Кремний для современной электроники

Научно-технологический отдел

ВЫРАЩИВАНИЕ КРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ (Si-БЗП) МЕТОДОМ БЕСТИГЕЛЬНОЙ ЗОННОЙ ПЛАВКИ

ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ Si-БЗП:

малошумящая аппаратура;
силовые преобразователи в бортовой аппаратуре;
кремниевые фотоприемники, в том числе матричные, для приборов обнаружения, наблюдения и наведениия

Основные параметры установки FZ-20 фирмы HALDOR TOPSOE:

производительность, т/г	5
диаметр выращиваемых слитков, мм	150
длина выращиваемых слитков, мм	1500
стоимость установки, млн. долл. США	1.5

ПАРАМЕТРЫ СЛИТКОВ КРЕМНИЯ	Si-Ч	Si-БЗП
Кол-во электрически активных фоновых примесей, ат/см³	<1x10¹²	<1x10¹²
Концентрация атомов, ат/см³: -кислорода -углерода -тяжелых и щелочных металлов	2-11x10¹⁷ <1x10¹⁶ <5x10¹²	- <1x10¹⁶ 1x10¹²
Удельное электросопротивление, омxсм	0,05 - 200	более 800
Разброс У.Э.С. по диаметру слитка,%	3 - 5	3
Диаметр слитка, мм	203	152

Коммерческие предложения:
поставка шлифованных и полированных пластин кремния
по техническим требованиям заказчика

Разработка технологии выращивания и организация малотоннажного производства высокосовершенных слитков кремния диаметром до 150 мм методом бестигельной зонной плавки для изготовления элементов силовой электроники и спецприменения (детекторы ядерного излучения, фотоприемники).
Исполнитель - ИФП СО РАН
Требуется дополнительное финансирование в объеме - 30 млн. руб.
Срок окупаемости - 5 лет.

Свернуть