СОГЛАШЕНИЕ № 14.613.21.0039 О ПРЕДОСТАВЛЕНИИ СУБСИДИИ ОТ 11.11.2015 г.

ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014-2020 годы»

Создание новых лазерных сред на основе AlGaN гетероструктур, активированных дефектами; исследование их люминесцентных и генерационных свойств и разработка лазерных систем на этой основе сине-зеленого спектрального диапазона

Этап 1
Дата начала 1 этапа 11.11.2015
Дата завершения 1 этапа 31.12.2015

Целью проекта является исследование люминесцентных и генерационных свойств активных сред на основе AlGaN гетероструктур с дефектами при различных методах возбуждения (электронно-пучковое, оптическое) применительно к созданию на этой основе светоизлучающих структур для источников излучения когерентной и некогерентной природы, в том числе, с широкой полосой излучения в единичном излучающем элементе.

Целью первого этапа был выбор направления исследований. В рамках этапа в соответствии с плано-графиком работ был подготовлен промежуточный отчет об исследованиях (выполнении проекта), включающий: аналитический обзор информационных источников; определение проблем синтеза AlGaN/AlN структур; обоснование и выбор методов, средств синтеза и диагностики параметров AlGaN/AlN структур с дефектами; требования к источникам возбуждения AlGaN/AlN структур – электронным пучкам; анализ принципов и устройств генерации электронных пучков; оценку возможных вариантов построения источников электронных пучков, адаптированных для возбуждения полупроводниковых структур; описание методик: измерения фотолюминесцентных свойств полупроводниковых структур; определения концентрации и подвижности электронов с помощью эффекта Холла; анализа поверхности с помощью атомно-силового микроскопа. Также был подготовлен отчет о патентных исследованиях и аннотационный отчет иностанного партнера.

Достижение заданных значений показателей результативности:

№ п/п Наименование Единица измерения Значения на текущий год
Запланировано на текущий год Достигнуто за отчетный период
Индикаторы
1 Число патентов (в том числе международных) на результаты интеллектуальной деятельности, полученные в рамках выполнения проектов, не менее единиц 0 0
2 Число публикаций по результатам исследований и разработок в научных журналах, индексируемых в базе данных Scopus или в базе данных "Сеть науки" (WEB of Science), не менее единиц 0 0
3 Доля исследователей в возрасте до 39 лет в общей численности исследователей - участников проекта, не менее проценты 60 61,1
4 Объем привлеченных внебюджетных средств (не менее 50% от общего объема финансирования работ) млн. руб. 6,3 6,300769
Показатели
1 Средний возраст исследователей – участников проекта, не более лет 43 39,4
2 Количество мероприятий по демонстрации и популяризации результатов и достижений науки, в которых приняла участие и представила результаты проекта организация - исполнитель проекта, не менее единиц 0 1
3 Число диссертаций на соискание ученых степеней, защищенных по результатам исследований и разработок единиц 0 0
4 Использование при выполнении ПНИ уникальных научных установок единиц 0 0
5 Использование при выполнении ПНИ научного оборудования центров коллективного пользования научным оборудованием единиц 0 0
6 Использование при выполнении ПНИ объекты зарубежной инфраструктуры сектора исследований и разработок единиц 0 0

Отчёт о выполнении проекта





Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии соединений А3В5

КОНТАКТЫ

И.о. заведующего лабораторией:

д.ф.-м.н. Журавлев Константин Сергеевич
Тел.: (383) 330-44-75
E-mail:

Адрес:

г. Новосибирск, ул. Пирогова, 30
Термостатированный корпус ИФП СО РАН
Тел: +7(383)330-69-45

Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии соединений А3В5



2012

  1. T.S. Shamirzaev, D.S. Abramkin, A.K. Gutakovskii, M.A. Putyato, «Novel self-assembled quantum dot in the GaSb/AlAs heterosystem», Письма в ЖЭТФ 95 №10, с.601-603 (2012).
  2. О.Е. Терещенко, А.Г. Паулиш, М.А. Неклюдова, Т.С. Шамирзаев, А.С. Ярошевич, И.П. Просвирин, И.Э. Жаксылыкова, Д.В. Дмитриев, А.И. Торопов, С.Н. Варнаков, М.В. Рауцкий, Н.В. Волков, С.Г. Овчинников, А.В. Латышев “Формирование границы раздела структуры Pd/Fe/GaAs/InGaAs для оптической регистрации спина свободных электронов” Письма в ЖТФ, том 38, вып. 1 c.27-36 (2012).
  3. Д.С.Абрамкин, М.А.Путято, А.К.Гутаковский, Б.Р.Семягин, В.В.Преображенский, Т.С.Шамирзаев “Новая система самоорганизованных квантовых точек GaSb/GaP” ФТП 46(12) с. 1571-1575 (2012).
  4. D. Dunker, T.S. Shamirzaev, J. Debus, D.R. Yakovlev, K.S. Zhuravlev, M. Bayer “Spin relaxation of negatively charged excitons in (In,Al)As/AlAs quantum dots with indirect band gap and type-I band alignment” Appl. Phys. Lett., 101, P. 142108 (2012).
  5. D.S. Abramkin, M.A. Putyato, S.A. Budennyy, A.K. Gutakovskii, B.R. Semyagin, V.V. Preobrazhenskii, O.F. Kolomys, V.V. Strelchuk, T.S. Shamirzaev “Atomic structure and energy spectrum of Ga(As,P)/GaP heterostructures” J. Appl. Phys., 112, P.083713 (2012).
  6. O.F. Kolomys, V.V. Strelchuk, T.S. Shamirzaev, A.S. Romanyuk, P. Tronc «Submicron Raman and photoluminescence topography of InAs/Al(Ga)As quantum dots structures» Applied Surface Science. 260, P. 47–50 (2012).
  7. N.G. Galkin, E.A. Chusovitin, D.L. Goroshko, A.V. Shevlyagin, A.A. Saranin, T.S. Shamirzaev, K.S. Zhuravlev, and A.V. Latyshev “Room temperature 1.5 mm light-emitting silicon diode with embedded β-FeSi2 nanocrystallites” Appl. Phys. Lett., 101, P. 163501 (2012).
  8. L. Fernandes dos Santos, Yu. A. Pusep, L. Villegas-Lelovsky, V. Lopez-Richard, G. E. Marques, G. M. Gusev, D. Smirnov, and A. K. Bakarov,- Quantum oscillations of spin polarization in a GaAs/AlGaAs double quantum well,- Phys. Rev. B 86, 125415 (2012) DOI: 10.1103/PhysRevB.86.125415.
  9. Yu. A. Pusep, L. Fernandes dos Santos, G. M. Gusev, D. Smirnov, and A. K. Bakarov Circularly Polarized Photoluminescence as a Probe of Density of States in GaAs/AlGaAs Quantum Hall Bilayers,- Phys. Rev. Lett. 109, 046802 (2012) DOI:10.1103/PhysRevLett.109.046802.
  10. A. G. Pogosov, M. V. Budantsev, E. Yu. Zhdanov, D. A. Pokhabov, A. K. Bakarov, and A. I. Toropov,- Electron transport in suspended semiconductor structures with two-dimensional electron gas - Appl. Phys. Lett. 100, 181902 (2012) DOI: 10.1063/1.4709485.
  11. L.Fernandes dos Santos, Yu.A.Pusep, A.K.Bakarov, and A.I.Toropov, - Valence band tail states in disordered superlattices embedded in wide parabolic AlGaAs well, - J. Appl. Phys. 111, 123523 (2012); doi: 10.1063/1.4730769.
  12. L.Fernandes dos Santos, Yu.A.Pusep, G.M.Gusev, A.K.Bakarov and A.I.Toropov,- Magnetic field induced charge redistribution in artificially disordered quantum Hall superlattices,- EPL, 97 17010 (2012), doi: 10.1209/0295-5075/97/17010.
  13. Yu.A.Pusep, L.Fernandes dos Santos, D.Smirnov, A.K.Bakarov, and A.I.Toropov, - Magneto-optical probe of quantum Hall states in a wide parabolic well modulated by random potential, - Phys.Rev.B 85, 045302 (2012).
