ПУБЛИКАЦИИ



2018

Статьи в рецензируемых журналах

  1. Vladimir Popov, Mikhail Ilnitsky, Valentin Antonov, Vladimir Vdovin, Ida Tyschenko, Andrey Miakonkikh, Konstantin Rudenko. Ferroelectric properties of HfO2 interlayers in SOI and SOS pseudo-MOSFETs. 2018 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS). IEEE Xplore Digital Library, p. 1-4, 2018. DOI: 10.1109/ULIS.2018.8354731 https://ieeexplore.ieee.org/document/8354731/
  2. И.Е. Тысченко, Г.К. Кривякин, В.А. Володин. Ионный синтез кристаллической фазы Ge в пленках SiOxNy при отжиге под высоким давлением. ФТП, т. 52, в. 2, с. 280-284, 2018.
  3. I.E. Tyschenko, V.A. Volodin, A.G. Cherkov, V.P. Popov. InSb nanocrystals containing SOI structures: Preparation and properties. 2018 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS). IEEE Xplore Digital Library, p. 1-4, 2018. DOI: 10.1109/ULIS.2018.8354773 https://ieeexplore.ieee.org/document/8354773/
  4. И.Е. Тысченко, Э.Д. Жанаев, В.П. Попов. Энергия связи пластин кремния и сапфира при повышенных температурах соединения. ФТП, т. 53, №1, с. 65-69, 2019.
  5. Ida Tyschenko, Michel Vergnat, Hervé Rinnert, Vladimir Popov, Vladimir Volodin, Alexander Cherkov, Mathieu Stoffel. Raman shifts and photoluminescence of the InSb nanocrystals ion beam-synthesized in buried SiO2 layers. Journal of Luminescence, Vol. 204, Pp. 656-662, 2018. - Q1 https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022231318304095
  6. В.А. Антонов, И.А. Карташев, С.Н. Подлесный, В.П. Попов, Антонов В.А., Карташов И.А., Подлесный С.Н., Попов В.П., Шишаев А.В., Пальянов Ю.Н. ОДМР спектроскопия NV-центров окраски в искусственных алмазах. Известия РАН, серия физическая, 2018.
  7. К.В. Феклистов, А.Г. Черков, В.П. Попов, Л.И. Федина. Перераспределение атомов отдачи эрбия и кислорода и структура тонких приповерхностных слоев кремния, созданных высокодозной имплантацией аргона через поверхностные пленки Er и SiO2. Физика и техника полупроводников, том 52, выпуск 13, с. 1589-1596, 2018, DOI: 10.21883/FTP.2018.13.46872.8601. https://journals.ioffe.ru/articles/46872
  8. Kristina A. Malsagova, Tatyana O. Pleshakova, Rafael A. Galiullin, Ivan D. Shumov, Andrey F. Kozlov, Mikhail A. Ilnitskii, Alexander V. Glukhov, Vladimir A. Konev, Vladimir P. Popov, Alexander V. Latyshev, Alexander I. Archakov and Yuri D. Ivanov. Nanowire aptasensor for the detection of hepatitis C virus core antigen. Vir. Med., 2018
  9. Yuri D. Ivanov, Kristina A. Malsagova, Tatyana O. Pleshakova, Rafael A. Galiullin, Andrey F. Kozlov, Ivan D. Shumov, Alexander I. Archakov, Vladimir P. Popov, Alexander V. Latyshev, Konstantin V. Rudenko, Alexander V. Glukhov. Ultra-sensitive detection of 2,4-dinitrophenol using nanowire biosensor. Journal of Nanotechnology 2018, Article ID 9549853, 6 pages, https://doi.org/10.1155/2018/9549853
  10. V.P. Popov, V.A. Antonov, V.I. Vdovin, A.V. Miakonkikh, K.V. Rudenko. Ferroelectrical phase in the interface hafnia layer stabilized by biaxial stress in SOS structures. Solid-State Electronics. 2018.
  11. В.П. Попов, В.А. Антонов, В.И. Вдовин. Положительный заряд в КНС-гетероструктурах с межслойным оксидом кремния. Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, вып. 10, с.1220-1227. http://journals.ioffe.ru/articles/46465 DOI:10.21883/FTP.2018.10.46465.8844. // V. P. Popov, V. A. Antonov, and V. I. Vdovin. Positive Charge in SOS Heterostructures with Interlayer Silicon Oxide. Semiconductors, Vol.52, No.10, Pp.1341-1348, 2018. https://link.springer.com/article/10.1134%2FS1063782618100160
