ПУБЛИКАЦИИ

2001

1. Alperovich V.L., Tereshchenko O.E., Litvinov A.N., Terekhov A.S. Evolution of interface excitations under phase transition in two-dimensional layer of Cs on GaAs(100) and (111). Appl. Surf. Sci., 2001, Vol. 175-176, pp 176-181.
2. O.E. Tereshchenko, D.V. Daineka, D. Paget, Metallicity and disorder at the alkali-metal/GaAs(100) interface. Phys.Rev. B, 2001, V.64, p.085310.
3. D.V. Daineka, O.E. Tereshchenko and D. Paget. Modulated photovoltage changes at the nonmetal-metal transition of the Na/GaAs(001) and K/GaAs(001) interfaces. Surface Science (488)1-2 (2001) p. 193-206.
4. D.A.Orlov, M.Hoppe, U.Weigel, D.Schwalm, A.S.Terekhov, A.Wolf. Energy distributions of electrons emitted from GaAs(Cs,O). Appl. Phys. Lett. 2001, v. 78, No. 18, p. 2721.
5. Бригинец В.А., Ярошевич А.С., Терехов А.С. Система автоматизированного проектирования ЭОП с параллельным переносом изображения на основе библиотеки параметризованных узлов. Оптико-электронные системы визуализации и обработки изображений. 2001, вып. 1, с. 139-150.
6. Альперович В.Л., Болховитянов Ю.Б., Чикичев С.И., Паулиш А.Г., Терехов А.С., Ярошевич А.С. Эпитаксиальный рост, электронные свойства и фотокатодные применения напряженных псевдоморфных слоев InGaAsP/GaAs. ФТП 2001, т. 35, №9, с. 1102-1110.

Труды конференций

1. T. Nishitani, O. Watanabe, T.Nakanishi, S. Okumi, K. Togawa, C. Suzuki, F. Furuta, K. Wada, M. Yamamoto, J. Watanabe, S. Kurahashi, M. Miyamoto, H. Kobayakawa, Y. Takeda, S. Saka, K. Kato, A.K. Bakarov, A.S. Jaroshevich, H.E. Scheibler, A.I. Toropov, A.S. Terekhov. Development of spin polarized electron photocathodes: GaAs-GaAsP superlattice and GaAs-AlGaAs superlattice with DBR. Proc. 14th Int. Spin Physics Symposium (SPIN 2000), Osaka, Japan, 16-21 October 2000, ed. by K. Hatanaka et al., 2001 AIP Conference Proceedings, 570 (2001) p. 1021-1023.
2. D.A. Orlov, U. Weigel, M. Hoppe, D. Schwalm, A.S. Terekhov, A. Wolf. Longitudinal and transverse energy distributions of electrons emitted from GaAs(Cs,O). Proc. 14th International Spin Physics Symposium (SPIN 2000), Osaka, Japan, 16-21 October 2000, AIP Conference Proceedings, 570 (2001) p. 912-915.