  14. В.М. Лукашин, А.Б. Пашковский, К.С. Журавлев, А.И. Торопов, В.Г. Лапин, А.Б. Соколов, - Уменьшение роли поперечного пространственного переноса электронов и рост выходной мощности гетероструктурных полевых транзисторов - Письма в ЖТФ, том 38, вып. 17, 84-89 (2012).
  15. Alexander G. Milekhin, Nikolay Yeryukov, Alexander I. Toropov, Dmitry Dmitriev, Evgeniya Sheremet, Dietrich R. T. Zahn, - Raman scattering of InAs/AlAs quantum dot superlattices grown on (001) and (311)B GaAs surfaces, - Nanoscale Research Letters 7:476 doi:10.1186/1556-276X-7-476 (2012).
  16. A. Strittmatter, A. Schliwa, J.-H. Schulze, T. D. Germann, A. Dreismann, O. Hitzemann, E. Stock, I. A. Ostapenko, S. Rodt, W. Unrau, U. W. Pohl, A. Hoffmann, D. Bimberg, and V. Haisler. - Lateral positioning of InGaAs quantum dots using a buried stressor, - : Appl. Phys. Lett. 100, 093111; doi: 10.1063/1.3691251 (2012).
  17. A. Strittmatter, A. Holzbecher, A. Schliwa, J.-H. Schulze, D. Quandt, T. D. Germann, A. Dreismann, O. Hitzemann, E. Stock, I. Ostapenko, S. Rodt, W. Unrau, U. Pohl, A. Hoffmann, D. Bimberg and V. Haisler, - Site-controlled quantum dot growth on buried oxide stressor layers, Phys. Status Solidi A, 1–10 (2012).
  18. Д. В. Дмитриев, И. С. Стрыгин, А. А. Быков, С. Дитрих, С. А. Виткалов, - Транспортное время релаксации и квантовое время жизни в селективно-легированных гетероструктурах GaAs/AlAs. - Письма в ЖЭТФ 95, 467 (2012).
  19. A. A. Bykov, D. V. Dmitriev, I. V. Marchishin, S. Byrnes, S. A. Vitkalov, - Zener tunneling between Landau orbits in two-dimensional electron Corbino rings, - Appl. Phys. Lett. 100, 251602 (2012).
  20. S. Dietrich, S. Byrnes, S. Vitkalov, D. V. Dmitriev, A. A. Bykov, Quantum oscillations of dissipative resistance in crossed electric and magnetic fields, - Phys. Rev. B 85, 155307 (2012).
  21. S. Dietrich, S. Vitkalov, D. V. Dmitriev, A. A. Bykov. - Quantum lifetime of two-dimensional electrons in a magnetic field. - Phys. Rev. B 85, 115312 (2012).
  22. Ю. Г. Галицын, А. А. Лямкина, С. П. Мощенко, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, Ю.И. Михайлов, E. Placidi. Статистическое рассмотрение ансамбля квантовых точек InAs на поверхности (001)GaAs. Доклады Академии наук высшей школы Российской Федерации, №2 (19), с. 27-33 (2012).
  23. I.A. Aleksandrov, A.K. Gutakovskii, K.S. Zhuravlev, “Influence of shape of GaN/AlN quantum dots on luminescence decay law”, Phys. Status Solidi A, 209, No. 4, p. 653-656 (2012).
  24. С.В. Еремеев, Н.А. Валишева, О.Е. Терещенко, С.Е. Кулькова, “Изменение электронных свойств поверхности InAs(111)A при адсорбции кислорода и фтора”, Физика и техника полупроводников, том 46, стр.53-59, (2012).
  25. Н.А. Валишева, О.Е. Терещенко, И.П. Просвирин, А.В. Калинкин, В.А. Голяшов, Т.А. Левцова, В.И. Бухтияров, “Формирование анодных слоев на InAs(111)A. Исследование химического состава“, Физика и техника полупроводников, том 46(4), стр.569-575, (2012).
  26. O. E. Tereshchenko, D. Paget, K. V. Toropetsky, V. L. Alperovich, S. V. Eremeev, A. V. Bakulin, S. E. Kulkova, B. P. Doyle, and S. Nannarone, “Etching or stabilization of GaAs(001) under alkali and halogen adsorption”, The Journal of Physical Chemistry C, 116, p. 8535-8540, (2012).