  12. B.H. Bairamov, V.V. Toporov, F.B. Bayramov, J.Holmi, H.Lipsanen, V.P. Popov, I.N. Kuprianov, Yu.N. Pal’anov, D. Braukmann, J. Debus, D.R. Yakovlev, and M. Bayer. Multiband resonant Raman scattering. Сибирский физический журнал. Том 13, № 3, с.73-76, 2018. http://www.phys.nsu.ru/vestnik/catalogue/2018/03/SJP_18T13V3_p73_p77.pdf.
  13. Vladimir Popov, Mikhail Ilnitsky, Valentin Antonov, Vladimir Vdovin, Ida Tyschenko, Andrey Miakonkikh, Konstantin Rudenko. Ferroelectric properties of HfO2 interlayers in SOI and SOS pseudo-MOSFETs. In: Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), 2018 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on, IEEE Xplore: 07 May 2018, DOI: https://doi.org/10.1109/ULIS.2018.8354731.
  14. K. A. Malsagova, T.O. Pleshakova , R.A. Galiullin, I.D. Shumov, M.A. Ilnitskii, A.V. Glukhov, V.P. Popov, A.I. Archakov, Yu.D. Ivanov. Ultrasensitive detection of HCVcoreAg by means of a nanowire aptasensor conjugated to a microwave generator. Anal. Methods, 2018, 10, 2740-2749, DOI:10.1039/C8AY00495A. http://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2018/ay/c8ay00495a#!divAbstract
  15. D. Braukmann, V. P. Popov, E. R. Glaser, T. A. Kennedy, M. Bayer, J. Debus. Anisotropies in the linear polarization of vacancy photoluminescence in diamond induced by crystal rotations and strong magnetic fields. Phys. Rev. B 97, 125426, 21 March 2018. Q1 https://doi.org/10.1103/PhysRevB.97.125426 arXiv:1612.02716v2 [cond-mat.mes-hall] 13 November 2017.
  16. K. A. Malsagova, T.O. Pleshakova, A.F. Kozlov, I, D. Shumov, M.A. Ilnitskii, A,V. Miakonkikh, V,P. Popov, K.V. Rudenko, A.V. Glukhov, I.N. Kupriyanov, N.D. Ivanova, A.E. Rogozhin, A.I. Archakov, and Y.D. Ivanov. Micro-Raman Spectroscopy for Monitoring of Deposition Quality of High-k Stack Protective Layer onto Nanowire FET Chips for Highly Sensitive miRNA Detection. Biosensors V. 8, N. 3, P. 72(10), 2018. https://doi.org/10.3390/bios8030072
  17. Ivanov, Yu., Pleshakova, T., Malsagova, K., Kozlov, A., Kaysheva, A., Shumov, I., Galiullin, R., Kurbatov, L., Popov, V., Naumova, O., Fomin, B., Nasimov, D., Aseev, A., Alferov, A., Kushlinsky, N., Lisitsa, A., Archakov, A., 2018a. Detection of marker miRNAs in plasma using SOI-NW biosensor. Sens. Actuat. B., 261, 566–571. DOI: 10.1016/j.snb.2018.01.153. Q1 https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0925400518301692
  18. Тарков М.С. Построение сети Хемминга на основе кроссбара с бинарными мемристорами // Прикладная дискретная математика, 2018, №40, с. 105-113.
  19. Т.В. Перевалов, В.А. Гриценко, Д.Р. Исламов, И.П. Просвирин, Электронная структура вакансий кислорода в, орторомбической нецентросимметричной фазе Hf0.5Zr0.5O2, Письма в ЖЭТФ, Т. 107, Вып. 1, С. 62-67, DOI: 10.7868/S0370274X18010113, 2018. URL: http://www.jetpletters.ac.ru/ps/2175/article_32603.shtml
  20. В.А. Гриценко, Т.В. Перевалов, В.А. Володин, В.Н. Кручинин, А.К. Герасимова, И.П. Просвирин, Строение и электронная структура нестехиометрического обогащенного металлом ZrOx, Письма в ЖЭТФ, Т. 108, Вып. 4, С. 230–235, 2018.
  21. V.A. Voronkovskii, V.S. Aliev, A.K. Gerasimova, D.R. Islamov, Influence of HfOx composition on hafnium oxide-based memristor electrical characteristics, Materials Research Express, V. 5, No. 1, P. 016402, DOI: 10.1088/2053-1591/aaa099, URL: http://iopscience.iop.org/article/10.1088/2053-1591/aaa099, 2018.
