ПУБЛИКАЦИИ
2015
Публикации в рецензируемых журналах
- О.В. Наумова, Э.Г. Зайцева, Б.И. Фомин, М.А. Ильницкий, В.П. Попов. Зависимость подвижность электронов в обогащении от их плотности в полностью обедняемых пленках КНИ - ФТП, 49 (10) 2015, 1360-1366.
- K.A. Malsagova, Y.D. Ivanov, T.O. Pleshakova, A.L. Kaysheva, I.D. Shumov, A.F. Kozlov, A.I. Archakov, V.P. Popov, B.I. Fomin, A.V. Latyshev. A SOI-nanowire biosensor for the multiple detection of D-NFATc1 protein in the serum. Anal. Methods, 2015, DOI: 10.1039/C5AY01866H
Доклады на конференциях
- Зайцева Э.Г., Наумова О.В., Фомин Б.И., Ильницкий М.А., Попов В.П. Температурные измерения подвижности электронов в полностью обедняемых слоях КНИ. 5-я Всероссийская конференция “Фундаментальные основы МЭМС- и нанотехнологий”, Новосибирск, 15–18 июня 2015 г. (устный)
- Зайцева Э.Г., Наумова О.В., Фомин Б.И., Ильницкий М.А., Попов В.П. Подвижность электронов в полностью обедняемых пленках КНИ. Школа-конференция с международным участием "Saint-Petersburg OPEN 2015", С-П, 7 апреля 2015 (устный)
- О.В. Наумова, Э.Г. Зайцева, Б.И. Фомин, М.А. Ильницкий, В.П. Попов. Подвижность электронов в двухзатворных тонкопленочных КНИ-МОП транзисторах. XII Российская конференция по физики полупроводников. Звенигород 21-25 сентября 2015 (стендовый)
ПУБЛИКАЦИИ
2001
Публикации в рецензируемых журналах
- И.В.Антонова, Й.Стано, Д.B.Николаев, О.В.Наумова, В.П.Попов, В.А.Скуратов. Состояния на границах и центры с глубокими уровнями в структурах Кремний на изоляторе. ФТП,2001, т.35, в.8, с.948-953
- I.V.Antonova, J.Stano, D.V.Nikolaev, O.V.Naumova, V.P.Popov, V.A.Skuratov. Traps at bonded interface in SOI structures. Appl.Phys.Lett. 2001, 79, №27, 4539–4540
- В.П.Попов, И.В.Антонова, A.А.Французов Л.Н.Сафронов, Г.Н.Феофанов, О.В.Наумова, Д.В.Киланов. Свойства структур и приборов на кремний-на-изоляторе. ФТП, 2001, т.35, в.9, c.1075-1083
- В.П. Попов, И.В. Антонова, А.А. Французов, О.В. Наумова, Н.В. Сапожникова. Микросистемная техника, 2001, т.10, с. 35-40
Публикации в трудах и тезисах конференций
- А.А.Французов, И.В.Антонова, О.В.Наумова, Н.В.Сапожникова, В.П.Попов, Г.Н.Феофанов. Транзисторы с коротким каналом на КНИ. Тезисы докл. Всероссийской научно-технической конференции «Микро- и нано-электроника-2001»(МНЭ-2001), г. Звенигород, Л2-2
- В.П.Попов, Ю.В.Настаушев, Т.А.Гаврилова, О.В.Наумова, В.А.Колосанов, М.М.Качанова, Л.А.Ненашева, И.В.Антонова, А.Л.Асеев. Латеральные нанотранзисторы с расщепленным затвором на тонких КНИ пленках. Тезисы докл. Всероссийской научно-технической конференции «Микро- и нано-электроника-2001» (МНЭ-2001), г. Звенигород, О1-3
ПУБЛИКАЦИИ
2003
Публикации в рецензируемых журналах
- О.В.Наумова, И.В.Антонова, В.П.Попов, Ю.В.Настаушев, Т.А. Гаврилова, Л.В.Литвин, А.Л.Асеев. КНИ нанотранзисторы: перспективы и проблемы реализации. ФТП, 2003, т.37(10), с.1253-1259
- O.V. Naumova, I.V. Antonova, V.P. Popov, N.V. Sapognikova, Yu.V. Nastaushev, E.V. Spesivtsev, and A.L. Aseev. Conductance oscillations near bonded interface in the ultra thin silicon-on-insulator layers at the room temperature. Microelectronic Engineering, 2003, v.66, p.457-462