Тезисы докладов

1. В.Л. Альперович, В.С. Воронин, А.Г. Паулиш, Н.С. Рудая, О.Е. Терещенко, А.С. Терехов, Г.Э. Шайблер, М.В. Энтин. Эволюция одночастичных и коллективных электронных возбуждений при фазовом переходе в двумерных слоях цезия на поверхности GaAs. Тезисы докладов V Российской конференции по физике полупроводников, Нижний Новгород, 10-14 сентября 2001 г., с. 274.
2. А.С. Терехов, А.С. Ярошевич, А.Г. Паулиш, G. Lampel, Y. Lassailly, J. Peretti, T. Wirth. Инжекция предельно медленных спин-поляризованных электронов в p–GaAs(Cs,O). Тезисы докладов V Российской конференции по физике полупроводников, Нижний Новгород, 10-14 сентября 2001 г., с. 113.
3. O.E. Tereshchenko, A.S. Terekhov, D. Paget, P. Chiaradia, J.E. Bonnet, R. Belkhou, A. Taleb-Ibrahimi. Local structure of chemically prepared well-ordered GaAs(100) surfaces. Abstracts of the 20th European Conf. on Surf. Science (ECOSS 20), Krakow, Poland, September 4-7, 2001, p. 72.
4. O.E. Tereshchenko, V.S. Voronin, H.E. Scheibler, V.L. Alperovich, A.S. Terekhov. Structural and electronic transformations at the Cs/GaAs(100) interface. Abstracts of the 20th European Conf. on Surf. Science (ECOSS 20), Krakow, Poland, September 4-7, 2001, p. 128.
5. D.A. Orlov, U. Weigel, M. Hoppe, D. Schwalm, A.S. Terekhov, A. Wolf. Cold electrons from GaAs(Cs,O). 9th International Workshop on Polarized Sources and Targets, Nashville, USA, Sep. 30-Oct. 4, 2001, Book of Abstarcts (2001).
6. D.A. Orlov, U. Weigel, M. Hoppe, D. Schwalm, A. Wolf, A.S. Jaroshevich, A.S. Terekhov. Cold electrons from cryogenic GaAs photocathodes: Energetic and angular distributions. 3rd Euroconference on Atomic Physics at accelerators, Aarhus, Denmark, 8-13 September 2001, Book of Abstarcts (2001), Poster No.7.
7. F. Sprenger, G. Wissler, B. Lange, M. Hoppe, U.Weigel, D.A. Orlov, D. Schwalm, A. Wolf, A.S. Terekhov, A.S. Jaroshevich. The high-resolution electron-ion collision facility at the TSR. 3rd Euroconference on Atomic Physics at accelerators, Aarhus, Denmark, 8-13 September 2001; Book of Abstarcts (2001), Poster No.4.
8. U. Weigel, D.A. Orlov, M. Hoppe, A.S. Terekhov, A. Wolf, D. Schwalm. Cold electrons from cryogenic GaAs photocathodes: energetic and angular distributions. The Seventh European Conference on Atomic and Molecular Physics, Berlin, 2-6 April 2001. Europhysics Conference abstracts, v.25B (2001), p.69.
9. В.В. Бакин, В.С. Воронин, А.А. Пахневич, В.Э. Андреев, В.Л. Альперович, С.Н. Косолобов, Н.С. Рудая, А.С. Ярошевич, Г.Э. Шайблер, О.Е. Терещенко, А.С. Терехов. Разработка GaAs фотокатода с предельными характеристиками для фотоэлектронных телевизионных приборов. Тезисы докладов XII-ой научно-технической конференции "Пути развития телевизионных фотоэлектронных приборов и устройств на их основе", Санкт-Петербург, 27-29 июня 2001 г.