  22. T.V. Perevalov, D.R. Islamov, V.A. Gritsenko, I.P. Prosvirin, Electronic structure of stoichiometric and oxygen-deficient ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2, Nanotechnology, V. 29, No. 19, P. 194001, DOI: 10.1088/1361-6528/aaacb1, 2018.
  23. Т.В. Перевалов, Д.Р. Исламов, И.Г. Черных, Атомная и электронная структура собственных дефектов в Ta2O5: ab initio моделирование, Письма в ЖЭТФ, Т. 107, Вып. 12, С. 788–793, DOI: 10.7868/S0370274X18120056, 2018. URL: http://www.jetpletters.ac.ru/ps/2189/article_32816.shtml
  24. Д. Р. Исламов, В. А. Гриценко, В. Н. Кручинин, Е. В. Иванова, М. В. Заморянская, М. С. Лебедев, Эволюция проводимости и катодолюминесценции пленок оксида гафния при изменении концентрации вакансий кислорода, ФТТ, Т. 60, Вып. 10, С. 2006–2013, DOI: 10.21883/ftt.2018.10.46532.114, 2018. URL: https://journals.ioffe.ru/articles/46532
  25. Т.В. Перевалов, Моделирование атомной и электронной структуры вакансий и поливакансий кислорода в ZrO2, ФТТ, Т. 60, Вып. 3, С. 421-425, 2018, DOI: 10.21883/FTT.2018.03.45537.03D, URL: http://journals.ioffe.ru/articles/45537
  26. V.A. Gritsenko, T.V. Perevalov, V.A. Voronkovskii, A.A. Gismatulin, V.N. Kruchinin, V.Sh. Aliev, V.A. Pustovarov, I.P. Prosvirin, Y. Roizin, Charge transport and the nature of traps in oxygen deficient tantalum oxide, ACS Applied Materials & Interfaces, V. 10, Iss. 4, P. 3769–3775, DOI: 10.1021/acsami.7b16753, 2018.
  27. V.A. Gritsenko, Yu.N. Novikov, T.V. Perevalov, V.N. Kruchinin, V.Sh. Aliev, A.K. Gerasimova, S.B. Erenburg, S.V. Trubina, K.O. Kvashnina, I.P. Prosvirin, M. Lanza, Nanoscale potential fluctuations in zirconium oxide and the flash memory based on electron and hole localization, Advanced Electronic Materials, V. 4, Iss. 9, P. 1700592, DOI: 10.1002/aelm.201700592, 2018.
  28. T.V. Perevalov, V.A. Gritsenko, A.A. Gismatulin, V.A. Voronkovskii, A.K. Gerasimova, V.Sh. Aliev, I.A. Prosvirin, Electronic structure and charge transport in nonstoichiometric tantalum oxide, Nanotechnology, V. 29, N. 26, P. 264001, DOI: 10.1088/1361-6528/aaba4c, 2018.
  29. V.A. Gritsenko, V.A. Volodin, V.N. Kruchinin, T.V. Perevalov, A.K. Gerasimova, V.Sh. Aliev, I.P. Prosvirin, Nanoscale potential fluctuations in non-stoichiometrics tantalum oxide, Nanotechnology, V. 29, P. 452202, 2018.
  30. В.Н. Кручинин, В.А. Володин, Т.В. Перевалов, А.К. Герасимова, В.Ш. Алиев, В.А. Гриценко, Оптические свойства нестехиометрического оксида тантала TaOx (x < 5/2) по данным спектроэллипсометрии и комбинационного рассеяния, Оптика и спектроскопия, Т. 124, Вып. 6, С. 777–782, 2018.
  31. K.V. Egorov, D.S. Kuzmichev, A.A. Sigarev, D.I. Myakota, S.S. Zarubin, P.S. Chizov, T.V. Perevalov, V.A. Gritsenko, C.S. Hwang, A.M. Markeev, Hydrogen radical enhanced atomic layer deposition of TaOx: saturation studies and methods for oxygen deficiency control, Journal of Materials Chemistry C, V. 6, P. 9667–9674, DOI: 10.1039/c8tc00679b, 2018.
  32. А.А. Карпушин, В.А. Гриценко, Электронная структура SiOx переменного состава, Письма в ЖЭТФ, Т. 108, Вып.2, С. 114–118, 2018.
  33. В.А. Володин, В.А. Гриценко, A. Chin, Локальные колебания связей кремний-кремний в нитриде кремния, Письма в ЖТФ, Т. 44, Вып. 10, С. 37–45, 2018.
  34. В.A. Гриценко, Ю.Н. Новиков, A. Сhin, Ближний порядок, транспорт заряда в SiOx: эксперимент и численное моделирование, Письма в ЖТФ, Т. 44, Вып. 12, С. 81–88, 2018.
  35. С.Б. Эренбург, С.В. Трубина, К.О. Квашнина, В.Н. Кручинин, В.А. Гриценко, А.Г. Черникова, А.М. Маркеев, Ближний порядок в аморфном и кристаллическом сегнетоэлектрическом Hf0.5Zr0.5O2, ЖЭТФ, Т. 153, Вып. 6, С. 982–991, 2018.