- O.V. Naumova, I.V Antonova, V.P. Popov, Yu.V. Nastaushev, T.A. Gavrilova, L.V. Litvin, and A.L. Aseev. Modification of silicon-on-insulator structures under nano-scale Device fabrication. Microelectronic Engineering, 2003, v.69 (Issues 2-4), p.168-172
- И.В.Антонова, В.А.Стучинский, О.В.Наумова, Д.В.Николаев, В.П.Попов. Флуктуации заряда на границе сращивания в структурах кремний-на-изоляторе. ФТП, 2003, т.37(11), с. 1341-1345
- I.V. Antonova, J. Stano, O.V. Naumova, V.P. Popov, V.A. Skuratov. DLTS study of bonded interface in silicon-on-insulator structures annealed in hydrogen atmosphere. Microelectronic Engineering, 2003, v.66, p. 547-552
Публикации в трудах и тезисах конференций
- Демьяненко М.А. Фомин Б.И. Васильева Л.Л. Овсюк В.Н. Репинский С.М. Шашкин В.В. Термочувствительные слои VOx для микроболометрических приемников ИК-излучения. Труды совещания «Фотоника 2003», Новосибирск, 2003г. с.77
- Демьяненко М.А. Фомин Б.И. Васильева Л.Л. Овсюк В.Н. Репинский С.М. Шашкин. Микроболометрические приемники ИК излучения на основе золь-гель технологии, Труды совещания «Фотоника 2003», Новосибирск, 2003г. с.78
- O.V. Naumova, I.V. Antonova, V.P. Popov, Y.V. Nastaushev, T.A. Gavrilova, M.M. Kachanova, L.V. Litvin, A.L. Aseev. FET on Ultrathin SOI (Fabrication and Research). Proceedings of SPIE , Micro- and Nanoelectronics 2003, K.A. Valiev, A.A. Orlikovsky (eds), Vol. 5401, pp. 323-331 (6-10 October, 2003, Zvenigorod, Russia)
- O.V. Naumova, A.A. Frantsuzov, V.P. Popov. Gamma radiation tolerance of 0.5 μm SOI MOSFETs. Proceedings of SPIE , Micro- and Nanoelectronics 2003, K.A. Valiev, A.A. Orlikovsky (eds), Vol. 5401, pp. 332-336 (6-10 October, 2003, Zvenigorod, Russia) SPIE
- Ю.В. Настаушев, О.В. Наумова, И.В. Антонова, Т.А. Гаврилова, Л.В. Литвин, С.Ф. Девятова, Ф.Н. Дульцев, Д.В. Щеглов, В.П. Попов, А.В. Латышев, А.Л. Асеев. Приборные структуры в нанометровых слоях кремния на изоляторе. Третья Российская конференция по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе («Кремний-2003»). Москва, МИСиС, c.325
- О.В. Наумова, А.А. Французов, И.В. Антонова, В.П. Попов. Исследование радиационной стойкости КНИ МОП транзисторов, изготовленных на структурах DeleCut. Третья Российская конференция по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе («Кремний-2003»). Москва, МИСиС, Тезисы докладов, с.327
- В.П. Попов, А.А. Французов, О.В. Наумова, И.В. Антонова, Н.В. Сапожникова, И.В. Антонова, Ю.В. Настаушев, Т.А. Гаврилова, Л.В. Литвин, А.Л. Асеев. КНИ-нанотранзисторы и их свойства. Третья Российская конференция по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе («Кремний-2003»). Москва, МИСиС, Тезисы докладов, с.341
- И.В. Антонова, Й. Стано, О.В. Наумова, Д.В. Николаев, В.А. Скуратов, В.П. Попов. Влияние водорода на спектр состояний на границе сращивания Si/SiO2 структур КНИ, полученных методом BESOI и Dele-Cut. Третья Российская конференция по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе («Кремний-2003»). Москва, МИСиС, Тезисы докладов, с.280
