- N.A. Yeryukov, A.G. Milekhin, L.L. Sveshnikova, T.A. Duda, E.E. Rodyakina, E.S. Sheremet, M. Ludemann, A.V. Latyshev, and D.R.T. Zahn, Surface enhanced Raman scattering by organic and inorganic analytes on laterally ordered arrays of Au nanoclusters, Thin Solid Films, 543, 35-40 (2013).
- A.G. Milekhin, N.A. Yeryukov, A.I. Toropov, D.R.T. Zahn, Micro-Raman phonon scattering by InAs/AlAs quantum dot superlattices, Thin Solid Films, 543C, 23-26 (2013).
- A.G. Milekhin, N.A. Yeryukov, L.L. Sveshnikova, T.A. Duda, D. Protasov, A.K. Gutakovskii, S.A. Batcanov, N.V. Surovtsev, S.V. Adichtchev, C. Himcinschi, V. Dzhagan, F. Haidu, and D.R.T. Zahn, CdZnS Quantum Dots Formed by the Langmuir-Blodgett Technique, the Journal of Vacuum Science & Technology B, 31(4), 04D109 - 04D109-7 (2013).
- V. Dzhagan, M. Valakh, A. Milekhin, N. Yeryukov, B. Dubertret, E. Cassette, T. Pons, D.R.T. Zahn, Raman- and IR-active Phonons in CdSe-CdS Core/Shell Nanocrystals in Presence of Interface Alloying and Strain, The Journal of Physical Chemistry, 117 (35), 18225–18233 (2013).
- А.Г. Милехин, Л.Л. Свешникова, Т.А. Дуда, Н.А. Ерюков, Н.В. Суровцев, С.В. Адищев, Е.Е. Родякина, А.К. Гутаковский, А.В. Латышев, Д.Р.Т. Цан, Гигантское комбинационное рассеяние света полупроводниковыми наноструктурами, Автометрия, 49(54), 100-111 (2013).
- С.В. Адищев, М.В. Дасько, Л.Л. Свешникова, Н.А. Ерюков, А.Г. Милёхин, В.К. Малиновский, Н.В. Суровцев, Низкочастотное комбинационное рассеяние света наночастицами серебра, Автометрия, 49 (3), 89-95 (2013).
- А.В. Телегин, А.Г. Милехин, Влияние изотоп-замещения О16 на О18 на оптические свойства пленок (La1–xPrx)0,7Ca0,3MnO3, Перспективные материалы, 1, 77 (2013).
- Y. Kamikawa-Shimizu, R. Patterson, A. Milekhin, K. Akahane, Y. Shoji, D. R.T. Zahn, Y. Okada, G. Conibeer, Study of phonons in self-assembled InAs quantum dots embedded in an InGaAlAs matrix
, Physica E, Available online 31 October (2013).
- T.V. Perevalov, V.Sh. Aliev, V.A. Gritsenko, A.A. Saraev, V.V. Kaichev / Electronic structure of oxygen vacancies in hafnium oxide//Microelectronic Engineering 109 (2013) 21-23.
![]() |
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА
Сибирского отделения Российской академии наук
|