ПУБЛИКАЦИИ В СМИ

Попов Владимир Павлович:

Владимир Попов о транзисторах с несколькими атомами примеси
https://old.computerra.ru/interactive/551647/

Исламов Дамир Ревинирович:

Может ли перестать выполняться закон Мура?
http://www.sbras.info/public-reception/question/mozhet-li-perestat-vypolnyatsya-zakon-mura

Разработка учёных ИФП СО РАН поможет приблизить компьютеры к человеческому мозгу
http://www.sib-science.info/ru/institutes/vpered-k-sovershennoy-12052016

Вперёд, к совершенной памяти
http://www.sbras.info/articles/science/vpered-k-sovershennoi-pamyati

Новосибирский ученый рассказал о компьютерах будущего
http://www.sib-science.info/ru/institutes/kak-budut-vyglyadet-i-rabotat-26032016

Как будут выглядеть и работать компьютеры будущего рассказал новосибирский ученый
http://svidetel24.info/archives/32231

Молодые учёные Бердска отмечают 50-летие Института физики полупроводников СО РАН
http://svidetel24.info/archives/5882

Тарков Михаил Сергеевич:

Решение задачи коммивояжера с использованием рекуррентной нейронной сети // М.С. Тарков (CUDA Альманах - октябрь 2015)
http://www.nvidia.ru/docs/IO/141194/NvidiaCUDA_almanac_OCT.pdf

Нейросетевой параллельный алгоритм слежения за объектом в реальном времени // М. С. Тарков, С. В. Дубынин (CUDA Альманах - июль 2014)
https://www.nvidia.ru/docs/IO/141194/CUDA-альманах-July-2014.pdf

Навстречу искусственному интеллекту (газета "Известия")
http://izvestia.ru/news/576462

ПУБЛИКАЦИИ



2016

Монографии

  1. V.A. Gritsenko. “Silicon Nitride on Si: Electronic Structure for Flash Memory Devices” - chapter in book “Thin Films on Si: Electronic and Photonic Applications”. 2016 - p.273-322 ’’World Scientific Press”.