- Yu. Nastaushev, T. Gavrilova, M. Kachanova, L. Nenasheva, O. Naumova, L. Litvin, V. Popov, A. Aseev. Electron Nanolithography for SOI Nanoelectronic Devices Fabrication and Research. X APAM Topical Seminar and III Conference "Materials of Siberia" "Nanoscience and Technology", Novosibirsk, 2003, June 2-6, Proceedings, pp. 226-227
- Yu.V. Nastaushev, T.A. Gavrilova, M.M. Kachanova, O.V. Naumova, I.V. Antonova, V.P. Popov, L.V. Litvin, D.V. Sheglov, A.V. Latyshev and A.L. Aseev. Field effect nanotransistor on ultrathin silicon-on-insulator. 11th International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, St. Petersburg, Proceedings, 2003, pp.240-241
ПУБЛИКАЦИИ
2002
Публикации в рецензируемых журналах
- И.В.Антонова, Й.Стано, Д.B.Николаев, О.В.Наумова, В.П.Попов. Трансформация при отжиге в водороде состояний на границах раздела КНИ структур. ФТП, 2002, т.36, N1, c.65-69
- Д.В.Николаев, И.В.Антонова, О.В.Наумова, В.П.Попов, С.А.Смагулова. Поведение заряда в скрытом диэлектрике структур кремний–на-изоляторе в электрических полях. ФТП, 2002, 36(7), c. 853-857
- Y.V.Nastaushev, T.A.Gavrilova, M.Kachanova, L.Nenasheva, V.A.Kolosanov, O.V.Naumova, V.P.Popov, A.L.Aseev. 20-nm Resolution of electron litography for the nano-devices on ultrathin SOI film. Materials Science and Engineering C, 2002, v.19, p.189-192
- В.П.Попов, И.В.Антонова, А.А.Французов, Л.Н.Сафронов, А.И.Попов, О.В.Наумова, А.Х.Антоненко, Д.В.Киланов, И.В.Миронова. Создание высококачественных структур кремний-на-изоляторе (КНИ) методом водородного переноса. Микроэлектроника, 2002, т.31, N4, c.274-280
Публикации в трудах и тезисах конференций
- I.V. Antonova, D.V. Nicolaev, O.V. Naumova, V.P. Popov. Hydrogen-related phenomena in SOI fabricated by using H+ ion implantation. GADEST, 2002, Solid State Phenomena v.82-84, p. 491-496
- V.P.Popov, D.V.Kilanov, I.V.Antonova, O.V.Naumova, A.P.Stepovik, V.T.Gromov, A.Misiuk. Hydrogen-induced shallow donor in silicon and silicon-on-insulator structures formed by hydrogen slicing. GADEST, Solid State Phenomena, 2002,v. 82-84, p.497-502
- V.P.Popov, I.E.Tyschenko, L.N.Safronov, O.V.Naumova, I.V.Antonova, A.K.Gutakovskii, A.B.Talochkin. Properties of silicon oversaturated with implanted hydrogen. Thin Solid Films, 2002, v. 403-404, p. 500-504
- V.P.Popov, D.V.Kilanov, I.V.Antonova, O.V.Naumova, A.P.Stepovik, V.T.Gromov, A.Misiuk. Hydrogen-induced shallow donor in silicon and silicon-on-insulator structures formed by hydrogen slicing. Solid State Phenomena, 2002, v. 82-84, p. 497-502
- V.P.Popov, A.L.Aseev, I.V.Antonova, Yu.V.Nastaushev, T.A.Gavrilova, O.V.Naumova, A.A.Franzusov, G.N.Feafanov, V.A.Kolosanov. Low dimension properties of nanostructures on ultrathin layers of silicon formed by oxidation of ion cut SOI wafers and electron lithogtraphy. F.Balestra et.al.(eds.) Progress in Semiconductor-On-Insulator Structures and Devices Operating at Extreme Conditions, Kluwer Academic Publishers, 2002, p.87-91