ПУБЛИКАЦИИ

2003

Статьи

1. В.В. Бакин, А.А.Пахневич, С.Н. Косолобов, Г.Э. Шайблер, А.С. Ярошевич, А.С. Терехов. Преломление термализованных электронов, баллистически эмитированных в вакуум из p+-GaAs-(Cs,O). Письма в ЖЭТФ, 2003, т.77, №4, с. 197-201.
2. O.E. Tereshchenko, D. Paget, P. Chiaradia, J.E. Bonnet, F. Wiame, and A. Taleb-Ibrahimi, Clean reconstructed InAs(100) surfaces using HCl/isopropanol wet treatments. Appl. Phys. Lett. 82, 4280 (2003).
3. D. Paget, O. E. Tereshchenko, A. B. Gordeeva, V. L. Berkovits, G. Onida, Origin of the broadening of surface optical transitions of As-rich and Ga-rich GaAs(001). Surf. Sci. 529, 204-214, (2003).
4. D. Paget, C. Hogan, V. L. Berkovits, and O. E. Tereshchenko, Surface versus bulk origin of the optical anisotropy of As-rich (001)GaAs and (001)Ga_1-xIn_xAs. Phys. Rev. B 67, 245313 (2003).
5. C. Hogan, D. Paget, O.E. Tereshchenko, and R.Del Sole, A RAS study of the adsorption of electronegative and electropositive elements on GaAs(001), Phys. Stat. Sol. (c) vol 0, 2976 (2003).
6. C. Hogan, D. Paget, O.E. Tereshchenko, L. Reining, and G. Onida, Early stages of cesium adsorption on the As-rich c(2x8) reconstruction of GaAs(001): II. Cs-induced optical anisotropy. Phys. Rev. B (2003), accepted.
7. V.L. Berkovits, D. Paget, A.V. Subashiev, O.E. Tereshchenko, Bulk-like behavior of the optical anisotropy of cation-rich (001) surfaces of Ga1-xInxAs alloys. Phys. Rev. B 69, 033305 (2004).
8. V.L. Alperovich, O.E. Tereshchenko, N.S. Rudaya, D.V. Sheglov, A.V. Latyshev, A.S. Terekhov, Surface passivation and morphology of GaAs(100) treated in HCl-isopropyl alcohol solution. Appl. Surf. Sci. (направлена в печать в 2003 г., будет опубликована в 2004 г.).
9. О.Е. Терещенко, Г.Э. Шайблер, А.С. Ярошевич, С.В. Шевелев, А.С. Терехов, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, А.И. Бесюлькин, Низкотемпературная методика очистки поверхности GaN(0001) для фотоэмиттеров с отрицательным электронным сродством. ФТТ (направлена в печать в 2003 г., будет опубликована в 2004 г.). (2003).
10. D.A. Orlov, U. Weigel, M. Hoppe, D. Schwalm, A.S. Jaroshevich, A.S. Terekhov and A.Wolf, "Cold electrons from Cryogenic GaAs Photocathodes: Energetic and Angular distributions" Hyperfine interactions, 146/147, 215 (2003).
11. D.A. Orlov, U. Weigel, D. Schwalm, A.S. Terekhov and A. Wolf, Ultra cold electron source with a GaAs-photocathode NIM A, 2003, to be published.
12. F. Sprenger, M. Lestinsky, D. Orlov, D. Schwalm, A. Wolf, The high resolution electron-ion collisions facility at TSR. NIM A, 2003, to be published.