Статьи в рецензируемых журналах

  1. V.A. Anikin, A.M. Borisov, V.A. Kazakov, E.S. Mashkova, Yu.N. Palyanov, V.P. Popov, E.A. Shmytkova, S.K. Sigalaev. Diamond single crystal-surface modification under high-fluence ion irradiation. Journal of Physics: Conference Series. 2016, vol. 747, р.012025(6).
  2. K.V. Feklistov, A.G.Cherkov, V.P.Popov. Silicon shallow doping by erbium and oxygen recoils implantation. Solid State Communications. 2016,vol. 242, pp. 41–45.
  3. В. П. Попов, М. А. Ильницкий, Е.Д. Жанаев, А.В. Мяконьких, К.В. Руденко, А.В. Глухов. Биосенсорные свойства КНИ нанопроволочных транзисторов с защитным слоем диэлектрика Al2O3, нанесенным методом плазменно-стимулированного атомно-слоевого осаждения. ФТП, 2016, том 50, №5, с. 643-649. // V.P. Popov, M.A. Ilnitskii, E.D. Zhanaev, A.V. Myakon’kich, K.V. Rudenko, A.V. Glukhov. Biosensor properties of SOI nanowire transistors with PEALD Al2O3 dielectric protective layer. Semiconductors, 2016, vol. 50, no. 5, pp 632-638.
  4. Н.Н.Андрианова, А.М.Борисов, В.А.Казаков, Е.С.Машкова, Ю.Н.Пальянов, Е.А.Питиримова, В.П.Попов, Р.Н.Ризаханов, С.К.Сигалаев. Графитизация поверхности алмаза при высокодозной ионной бомбардировке. Известия Российской академии наук. Сер. Физическая, 2016, том 80, № 2, с. 180–185. // N. N. Andrianova, A. M. Borisov, V. A. Kazakov, E. S. Mashkova, Yu. N. Palyanov, E. A. Pitirimova, V. P. Popov, R. N. Rizakhanov, and S. K. Sigalaev. Graphitization of a Diamond Surface upon High_Dose Ion Bombardment. Bulletin of the Russian Academy of Sciences. Physics, 2016, Vol. 80, No. 2, pp. 156–160.
  5. S. Rubanov, A. Suvorova, V.P. Popov, A.A. Kalinin, Yu.N. Palyanov. Fabrication of Graphitic Layers in Diamond Using FIB Implantation and High Pressure High Temperature Annealing . Diamond and Related Materials, 2016, vol. 63, p.143-147.
  6. V.P. Popov, M.A. Ilnitskii, G.P. Pokhil, A.I. Titov, P.A. Karaseov, K.V. Karabeshkin, Yu.N. Pal’yanov, S. Rubanov. Ranges of 10 - 350 keV hydrogen and H2 ions in (111) diamond. Nuclear Instruments and Methods in Physical Research B, (принята в печать).
  7. Т.В. Перевалов, Д.Р. Исламов, А.А Сараев. Атомная и электронная структура поливакансий кислорода в анатазе, Письма в ЖТФ 2016, т.42, №11, стр.97-104.
  8. V.A. Gritsenko, T.V. Perevalov, D.R. Islamov, Electronic properties of hafnium oxide: A contribution from defects and traps, Physics Reports, 2016, v.613, p.1-20.
  9. V.A. Pustovarov, Т.P. Smirnova, M.S. Lebedev, V.A. Gritsenko, M. Kirm. Intrinsic and defect related luminescence in double oxide films of Al–Hf–O system under soft X-ray and VUV excitation. Journal of Luminescence, 2016, v.170, pp.161-167.
  10. V.V. Kaichev, T.P. Smirnova, L.V. Yakovkina, E.V. Ivanova, M.V. Zamoryanskaya, A.A. Saraev, V.A. Pustovarov, T.V. Perevalov, V.A. Gritsenko, Structure, chemistry and luminescence properties of dielectric LaxHf1-xOy films, Materials Chemistry and Physics 2016, v.175, p.200-205.
  11. D.R. Islamov, V.A. Gritsenko, T.V. Perevalov, O.M. Orlov, G. Ya. Krasnikov, The charge transport mechanism and electron trap nature in thermal oxide on silicon, Appl. Phys. Lett. 2016, v.109, p.052901.
  12. V.A. Gritsenko, T.V. Perevalov, O.M. Orlov, G. Ya. Krasnikov, Nature of traps responsible for the memory effect in silicon nitride, Appl. Phys. Lett. 2016, v.109, 062904.
  13. О. М. Орлов, Д. Р. Исламов, А. Г. Черникова, М. Г. Козодаев, А. М. Маркеев, Т. В. Перевалов, В. А. Гриценко, Г.Я. Красников, Транспорт заряда в тонких слоях сегнетоэлектрического Hf0.5Zr0.5O2, Микроэлектроника, 2016, т.45, №5, стр.379-385.
  14. V.A. Gritsenko, D. R. Islamov, T. V. Perevalov, V. Sh. Aliev, A. P. Yelisseyev, E. E. Lomonova, V. A. Pustovarov, A. Chin, Oxygen vacancy in hafnia as a blue luminescence center and a trap of charge carriers, J. Phys. Chem., 2016, v.120, №36, p.19980–19986.
  15. D. R. Islamov, V. A. Gritsenko, T. V. Perevalov, O. M. Orlov, and G. Ya. Krasnikov, Charge transport mechanism of stress induced leakage current in thermal silicon oxide, ECS Transactions, 2016, v.75, №5, p.57-62.
  16. A. A. Chernov, D. R. Islamov, A. A. Pik’nik, T. V. Perevalov, and V. A. Gritsenko, Three-dimensional non-linear complex model of dynamic memristor switching, ECS Transactions, 2016, v.75, accepted.
  17. D. R. Islamov, A. G. Chernikova, M. G. Kozodaev, T. V. Perevalov, V. A. Gritsenko, O. M. Orlov, A. V. Markeev, Leakage Currents Mechanism in Thin Films of Ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2, ECS Transactions, 2016, v.75, accepted.
  18. T. V. Perevalov, D. R. Islamov, V. A. Gritsenko, A. A. Saraev, Electronic Structure of Oxygen Deficient Noncentrosymmetric Orthorhombic Hf0.5Zr0.5O2, ECS Transactions, 2016, v.75, №5, p.227-233.
  19. D. R. Islamov, V. N. Kruchinin, V. Sh. Aliev, T. V. Perevalov, V. A. Gritsenko, I. P. Prosvirin, O. M. Orlov, A. Chin, Potential Fluctuation in RRAM Based on Non-Stoichiometric Hafnium Sub-Oxides, Advances in Science and Technology, 2016, v.99, p.69-74.
  20. Д. Р. Исламов, А. Г. Черникова, М. Г. Козодаев, А. М. Маркеев, Т. В. Перевалов, В. А. Гриценко, О. М. Орлов, Механизм транспорта заряда в тонких пленках аморфного и сегнетоэлектрического Hf0.5Zr0.5O2, Письма в ЖЭТФ, 2015, т.102, №8, с.610-614.
  21. В. А. Гриценко, Д. Р. Исламов, О. М. Орлов, Г. Я. Краснико, Е. Н. Морозов, Механизм транспорта электронов и природа ловушек в тонких слоях термического оксида на кремнии после протекания заряда, Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника, 2015, т.4(160), с.52-61.
  22. A. A. Chernov, A. A. Pil’nik, D. R. Islamov, Initial stage of nucleation-mediated crystallization of a supercooled melt, Journal of Crystal Growth, 2016, v.450, p.45-49.
  23. A. A. Chernov, A. A. Pil’nik, D. R. Islamov, Non-linear memristor switching model, Journal of Physics: Conference Series, 2016, v.754, №10, p.102001.
  24. Ю.Н. Новиков, В.А. Гриценко, Г.Я. Красников, О.М. Орлов, ФЛЭШ память, основанная на мультиграфене, Микроэлектроника, 2016, т.45, №1, стр.66-71.
  25. Ю.Н. Новиков, В.А. Гриценко, Релаксация тока в Si3N4: эксперимент и численное моделирование, ФТТ (принято в печать).
  26. Tarkov M.S. Oscillatory neural associative memories with synapses based on memristor bridges. Optical Memory and Neural Networks (Information Optics), 2016, vol. 25, No. 4.
  27. I.E. Tyschenko, V.A. Volodin, A.G. Cherkov. Enhanced germanium precipitation and nanocrystal growth in the Ge+ ion-implanted SiO2 films during high-pressure annealing. Solid State Commun. 2016, v. 247, p. 53-57.