- V.P.Popov, A.K.Gutakovkii, L.N.Safronov, I.E.Tyschenko, S.K.Zhoravlev, A.B.Talochkin, I.V.Antonova, O.V.Naumova, V.I.Obodnikov, A.Misiuk, J.Bak-Misiuk, J.Domagala, A.Romano-Rodrigues, A.Bachrouri. Defects and their electronic properties in high-pressure-annealed SOI structures sliced by hydrogen. F.Balestra et.al.(eds.) Progress in Semiconductor-On-Insulator Structures and Devices Operating at Extreme Conditions, Kluwer Academic Publishers, 2002, p.269-288
- V.P.Popov, O.V.Naumova, I.V.Antonova. Electricаl properties of nanoporous np-Si:H/c-Si heterostructures. Materials of 3th Int. Conf Porous Semicond. Science and Technology, Mar. Tenerife, 2002, P2-37, 331-332
- O.V. Naumova, I.V. Antonova, V.P. Popov, Yu.V. Nastaushev, T.A. Gavrilova, L.V. Litvin, A.L. Aseev. Silicon-on-insulator structures for nano-scale devices. NGCM (symposium Nano and Giga Challenges in Microelectronics Research and Opportunities in Russia), Moscow, 2002, c.185
ПУБЛИКАЦИИ
2004
Публикации в рецензируемых журналах
- Yu.V. Nastaushev, T.A. Gavrilova, M.M. Kachanova, O.V. Naumova, I.V. Antonova, V.P. Popov, L.V. Litvin, D.V. Sheglov, A.V. Latyshev, A.L. Aseev. Field effect nanotransistor on ultrathin silicon-on-insulator. International Journal of Nanoscience, 2004, v.3, N1-2, pp.155-160
- I.V. Antonova, J. Stano, O.V. Naumova, V.A. Skuratov, and V.P. Popov. DLTS Stady of Silicon-on-Insulator Structures Irradiated With Electrons or High-Energy Ions. IEEE Trans.Nucl.Sci.2004, vol.51, N3, pp.1257-1261
- В.П.Попов, А.Л.Асеев, А.А.Французов, М.А.Ильницкий, Л.Н.Сафронов, О.В.Наумова, Ю.В.Настаушев, Т.А.Гаврилова, В.М.Кудряшов, Л.В.Литвин. Разработка нанотранзисторов на структурах кремний-на-изоляторе для нового поколения элементной базы микроэлектроники. Нанотехнологии в полупроводниковой электронике. Отв. Редактор А.Л. Асеев.- Новосибирск: Издательство СО РАН, 2004, с. 337-362
Доклады на конференциях
- Фомин Б.И., Овсюк В.Н., Шашкин В.В., Демьяненко М.А., Васильева Л.Л., Соловьев А.П. Неохлаждаемые микроболометрические матричные приемники ИК излучения на основе золь-гель VOx. 18 международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения. 25-28 мая 2004г., Москва, стр. 22
- О.В.Наумова, А.А.Французов, И.В.Антонова, В.П.Попов. Влияние имплантации водорода в кремний на свойства системы Si/SiO2. VII Всероссийскй семинара "Физические и физико–химические основы ионной имплантации Н.Новгород, октябрь, 2004, р.23
- Yu.V.Nastaushev, O.V.Naumova, F.N.Dultsev, L.V.Litvin, M.M.Kachanova, D.V.Sheglov, V.P.Popov, A.V.Latyshev, A.L.Aseev. Gate dielectric based on TiO2 for SOI nanodevices. Second Conference of the Asian Consortium for Computational Materials Science “ACCMS-2”, Novosibirsk, 2004, Abstracts, p. 135
- D.V.Sheglov, Yu.V.Nastaushev, E.E.Rodyakina, O.V.Naumova, I.V.Antonova, V.P.Popov, A.V.Latyshev, A.L.Aseev. AFM-tip induced nanolithography on ultra thin SOI for nanodevice fabrication. 12th International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, St Petersburg, Russia, 2004, pp.199-200
- I.V. Antonova, D.V.Nikolaev, O.V. Naumova, V.P. Popov. Comparison of electrical properties of silicon-on-insulator structures fabricated with use of hydrogen slicing and BESOI. Electrochem&Solid State Letters, 2004, v.7, n.3, F21-F23