Тезисы и труды конференций

1. В.В. Бакин, А.А.Пахневич, С.Н. Косолобов, Г.Э. Шайблер, С.В. Шевелев, А.С. Ярошевич, А.С. Терехов. Преломление и рассеяние термализованных фотоэлектронов на границе раздела p+-GaAs(Cs,O)-вакуум. Тезисы докладов VI Российской конференции по физике полупроводников. Санкт-Петербург, 27-31 октября 2003 г. с.142-143.
2. В.Л. Альперович, В.С. Воронин, А.Г. Журавлев, О.Е. Терещенко, Г.Э. Шайблер, А.С. Терехов. Цезий-индуцированные электронные состояния и плазмоны на поверхности полупроводников А3В5 . Тезисы докладов VI Российской конференции по физике полупроводников. Санкт-Петербург, 27-31 октября 2003 г. с.143-144.
3. О.Е. Терещенко Г.Э. Шайблер, А.С. Ярошевич, А.С. Терехов, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, А.И. Бесюлькин. Низкотемпературная методика приготовления поверхности GaN(0001). Тезисы докладов VI Российской конференции по физике полупроводников, Санкт-Петербург, 27-31 октября 2003 г. стр. 462-463.
4. O.E. Tereshchenko, Preparation of clean reconstructed III-V semiconductor surfaces using HCl-isopropanol wet treatment. Book of abstracts of the III International Seminar on Semiconductor Surface Passivation (SSP’2003), Ustron (Poland) 2003, p. 20 (приглашенный доклад).
5. V.V. Bakin, A.A Pakhnevich, V.E. Andreev, A.P. Smetannikov, A.S. Jaroshevich, H.E. Scheibler, A.S. Terekhov. Refraction and subthermal transverse energy of photoelectrons emitted from GaAs-(Cs,O). Book of abstracts of the workshop «Polarized Sources and Target» PST2003, Novosibirsk, 22-26 September 2003, p. 45.
6. O.E. Tereshchenko, A.A. Pakhnevich, H.E. Scheibler, A.S. Jaroshevich, S.V. Shevelev, A.S. Terekhov. GaN-(Cs,O) Photocathode For Polarized Electron Source. Book of abstracts of the workshop «Polarized Sources and Target» PST2003, Novosibirsk, 22-26 September 2003, p. 46.
7. G. Lampel, Y. Lassailly, J. Peretti, N. Rougemaille, T. Wirth, V.L. Alperovich, A.S. Jaroshevich, A.S. Terekhov. Polarized cathodoluminescence induced by very low energy spin-polarized electrons injected in p-GaAs(Cs,O). Book of abstracts of the Workshop «Polarized Sources and Target» PST2003, Novosibirsk, 22-26 September 2003, p. 33.
8. О.Е. Терещенко, Г.Э. Шайблер, А.С. Ярошевич, С.В. Шевелев, А.С. Терехов В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, А.И. Бесюлькин. Фотоприемник УФ-диапазона с GaN-(Cs) фотокатодом с отрицательным электронным сродством. Тезисы докладов Совещания “Актуальные проблемы полупроводниковой фотоэлектроники”, Новосибирск 28-31 августа, 2003 г., с. 35.
9. В.В.Бакин, А.А.Пахневич, А.П.Сметанников, В.Э.Андреев, С.Н.Косолобов, Г.Э.Шайблер, С.В.Шевелев, А.С.Ярошевич, А.С.Терехов. Физические явления, ограничивающие предел разрешения и квантовую эффективность GaAs-(Cs,O) фотокатода. Тезисы докладов Совещания “Актуальные проблемы полупроводниковой фотоэлектроники”, Новосибирск 28-31 августа, 2003 г., с. 68.
10. В.Л. Альперович, О.Е. Терещенко, В.С. Воронин, Н.С. Рудая, Г.Э. Шайблер, А.В. Латышев, Д.И. Щеглов, А.С. Терехов. Морфология, атомные реконструкции и электронные свойства поверхности GaAs(Cs,O) фотокатодов с предельными характеристиками. Тезисы докладов Совещания “Актуальные проблемы полупроводниковой фотоэлектроники”, Новосибирск 28-31 августа, 2003 г., с. 67.
11. О.Е. Терещенко, Г.Э. Шайблер, А.С. Ярошевич, А.С. Терехов. Приготовление поверхности GaN(0001) для фотоэмиттеров с ОЭС. Тезисы докладов II Всероссийской конференции “Нитриды галлия, индия, алюминия – структуры и приборы”, Санкт-Петербург 3-4 февраля 2003 г. стр.133-134.
12. О.Е. Терещенко, Г.Э. Шайблер, А.С. Ярошевич, С.В. Шевелев, А.С. Терехов В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, А.И. Бесюлькин. Фотоприемник УФ-диапазона с GaN-(Cs) фотокатодом с отрицательным электронным сродством. Тезисы докладов Совещания “Актуальные проблемы полупроводниковой фотоэлектроники”, Новосибирск 28-31 августа, 2003 г., с. 35.
13. В.А.Бригинец, С.Н.Косолобов, В.В.Хатункин, Г.Э.Шайблер, С.В.Шевелев, А.С.Ярошевич, А.С.Терехов. Автоматизация технологий проектирования и изготовления плоских электронно-оптических преобразователей. Тезисы докладов Совещания “Актуальные проблемы полупроводниковой фотоэлектроники”, Новосибирск 28-31 августа, 2003 г., с. 66.
14. В.Э.Андреев, А.А.Кравченко, Г.Э.Шайблер, А.С.Ярошевич, А.С. Терехов, А.С.Хохорин, Е.В.Дегтярев. Цифровые технологии измерения параметров электронно-оптических преобразователей. Тезисы докладов Совещания “Актуальные проблемы полупроводниковой фотоэлектроники”, Новосибирск 28-31 августа, 2003 г., с. 36.
15. С.Н.Косолобов, Г.Э.Шайблер, А.С.Ярошевич, А.С.Терехов, А.А.Падалица, А.А.Мармалюк, П.В.Булаев, Д.Б.Никитин. Использование оптических и фотоэлектрических явлений для бесконтактного измерения параметров фотокатодных гетероструктур, выращенных МОС-гидридной эпитаксией. Тезисы докладов Совещания “Актуальные проблемы полупроводниковой фотоэлектроники”, Новосибирск 28-31 августа, 2003 г., с. 70.

ПУБЛИКАЦИИ

2002

Опубликованные статьи

1. O.E. Tereshchenko, A.S. Terekhov, D. Paget, P. Chiaradia, J.E. Bonnet, R. Belkhou, A. Taleb-Ibrahimi, - Local structure of chemically prepared well-ordered GaAs(100) surface. Surf. Sci. 507-510, (2002) 411-416.
2. O.E. Tereshchenko, V.S. Voronin, H.E. Scheibler, V.L. Alperovich, and A.S. Terekhov, Structural and electronic transformation at Cs/GaAs(100) interface, Surf. Sci. 507-510, (2002) 51-56.