ПУБЛИКАЦИИ



2017

Монографии

  1. В. А. Гриценко, Д. Р. Исламов. Физика диэлектрических пленок: механизмы транспорта заряда и физические основы приборов памяти. Отв. Ред. В.А. Гриценко. Новосибирск: Параллель. 2017. 352 с. ISBN: 978-5-98901-198-8
  2. I.E. Tyschenko, V.P. Popov. “Silicon-on-insulator structures produced by ion-beam synthesis and hydrogen transfer” in book “Advances in semiconductor nanostructures” ed. by Alexander V. Latyshev, Anatoliy V. Dvurechenskii, Alexander L. Aseev.. Elsevier, 552 p., 2017, 409-436. ISBN: 978-0-12-810512-2.
  3. D.R. Islamov, T.V. Perevalov, V.A. Gritsenko, V. Sh. Aliev, A.A. Saraev, V.V. Kaichev, E.V. Ivanova, M.V. Zamoryanskaya, A. Chin. “The Nature of Defects Responsible for Transport in a Hafnia-Based Resistive Random Access Memory Element” Advances in “Semiconductor Nanostructures Growth, Characterization, Properties and Applications” ed. by Alexander V. Latyshev, Anatoliy V. Dvurechenskii, Alexander L. Aseev. Elsevier. 2017. p. 493-504. ISBN: 978-0-12-810512-2.