  27. И.А. Тарасов, Н.Н. Косырев, С.Н. Варнаков, С.Г. Овчинников, С.М. Жарков, В.А. Швец, С.Г. Бондаренко, О.Е. Терещенко, “Эллипсометрическая экспресс-методика определения толщины и профилей оптических постоянных в процессе роста наноструктур Fe/SiO2/Si(100)”, Журнал технической физики, 82 (9), p. 44-48 (2012).
  28. K. Miyamoto, A. Kimura, T. Okuda, H. Miyahara, K. Kuroda, H. Namatame, M. Taniguchi, S.V. Eremeev, T.V. Menshchikova, E.V. Chulkov, K.A. Kokh, and O. E. Tereshchenko, “Topological Surface States with Persistent High Spin Polarization across the Dirac Point in Bi2Te2Se and Bi2Se2Te”, Phys. Rev. Lett. 109, p. 166802 (2012).
  29. I.Yu. Sklyadneva, R. Heid, K.-P. Bohnen, V. Chis, V. A. Volodin, K. A. Kokh, O.E. Tereshchenko, P. M. Echenique, and E. V. Chulkov, “Lattice dynamics of bismuth tellurohalides”, Phys. Rev. B 86, 094302 (2012).
  30. А.А. Рожин, С.А. Кочубей, Н.Н. Рубцова, Т.С. Шамирзаев, А.А. Ковалёв, Б.Р. Семягин, В.В. Преображенский, М.А. Путято, О.В. Буганов, С.А. Тихомиров “Воздействие ультрафиолетового излучения на наноструктуры с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs” Вестник НГУ. Серия Физика, том 7, Выпуск 4. С. (2012).
  31. R. Uddin, M. Pandikunta, V Mansurov, S. Sohal, D. Myasishchev, G.M. Guryanov, V. Kuryatkov, M. Holtz, S. Nikishin, - Effects of Growth Temperature on Indium Incorporation in InAlN Alloys Grown by GSMBE on Si(111), - Journal of Electronic Materials, v 41, N 5, p.824-829, 2012.
  32. А.К.Шестаков, К.С.Журавлев. Численное моделирование зависимости характеристик полевого GaAs-транзистора от параметров профиля легирования канала. Автометрия, т.48, №1, с.124-128 (2012).
  33. A.V. Tikhonov, T.M.Malin, K.S.Zhuravlev, L.Dobos, B.Pecz. TEM study of defects in AlGaN layers with different polarity. J.Crystal Growth, v.338, pp.30-34 (2012).
  34. А.А.Зарубанов, К.С.Журавлев, Т.А.Дуда, А.В.Окотруб. Перенос энергии электронного возбуждения между квантовыми точками CdS и углеродными нанотрубками. Письма в ЖЭТФ, т.95, вып.7, с.403-407 (2012).
  35. К.С. Журавлев, А.И. Торопов, В.Г. Лапин, А.Б. Пашковский, В.М. Лукашин, А.Б. Соколов. Серийный PHEMT с удельной мощностью 1,4 Вт/мм. Электронная техника. Серия 1 . СВЧ-техника, вып.1 (512),с.55-62 (2012).
  36. И.Д.Бурлаков, А.В.Войцеховский, С.Н.Несмелов, К.С.Журавлев. Детекторы ультрафиолетового диапазона на основе контакта металл-полупроводник из соединения AlGaN. Нано- микросистемная техника, №7, с.37-46 (2012).
  37. D.V. Gulyaev, K.S. Zhuravlev “Interaction of excitons with carriers accelerated by the electric field of a surface acoustic wave in type II GaAs/AlAs superlattices” Phys. Rev. B, Vol.86, No.16, p. 165323 (2012).
  38. V.A. Golyashov, K.A. Kokh, S.V. Makarenko, K.N. Romanyuk, I.P. Prosvirin, A.V. Kalinkin, O.E. Tereshchenko, A.S. Kozhukhov, S. V. Eremeev, S. D. Borisova, and E.V. Chulkov, Inertness and degradation of (0001) surface of Bi2Se3 topological insulator. J. of Appl. Phys. 112, 113702 (2012).
  39. D. Niesner, Th. Fauster, S. V. Ereemev, T. V. Menshchikova, Yu. M. Koroteev, A. P. Protogenov, E. V. Chulkov, O. E. Tereshchenko, K. A. Kokh, O. Alekperov, A. Nadjafov, and N. Mamedov, Unoccupied Topological States on Bismuth Chalcogenides. Phys. Rev. B 86, 205403 (2012).
  40. V. Chis, I.Yu. Sklyadneva, K. A. Kokh, V. A. Volodin, O.E. Tereshchenko, and E. V. Chulkov, Vibrations in Binary and Ternary Topological Insulators: first-principles calculations and Raman Spectroscopy Measurements. Phys. Rev. B 86, 174304 (2012).

Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии соединений А3В5



2011

  1. T.S.Shamirzaev, J.Debus, D.S.Abramkin, D.Dunker, D.R.Yakovlev, D.V.Dmitriev, A.K. Gutakovskii, L.S.Braginsky, K.S.Zhuravlev, and M.Bayer, «Exciton recombination dynamics in an ensemble of (In,Al)As/AlAs quantum dots with indirect band-gap and type I band alignment», Phys. Rev. B 84, 155318-9 (2011).
  2. Д.С.Абрамкин, А.К.Гутаковский, М.А.Путято, В.В.Преображенский, Т.С.Шамирзаев, «Новая система GaAs квантовых точек в матрице GaP», Известия вузов Физика, 54, №2/2, стр. 18-21 (2011).
  3. А.А.Лямкина, Д.С.Абрамкин, Д.В.Дмитриев, С.П.Мощенко, Т.С.Шамирзаев, К.С.Журавлев, А.И.Торопов, «Высококачественные структуры с InAs/Al0.9Ga0.1As квантовыми точками, выращенные методом нанокапельной эпитаксии», Известия вузов Физика, 54, №2/2, стр. 216-220 (2011).
  4. Д.С.Абрамкин, К.С.Журавлёв, Т.С.Шамирзаев, А.В.Ненашев, А.К.Калагин “Исследование захвата носителей заряда в InAs/AlAs квантовые точки при гелиевой температуре” ФТП 45(2) с.183-191 (2011).
  5. Т.С.Шамирзаев «Полупроводниковые гетероструктуры первого рода с непрямой зоной проводимости» ФТП 45(1) с.97-103 (2011).
  6. A.A.Lyamkina, D.S.Abramkin, D.V.Dmitriev, D.V.Gulyaev, A.K.Gutakovsky, S.P.Moshchenko, T.S.Shamirzaev, A.I.Toropov, K.S.Zhuravlev, «High-quality structures with InAs/Al0.9Ga0.1As QDs produced by droplet epitaxy», Journal of Crystal Growth 337, p.93-96 (2011).
  7. N.G.Galkin, E.A.Chusovitin, T.S.Shamirsaev, A.K.Gutakovski, A.V.Latyshev. “Growth, structure and luminescence properties of multilayer Si/β-FeSi2 NCs/Si/.../Si nanoheterostructures” Thin Solid Films 519, p.8480–8484 (2011).
  8. Т.С.Шамирзаев, Д.В.Дмитриев, Л.Л.Свешникова, П.Тронк “Безызлучательный перенос энергии экситонов по механизму Фёрстера в гибридных структурах КТ InAs/AlAs – молекулы красителя” Письма в ЖЭТФ 94 №10 с.828-831 (2011).
  9. E.Stock, W.Unrau, A.Lochmann, J.A.Tofflinger, M.Ozturk, A.I.Toropov, A.K.Bakarov, V.A. Haisler, D.Bimberg - High-speed single-photon source based on self-organized quantum dots, Semiconductor Science and Technology, 26, (2011), 014003.
  10. E.Stock, M.Dachner, T.Warming, A.Schliwa, A.Lochmann, A.Hoffmann, A.Toropov, A.Bakarov, I.Derebezov, M.Richter, V.Haisler, A.Knorr, D.Bimberg, - Acoustic and optical phonon scattering in a single In(Ga)As quantum dot, Phys. Rev. B 83, 041304(R) (2011).
  11. G.Steudle, S.Knauer, U.Herzog, E.Stock, V.A.Haisler, D.Bimberg and O.Benson - Experimental optimal maximum-confidence discrimination and optimal unambiguous discrimination of two mixed single-photon states, - Phys. Rev. A 83, 050304(R) (2011).
  12. В.А.Гайслер, И.А.Деребезов, А.И.Торопов, И.И.Рябцев, - Излучатели на основе полупроводниковых брэгговских микрорезонаторов, Автометрия, т.47, №5, 2011, стр.25-31.
  13. Yu.A.Pusep, G.M.Gusev, A.K.Bakarov, A.I.Toropov, and J.C.Portal - Magnetotransport in a wide parabolic well superimposed with a superlattice, - Journal of Applied Physics, 109, 102403 (2011).
  14. А.В.Бакулин, О.Е.Терещенко, С.В.Еремеев, С.Е.Кулькова. Адсорбция хлора на поверхности ζ-InAs(001)-(4×2) // Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, стр.23-31.
  15. O.E.Tereshchenko, D.Lamine, G.Lampel, Y.Lassailly, X.Li, D.Paget, J.Peretti. Magnetic and transport properties of Fe/GaAs Schottky junctions for spin polarimetry applications, J. of Appl. Phys. 109, 113708 (2011).
  16. V.L.Berkovits, V.P.Ulin, O.E.Tereshchenko, D.Paget, A.C.H.Rowe, P.Chiaradia, B.P.Doyle, and S.Nannarone, Chemistry of Wet Treatment of GaAs(111)B and GaAs(111)A in Hydrazine-Sulfide Solutions, Journal of The Electrochemical Society, 1583 (2011) D127-D1352011.
  17. О.Е.Терещенко, Д.В.Дмитриев, А.И.Торопов, С.В.Еремеев, С.Е.Кулькова, Сурфактантные свойства цезия в молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs(001). Письма в ЖЭТФ т. 93(10) (2011) 647-652.