Доклады на конференциях, опубликованные в сборниках трудов конференций

1. D.A. Orlov, U. Weigel, M. Hoppe, D. Schwalm, A.S. Terekhov, A. Wolf. Cold electrons emitted from GaAs(Cs,O). Proc. of Ninth International Workshop Polarized Sources and Targets (PST 2001), Nashville, Indiana, USA, 30 September-4 October 2001, World Scientific Publishing Co. Pte. Ltd, New Jersey), 2002, p. 151-155.

Тезисы докладов

1. В.Л. Альперович, В.С. Воронин, А.Г. Паулиш, Н.С. Рудая, О.Е. Терещенко, А.С. Терехов, Г.Э. Шайблер, М.В. Энтин. Электронные состояния поверхности полупроводников А3В5 с адсорбированными слоями цезия. Материалы восьмой Российской конференции "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", Томск, 1-4 октября 2002 г., с. 152-153.
2. О.Е. Терещенко, В.Л. Альперович, Н.С. Рудая, А.В. Латышев, А.С. Терехов. Химически приготовленная атомно-гладкая поверхность GaAs(100): морфология, реконструкции и электронные свойства. Материалы восьмой Российской конференции "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", Томск, 1-4 октября 2002 г., с. 194-195.
3. С.Н. Косолобов, А.А. Кравченко, А.Г. Паулиш, С.В. Шевелев, В.В. Хатункин, А.С. Ярошевич, А.С. Терехов, С.А. Бабин, С.И. Каблуков, М.А. Рыбаков, А.А. Падалица, А.А. Мармалюк, П.В. Булаев, Д.Б.Никитин. Электронно-оптический преобразователь 4-го поколения с GaAs-фотокатодом и малошумящим полупроводниковым прострельным динодом. Тезисы докладов XVII Международной конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения, Москва, 27-31 мая 2002 г., с. 69.
4. А.С. Ярошевич, В.Э. Андреев, А.А Кравченко, Г.Э. Шайблер, А.С. Терехов, А.С. Хохорин, Е.В. Дегтярев. Автоматизированная система измерения параметров электронно-оптических преобразователей. Тезисы докладов XVII Международной конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения, Москва, 27-31 мая 2002 г., с. 72.
5. V.V. Bakin, A.A. Pakhnevich, A.S. Jaroshevich, H.E. Scheibler, A.S. Terekhov. Subthermal transverse energy of photoelectrons emitted from GaAs-(Cs,O) NEA photocathode at 77K. Book of abstracts of Workshop on Polarized Electron Sources and Polarimeters (PESP 2002), Danvers, MA, USA, 4-6 September 2002, p. 15.