Статьи в рецензируемых журналах

  1. V.P. Popov, V.A. Antonov, V.I. Vdovin, A.V. Miakonkikh, K.V. Rudenko. Positive charge compensation with interface HfO2 layer in SOS structures formed by silicon layer transfer on c-sapphire. Nanotechnology: Focus on Electronics, Photonics and Renewable Energy. presented at November 2017.
  2. K. A. Malsagova, T.O. Pleshakova , R.A. Galiullin, I.D. Shumov, M.A. Ilnitskii, A.V. Glukhov, V.P. Popov, A.I. Archakov, Yu.D. Ivanov. Highly sensitive detection of HCVcoreAg by means of a nanowire aptasensor conjugated to a microwave generator. Journal: Proteomes Manuscript ID: proteomes-248091, presented at November 2017.
  3. D. Braukmann, V. P. Popov, E. R. Glaser, T. A. Kennedy, M. Bayer, J. Debus. Anisotropies in the linear polarization of vacancy photoluminescence in diamond induced by crystal rotations and strong magnetic fields. arXiv:1612.02716v2 [cond-mat.mes-hall], Phys.Rev.B presented at 2017.
  4. M. Ilnitskii, A. Miakonkikh, K. Malsagova, V. Popov, Yu. Ivanov, T. Pleshakova, A. Archakov, K. Rudenko, A. Glukhov, A. Rogozhin. High-K stack protected nanowire fet chips for biosensing application. High-k stack protected nanowire FET chips for biosensing application. Microelectronics Engineering, presented at October 2017.
  5. А. М. Борисов, В. А. Казаков, Е. С. Машкова, М. А. Овчинников, Ю. Н. Пальянов, В. П. Попов, Е. А. Шмыткова. Оптические и электрические свойства cинтетического монокристалла алмаза при высокодозном ионном облучении. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2017, № 6, с. 49–55.
  6. М.В. Тареева, В.А. Антонов, В. П.Попов, Ю.Н. Пальянов, К.А. Царик, А.О. Литвинова. Комбинационное рассеяние света в субмикронной алмазной мембране полученной методом переноса водородом. Краткие сообщения по физике ФИАН, 2017, т.44, № 7, c.40-46. // M. V. Tareeva, V. A. Antonov, V. P. Popov, Yu.N. Palyanov, K. A. Tsarik, and A. O. Litvinova. Raman Scattering in the Submicrometer Diamond Membrane Formed by the Lift-Off Technique. Bulletin of the Lebedev Physics Institute, 2017, Vol. 44, No. 7, pp. 210–214.
  7. V.P. Popov, M.A. Ilnitskii, G.P. Pokhil, A.I. Titov, P.A. Karaseov, K.V. Karabeshkin, Yu.N. Pal’yanov, S. Rubanov. Ranges of 10 - 350 keV hydrogen and H2 ions in (111) diamond. Nuclear Instruments and Methods in Physical Research B, Vol.406, pp.634-637, 2017. DOI:10.1016/j.nimb.2016.12.020.
  8. И. Е. Тысченко, А.Г. Черков, В.А. Володин, M. Voelskow. Особенности ионно-лучевого синтеза нанокристаллов Ge в тонких пленках SiO2. ФТП, т. 51, в. 9, 2017, с. 1289-1294.
  9. И.Е. Тысченко, А.Г. Черков. Диффузионно-контролируемый рост нанокристаллов Ge в пленках SiO2 в условиях ионного синтеза под высоким давлением. ФТП, т. 51, в. 10, 2017, с. 1414-1419.
  10. И.Е. Тысченко, Г.К. Кривякин, В.А. Володин. Ионный синтез кристаллической фазы Ge в пленках SiOxNy при отжиге под высоким давлением. ФТП, т. 52, в. 2, 2018, с. 280-284.
  11. Тарков М.С. Редукция связей автоассоциативной памяти Хопфилда // Прикладная дискретная математика, 2017, №37, с. 107-113.
  12. D.R. Islamov, V.A. Gritsenko, M.S. Lebedev, Determination of trap density in hafnia films produced by two atomic layer deposition techniques, Microelectronic Engineering, 2017, v. 178, p. 104-107. http://dx.doi.org/10.1016/j.mee.2017.05.004
  13. T.V. Perevalov, D.R. Islamov, Atomic and electronic structure of oxygen polyvacancies in ZrO2, Microelectronic Engineering, 2017, v. 178, p. 275-278. http://dx.doi.org/10.1016/j.mee.2017.05.036
  14. Д.Р. Исламов, В.А. Гриценко, А. Чин, О транспорте заряда в тонких пленках оксидов гафния и циркония, Автометрия, 2017, Т. 53, № 2, С. 102-108. DOI:10.15372/AUT20170212
  15. A.A. Chernov, D.R. Islamov, A.A. Pik’nik, T.V. Perevalov, V.A. Gritsenko, Three-dimensional non-linear complex model of dynamic memristor switching, ECS Transactions, 2017, v. 75, iss. 32, p. 95-104. DOI: 10.1149/07532.0095ecst
  16. D.R. Islamov, V.A. Gritsenko, M.S. Lebedev, Determination of Trap Density in Hafnium Oxide Films Produced by Different Atomic Layer Deposition Techniques. ECS Transactions, 2017, v. 80, iss. 1, p. 265-270. DOI:10.1149/08001.0265ecst
  17. T.V. Perevalov, D.R. Islamov, Oxygen Polyvacancies as Conductive Filament in Zirconia: First Principle Simulation, ECS Transactions, 2017, v. 80, iss. 1, p. 357-262. DOI:10.1149/08001.0357ecst
  18. D.R. Islamov, O.M. Orlov, V.A. Gritsenko, G. Ja. Krasnikov, The Charge Trap Density Evolution in Wake-up and Fatigue Modes of FRAM, ECS Transactions, 2017, v. 80, iss. 1, p. 279-281. DOI:10.1149/08001.0279ecst
  19. D.R. Islamov, A.G. Chernikova, M.G. Kozodaev, A. M. Markeev, T.V. Perevalov, V.A. Gritsenko, O.M. Orlov, Leakage currents mechanism in thin films of ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2, Journal of Physics: Conference Series, 2017, v. 864, p. 012002. DOI: 10.1088/1742-6596/864/1/012002
  20. D.R Islamov, V.A. Gritsenko, T.V. Perevalov, O.M. Orlov, G.Ya. Krasnikov, Mechanism of charge transport of stress induced leakage current and trap nature in thermal oxide on silicon, Journal of Physics: Conference Series, 2017, v. 864, p. 012003. DOI: 10.1088/1742-6596/864/1/012003
  21. T.V. Perevalov, D.R. Islamov, Oxygen polyvacancy in anatas as a filament: first principle investigation, Journal of Physics: Conference Series, 2017, v. 864, p. 012084. DOI: 10.1088/1742-6596/864/1/012084vD.R. Islamov, A.G. Chernikova, M.G. Kozodaev, T.V. Perevalov, V.A. Gritsenko, O.M. Orlov, A.V. Markeev, Leakage Currents Mechanism in Thin Films of Ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2, ECS Transactions, 2017, v.75, iss. 32, p. 123-129. DOI: 10.1149/07532.0123ecst
  22. A.A. Chernov, A.A. Pil’nik, D.R. Islamov, Bulk Crystallization of Supercooled Metal Films, ECS Transactions, 2017, v. 75, iss. 30, p. 33-37. DOI: 10.1149/07530.0033ecst
  23. В.А. Гриценко, Горячие электроны в оксиде кремния, УФН, 2017, Т. 187, С. 971-979. DOI: 10.3367/UFNr.2016.12.038008, URL: https://ufn.ru/ru/articles/2017/9/c/
  24. Т.В. Перевалов, Моделирование атомной и электронной структуры вакансий и поливакансий кислорода в ZrO2, Физика твердого тела, 2018, Т. 60, Вып. 3. Принята к печати.
  25. Ю.Н. Новиков “Дырочно-стимулированный перенос ловушек в диэлектриках” Письма в ЖЭТФ, том 105, вып. 10, с. 605 – 609 (2017)

