурах. Как известно спин-орбитальное взаимодействие перепутывает поступательную и спиновую степени свободы. Исследовано влияние спин-орбитального взаимодействия на электроны, отраженные от потенциального барьера. В таких структурах отраженный пучок расщепляется на три пучка с различной спиновой ориентацией. Найдены зависимости углов и коэффициентов отражения от величины спин-орбитального взаимодействия и параметров барьера. Показано, что этот эффект достаточно сильный в присутствие резких барьеров. В случае гладкого барьера эффект исчезает. Таким образом показано, спин - зависимое отражения может быть использовано в баллистических наноструктурах для получения спин поляризованных пучков.