И.Ю. Бородин, И.А. Литвинова, И.Г. Неизвестный, А.В. Прозоров, С.П. Супрун, А.Б. Талочкин, В.Н. Шерстякова, В.Н. Шумский
Лаборатория физики и технологии гетероструктур
Исследованы вольт-амперные характеристики и спектральные зависимости фото-ЭДС при Т = 4.2 и 300 К в ненапряженных структурах с квантовыми точками (КТ) германия в системе - GaAs/ZnSe/КТ-Ge/ZnSe/Al. Наблюдаемые при комнатной температуре без освещения особенности типа "кулоновской лестницы" на вольтамперной характеристике обусловлены кулоновским взаимодействием электронов при туннелировании через собственные уровни в КТ. Особенности в спектрах фото-ЭДС связываются с поглощением излучения в системе дискретных уровней КТ. На основе экспериментальных данных построена энергетическая зонная диаграмма структуры с КТ.