  18. О.Е.Терещенко, K.A.Кох, В.В.Атучин, K.Н.Романюк, С. В.Макаренко, В.А.Голяшов, И.П.Просвирин, А.С.Кожухов, А.А.Шкляев, Стабильность поверхности (0001) топологического изолятора Bi2Se3. Письма в ЖЭТФ т. 94(6) (2011) 500-503.
  19. V.V.Atuchin, V.A.Golyashov, K.A.Kokh, I.V.Korolkov, A.S.Kozhukhov, V.N.Kruchinin, S.V.Makarenko, L.D.Pokrovsky, I.P.Prosvirin, K.N.Romanyuk, and O.E.Tereshchenko, Crystal Growth & Design, October 10, 2011.
  20. A.A.Lyamkina, D.V.Dmitriev, Yu.G.Galitsyn, V.G.Kesler, S.P.Moshchenko, A.I.Toropov. “The Investigation of Intermediate Stage of Template Etching with Metal Droplets by Wetting Angle Analysis on (001) GaAs Surface”. Nanoscale Research Letters 6, 42 (2011).
  21. Ю.Г.Галицын, Ю.И.Михайлов, Д.В.Дмитриев, С.П.Мощенко, А.И.Торопов, А.А. Лямкина. “Формирование роевидных наноразмерных структур в твердофазных химических процессах”. Известия высших учебных заведений, серия Физика 54, №1/2, с. 159 (2011).
  22. Ю.Г.Галицын, А.А.Лямкина, С.П.Мощенко, Д.В.Дмитриев, А.И.Торопов, Ю.И. Михайлов. Динамика и кинетика гомоэпитаксии GaAs на поверхности (001) β(2×4) при ультра малых степенях заполнения поверхности. Доклады АН ВШ РФ №2 (17), с. 6-14 (2011).
  23. И.А. Александров, А.М. Гилинский, К.С. Журавлев. Динамика рекомбинации носителей заряда в квантовых точках GaN/AlN при различных уровнях возбуждения. Известия высших учебных заведений, серия Физика. 2011, т.54, №2/2, стр. 22-25.
  24. В.А. Гриценко, К.С. Журавлев, В.А. Надолинный. Квантование электронного спектра и локализация электронов и дырок в кремниевых квантовых точках. ФТТ, 2011, т.53, №4, стр.803-806.
  25. Е.В. Кожемякина, К.С. Журавлев. Исследование процессов формирования экситонов с помощью динамики спинового расщепления. Известия высших учебных заведений, серия Физика, 2011, т.54, №2/2, стр. 185.
  26. А.К. Шестаков, К.С. Журавлев. Влияние профиля легирования на характеристики ионно-легированного GaAs полевого транзистора с затвором Шоттки. ФТП, 2011, т.45, №12, стр.1652-1661.
  27. V.A. Gritsenko, V.A. Nadolinny, K.S. Zhuravlev, J.B. Xu, and H. Wong. Quantum confinement and electron spin resonance characteristics in Si-implanted silicon oxide films. Journal of Applied Physics, 2011, v.109, p.084502.
  28. Dmitry Yu. Protasov, Wen-Bin Jian, Kirill A. Svit, Tatyana A. Duda, Sergei A. Teys, Anton S. Kozhuhov, Larisa L. Sveshnikova, Konstantin S. Zhuravlev. Formation of Arrays of Free Standing CdS Quantum Dots Using the Langmuir-Blodgett Technique. Journal of Physical Chemistry C, 2011, v.115, №41, p.20148–20152.
  29. A.V. Tikhonov, T.V. Malin, K.S. Zhuravlev, L. Dobos, B. Pecz. TEM study of defects in AlxGa1-xN layers with different polarity. Journal of Crystal Growth, 2011, doi:10.1016/j.jcrysgro.2011.10.019.
  30. G. M. Gusev, S. Wiedmann, O. E. Raichev, A. K. Bakarov, and J. C. Portal, - Evidence for zero-differential resistance states in electronic bilayers, Phys. Rev. B 83, 041306(R) (2011).
  31. G. M. Minkov, A. V. Germanenko, O. E. Rut, A. A. Sherstobitov, A. K. Bakarov, and D. V. Dmitriev, - Interaction correction to conductivity of AlxGa1-xAs/GaAs double quantum well heterostructures near the balance, Phys. Rev. B 84, 075337 (2011).
  32. Fractional quantum Hall effect in second subband of a 2DES, - C.A.Duarte, L.E.G.Armas, E.C.F.da Silva, G.M.Gusev, A.K.Bakarov, S.Wiedmann and J.C.Portal, EPL (Europhysics Letters) Volume 94 Number 3, 37010 (2011).
  33. S.Wiedmann, G.M.Gusev, O.E.Raichev, A.K.Bakarov, and J.C.Portal, - Nonlinear transport phenomena in a two-subband system, Phys. Rev. B 84, 165303 (2011).
  34. S. Wiedmann, G. M. Gusev, O. E. Raichev, S. Kramer, A. K. Bakarov, and J. C. Portal, - Microwave-induced Hall resistance in bilayer electron systems, Phys. Rev. B 83, 195317 (2011).

Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии соединений А3В5



2013

  1. Е.В.Кожемякина, К.С.Журавлев. - Исследование кинетики температуры экситонного газа в GaAs и AlGaAs. Известия вузов. Физика, т. 56, вып. 2/2, стр. 198–202 (2013).
  2. Д.В.Гуляев, К.С.Журавлев. - Ударный транспорт экситонов в продольном электрическом поле поверхностной акустической волны. Известия вузов. Физика, т. 56, вып. 2/2, стр. 109-114 (2013).
  3. И.А.Александров, К.С.Журавлев, В.Г.Мансуров P.Tronc, P.O.Holtz, - Фотолюминесценция одиночных квантовых точек GaN/AlN при различных мощностях возбуждения. Известия вузов. Физика, т. 56, вып. 2/2, стр. 15–17 (2013).
  4. A.A.Shklyaev, D.V.Gulyaev, K.S.Zhuravlev, A.V.Latyshev, V.A.Armbrister, A.V.Dvurechenskii. - Resonant photoluminescence of Si layers grown on SiO2. Optics Communications, v. 286 p. 228–232 (2013).
  5. A.A.Shklyaev, A.S.Kozhukhov, V.A.Armbrister, D.V.Gulyaev. Surface morphology of Si layers grown on SiO2. - Applied Surface Science, v. 267, p. 40–44 (2013).
  6. K.S.Zhuravlev, I.V.Osinnykh, D.Yu.Protasov, T.V.Malin, V.Yu.Davydov, A.N.Smirnov and R.N.Kyutt, A.V.Spirina, V.I.Solomonov. - Characterization of MBE grown AlGaN layers heavily doped using silane. Phys. Status Solidi C, v. 10, No. 3, 315–318 (2013).
  7. Т.В.Малин, В.Г.Мансуров, А.М.Гилинский, Д.Ю.Протасов, А.С.Кожухов, А.П.Василенко, К.С.Журавлёв. - Рост гетероструктур AlGaN/GaN с двумерным электронным газом на подложках AlN/Al2O3. Автометрия, Т.49, Выпуск №5, с.13-17, (2013).
  8. N.N.Novikova, E.A.Vinogradov, V.A.Yakovlev, T.V.Malin, V.G.Mansurov, K.S.Zhuravlev.- Nitridation effect on sapphire surface polaritons. Surface and Coatings Technology, v. 227, p.58-61 (2013).
  9. Konstantin Zhuravlev, Timur Malin, Vladimir Mansurov, Nadezhda Novikova, and Vladimir Yakovlev. Effect of annealing and nitridation on (0001) sapphire surface polaritons. Phys. Status Solidi C, v. 10, No. 3, p.377-380, 2013.
  10. K.Zhuravlev, T.Malin, S.Trubina, S.Erenburg, L.Dobos, B.Pecz, V.Davydov, A.Smirnov, and R.Kyutt. - EXAFS study of GaN/AlN multiple quantum wells grown by ammonia MBE. Phys. Status Solidi C, v. 10, #3, p. 311-314 (2013).
  11. С.Б.Эренбург, С.В.Трубина, К.С.Журавлев, Т.В.Малин, Б.Печ. - Диффузия и деформации в гетеросистемах со сверхрешетками GaN/AlN по данным EXAFS спектроскопии. Известия РАН, серия физическая, т.77, № 9, с.1312–1316 (2013).