ПУБЛИКАЦИИ

2004

Статьи, опубликованные и направленные в печать

1. V.L. Alperovich, O.E. Tereshchenko, N.S. Rudaya, D.V. Sheglov, A.V. Latyshev, A.S. Terekhov, Surface passivation and morphology of GaAs(100) treated in HCl-isopropyl alcohol solution. Appl. Surf. Sci. 2004, v. 235, pp. 249-259.
2. О.Е. Терещенко, В.Л. Альперович, А.С. Терехов, Уменьшение энергии связи атомов мышьяка на поверхности GaAs(100)-(2x4)/c(2x8) под влиянием адсорбированного цезия. Письма ЖЭТФ, 2004, т. 79, вып. 3, с. 163-167.
3. А.А. Пахневич, В.В. Бакин, Г.Э. Шайблер, С.В. Шевелёв, О.Е. Терещенко, А.С. Ярошевич, А.С. Терехов, Энергетическое распределение фотоэлектронов, эмитированных из p-GaN(Cs,O) с отрицательным электронным сродством. Письма в ЖЭТФ, 2004, т.79, вып. 10, с. 592-596.
4. О.Е. Терещенко, Г.Э. Шайблер, А.С. Ярошевич, С.В. Шевелев, А.С. Терехов, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, А.И. Бесюлькин, Низкотемпературная методика очистки поверхности GaN(0001) для фотоэмиттеров с отрицательным электронным сродством. ФТТ, 2004, т.46, с. 1881.
5. D.A.Orlov, U. Weigel, D.Schwalm, A.S.Terekhov, A.Wolf, Ultra-cold electron source with a GaAs-photocathode, Nuclear Instrum. and Methods A, 2004, v. 532, p. 418-421.
6. C. Hogan, D. Paget, O.E. Tereshchenko, L. Reining, and G. Onida, Early stages of cesium adsorption on the As-rich c(2x8) reconstruction of GaAs(001): II. Cs-induced optical anisotropy. Phys. Rev. B 2004, v. 69, p. 125332.
7. V.L. Berkovits, D. Paget, A.V. Subashiev, O.E. Tereshchenko, Bulk-like behavior of the optical anisotropy of cation-rich (001) surfaces of Ga1-xInxAs alloys. Phys. Rev. B, 2004, v. 69, p. 033305.
8. O.E. Tereshchenko, E. Placidi, D. Paget, P. Chiaradia, and A. Balzarotti, Well-ordered (100) InAs surfaces using wet chemical treatments, Surf. Sci. 2004, v. 510, p. 237.
9. V.L. Alperovich, A.S. Terekhov, A.S. Jaroshevich, G. Lampel, Y. Lassailly, J. Peretti, N. Rougemaille, T. Wirth. Polarized cathodoluminescence induced by low energy spin-polarized electrons injected in p-GaAs(Cs,O). Nuclear Instrum. and Methods A, 2005, v. 536, no. 3, pp. 302-307.
10. U. Weigel, D.A. Orlov, S.N. Kosolobov, D. Schwalm, A.S. Terekhov, A. Wolf, Cold intense electron beams from LN2-cooled GaAs-photocathodes, Nuclear Instrum. and Methods A, 2005, v. 536, p. 323-328.
11. D.A. Orlov, F. Sprenger, M. Lestinsky, U. Weigel, A.S. Terekhov, D. Schwalm, A. Wolf, Photocathodes as electron sources for high resolution merged beam experiments, Journal of Physics: Conference Series, 2005, v. 4, p. 290-295.
12. 12. A.A. Pakhnevich, A.V. Yazkov, V.V. Bakin, O.E. Tereshchenko, H.E. Scheibler, A.S. Jaroshevich, S.N. Kosolobov, A.S. Terekhov, Quality characterization of NEA-photocathode for PES by means of photoemission from defect states, Proc. Polarized Electron Sources and Polarimeters, Germany, Mainz, to be published (2005).
13. 13. D.A. Orlov, U. Weigel, M. Lestinsky, F. Sprenger, A.S. Terekhov, D. Schwalm, A. Wolf, Performance of the cold photocathode gun at the electron target of the Heidelberg TSR, Proc. Polarized Electron Sources and Polarimeters, Germany, Mainz, to be published (2005) 3&4.
14. O. E. Tereshchenko, V. L. Alperovich, A.G. Zhuravlev, A. S. Terekhov, D. Paget, Cesium-induced surface conversion: from As-rich to Ga-rich GaAs(001) at reduced temperatures, accepted for publication in Phys. Rev. B, 2005.

Тезисы и труды конференций

1. V.L. Alperovich, O.E. Tereshchenko, N.S. Rudaya, D.V. Sheglov, A.V. Latyshev, A.S. Terekhov. Atomically flat GaAs(001) surfaces with regular arrays of monatomic steps for nanotechnology. Proceedings 12th International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology", St Petersburg, Russia, 21-25 June, 2004, p. 203-204.
2. A.A. Pakhnevich, A.V. Yazkov, V.V. Bakin, O.E. Tereshchenko, H.E. Scheibler, A.S. Jaroshevich, S.N. Kosolobov, A.S. Terekhov, Quality characterization of NEA-photocathodes for PES by means of photoemission from defect states. Workshop on Polarized Electron Sources and Polarimeters - PESP-2004, Mainz, Germany, 7-9 October 2004 (приглашенный доклад).
3. В.Л. Альперович, Плазмоны в двумерных слоях щелочных металлов на поверхности полупроводников. Тез. докл. XV Уральской международной зимней школы по физике полупроводников, с. 50. Екатеринбург-Кыштым, 16-21 февраля 2004 (приглашенный доклад).