ПУБЛИКАЦИИ



2015

Монографии

  1. В.А. Гриценко, глава «Electronic structure of traps in silicon nitride for flash memory devices» в книге «Thin Films on Si: Electronic and Photonic Applications», издательство “World Scientific Press”, 2015.
  2. В.А. Гриценко, Т.В. Перевалов, монография «Физика диэлектрических пленок: атомная и электронная структура», издательство «Параллель», Новосибирск, 2015.

Статьи в рецензируемых журналах

  1. K. A. Malsagova, Yu. D. Ivanov, T. O. Pleshakova, A. L. Kaysheva, I. D. Shumov, A. F. Kozlov, A. I. Archakov, V. P. Popov, B. I. Fomin, A.V.Latyshev. SOI-nanowire biosensor for the multiple detection of D-NFATc1 protein in the serum. Analytical Methods, 2015, 7, pp. 8078-8085.
  2. В.Наумова, Э.Г.Зайцева, Б.И.Фомин, М.А.Ильницкий, В.П.Попов. Зависимость подвижности электронов в режиме обогащения от их плотности в полностью обедняемых пленках кремний-на-изоляторе. ФТП, 2015, том 49, выпуск 10, 1360-1366. // O.V. Naumova, E.G. Zaitseva, B.I. Fomin, M.A. Ilnitsky, V.P. Popov. Electron mobility in accumulation as function of their density for fully depleted SOI films. Semiconductors, vol. 49, no. 10, pp. 1316–1332, 2015.
  3. Rubanov, A. Suvorova, V.P. Popov, A.A. Kalinin, Yu.N. Palyanov. Fabrication of Graphitic Layers in Diamond Using FIB Implantation and High Pressure High Temperature Annealing . Diamond and Related Materials, 2015, DOI:10.1016/j.diamond.2015.11.017 .
  4. В. Феклистов, Д.С. Абрамкин, В.И. Ободников, В.П. Попов. Легирование кремния эрбием методом имплантации атомов отдачи. // Письма в ЖТФ, 2015, том 41, вып. 16, с.52-60. // K.V. Feklistov, D.S. Abramkin, V.I. Obodnikov, V.P. Popov Doping Silicon with Erbium by Recoil Implantation. Technical Physics Letters, 2015, Vol. 41, No. 8, pp. 788–792.
  5. Н. Андрианова, А.М. Борисов, В.А. Казаков, Е.С. Машкова, В.П. Попов, Ю.Н.Пальянов, Р.Н. Ризаханов, С.К. Сигалаев. Комбинационное рассеяние света и фотолюминесценция алмаза после ионно-лучевой обработки при повышенной температуре. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2015, №4, с. 34-37.
  6. P. Popov, A.K. Gutakovskii, V.A. Antonov, S.N. Podlesnyi, I.N. Kupriyanov, Yu.N. Palyanov, and S.V. Rubanov. High-Quality Single-Crystal Diamond-Graphite-Diamond Membranes and Devices. Int. J. Nanotechnology, 2015, vol.12, no.3-4, pp. 226-237.
  7. N. Kruchinin, V.Sh. Aliev, T.V. Perevalov, D.R. Islamov, V.A. Gritsenko, I.P. Prosvirin, C.H. Cheng, A. Chin. Nanoscale potential fluctuation in nonstoichiometric HfOx and low resistive transport in RRAM. Microelectronic Engineering, 2015, v.147, pp.165-167.
  8. Damir R. Islamov, Vladimir A. Gritsenko, and Timofey V. Perevalov. (Invited) The Influence of Defects on the Electronic Properties of Hafnia. ECS Transactions, 2015, v.69, iss.5, pp.197-203.
  9. Oleg M. Orlov, Gennady Ja. Krasnikov, Vladimir A. Gritsenko, Vladimir N. Kruchinin, Timofey V. Perevalov, Vladimir Sh. Aliev, Damir R. Islamov, and Igor P. Prosvirin. Nanoscale Potential Fluctuation in Non-Stoichiometric Hafnium Suboxides. ECS Transactions, 2015, v.69, iss.5, pp.237-241.
  10. D.R. Islamov, T.V. Perevalov, V.A. Gritsenko, C.H. Cheng, and A. Chin. Charge transport in amorphous Hf0.5Zr0.5O2. Applied Physics Letters, 2015 v.106, iss.10, eid 102906.
  11. Д.Р. Исламов, А.Г. Черникова, М.Г. Козодаев, А.М. Маркеев, Т.В. Перевалов, В.А. Гриценко, О.М. Орлов. Механизм транспорта заряда в тонких пленках аморфного и сегнетоэлектрического Hf0.5Zr0.5O2. Письма в ЖЭТФ, 2015, т.102, №8, с.610-614. [D.R. Islamov, A.G. Chernikova, M.G. Kozodaev, A.M. Markeev, T.V. Perevalov, V.A. Gritsenko, and O.M. Orlov. Charge Transport Mechanism in Thin Films of Amorphous and Ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2. JETP Letters, 2015, v.102, iss.8, pp. 544-547].
  12. Д.В. Гуляев, Т.В. Перевалов, В.Ш. Алиев, К.С. Журавлев, В.А. Гриценко, А.П. Елисеев, А.В. Заблоцкий. Происхождение синей полосы люминесценции в оксиде циркония. ФТТ, 2015, т.57, №7, с.1320-1324.
  13. E.V. Ivanova, M.V. Zamoryanskaya, V.A. Pustovarov, V.Sh. Aliev, V.A. Gritsenko, A.P. Yelisseyev. Cathodo- and photoluminescence rise in amorphous hafnium oxide at annealing in oxygen. ЖЭТФ, 2015, т.147, вып.4, с.820-826.
  14. Ю. Н. Новиков, В. А. Гриценко, Г. Я. Красников, О. М. Орлов. Флэш память, основанная на мультиграфене. Микроэлектроника, 2015, том 44, № 6, с. 1–6.
  15. Yu.N. Novikov, Charge transport-accumulation in multilayer structures with Si3N4 and thick (5.5 nm) SiO2. Journ. Appl. Phys. 2015, vol.117, pp. 154103(6).
  16. Tarkov M.S. Solving the traveling salesman problem using a recurrent neural network // Numerical Analysis and Applications, 2015, Vol.8, No. 3, pp. 275-283.
  17. Кожушко О.А., Тарков М.С. Использование иерархической временной памяти для идентификации системы ранжирования документов // Проблемы информатики, 2015, №1, С.47-54.
  18. Тарков М.С. Решение задачи коммивояжера с использованием рекуррентной нейронной сети // Сибирский журнал вычислительной математики, 2015, №3, С. 331-340.
  19. Кожушко О.А., Тарков М.С. Регрессионный анализ алгоритма ранжирования результатов текстового поиска с помощью нейронных сетей // Известия ТПУ, 2015, т. 326, №7, С. 36-43.
  20. Tarkov M.S. Mapping weight matrix of a neural network’s layer onto memristor crossbar // Optical Memory and Neural Networks (Information Optics), 2015, Vol. 24, No. 2, pp.109-115.
  21. В.А. Гриценко, Д.Р. Исламов, О.М. Орлов, Г.Я. Красников, Е.Н.Морозов. Механизм транспорта электронов и природа ловушек в тонких слоях термического оксида на кремнии после протекания заряда. Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника, 2015, т.4(160), с.52-61.
  1. 1976
  2. 1977
  3. 1980
  4. 1982