  12. Д.Ю.Протасов, Т.В.Малин, А.В.Тихонов, А.Ф.Цацульников, К.С.Журавлев. - Рассеяние электронов в гетероструктурах AlGaN/GaN с двумерным электронным газом. Физика и техника полупроводников, т. 47, вып. 1, С. 36-47 (2013).
  13. К.С.Журавлев, А.И.Торопов, А.К.Бакаров, Т.В.Малин, В.Г.Мансуров, А.М.Гилинский, Д.Ю.Протасов, - Разработка МЛЭ-технологии гетероструктур для мощных арсенид- и нитридгаллиевых СВЧ-транзисторов. Электронная техника. Серия 1. СВЧ-техника, выпуск 4(519), часть II. с.204-208 (2013).
  14. В.М. Лукашин, А.Б.Пашковский, К.С.Журавлев, А.И.Торопов, В.Г.Лапин, Е.И.Голант, А.А.Капралова. Перспективы развития мощных полевых транзисторов на гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием. Физика и техника полупроводников, т. 47, вып. 1, С. 36-47 (2013).
  15. V.V.Ratnikov, R.N.Kyutt, A.N.Smirnov, V.Yu.Davydov, M.P.Shcheglov, T.V.Malin, and K.S.Zhuravlev. - Defects and Stresses in MBE Grown GaN and Al0.3Ga0.7N Layers Doped by Silicon Using Silane. Crystallography Reports, v. 58, No. 7, pp. 1023–1029 (2013).
  16. Т.С.Шамирзаев, D.Dunker, J.Debus, Д.Р.Яковлев, К.С.Журавлев, M.Bayer. Микросекундное время жизни спиновой поляризации экситонов в квантовых точках (In,Al)As/AlAs. Автометрия, т.49, №5, с.112-118 (2013).
  17. L.G.Bulusheva, A.V.Okotrub, Yu.V.Fedoseeva, S.V.Larionov, A.A.Zarubanov, and K.S.Zhuravlev. - Electro- and Photoluminescence of CdS Nanoparticles Deposited on Carbon Nanotubes. Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics, Vol. 8, pp.1–6 (2013).
  18. А.В.Гайслер, А.С.Ярошевич, И.А.Деребезов, А.К.Калагин, А.К.Бакаров, А.И.Торопов, Д.В.Щеглов, В.А.Гайслер, А.В.Латышев, А.Л.Асеев. - Тонкая структура экситонных состояний InAs квантовых точек. Письма в ЖЭТФ, том 97, вып. 5, с. 313 – 318, (2013).
  19. А.В.Гайслер, А.С.Ярошевич, И.А.Деребезов, А.К.Калагин, А.К.Бакаров, А.И.Торопов, Д.В.Щеглов, В.А.Гайслер, А.В.Латышев, А.Л.Асеев. - «Спектроскопия одиночных InAs квантовых точек». Автометрия, т.49, №5, стр. 93 – 99, (2013).
  20. A.G. Milekhin, N.A. Yeryukov, A.I. Toropov, D.R.T. Zahn, Micro-Raman phonon scattering by InAs/AlAs quantum dot superlattices, Abstract Book of Fourth International Conference on Nano-structures SElf-Assembly, S. Margherita di Pula (Cagliari, Italy) 25-29 June 2012, p.192, oral talk, Thin Solid Films, 543C, 23-26 (2013).
  21. Alexander Vorob'ev, Anton Chesnitskiy, Alexander Toropov, and Victor Prinz,- Three-axis Hall transducer based on semiconductor microtubes. - Appl. Phys. Lett. 103, 173513, (2013).
  22. З.Д.Квон, Д.А.Козлов, С.Н.Данилов, С.Цот, П.Вирлинг, С.Стэчел, В.В.Бельков, А.К.Бакаров, Д.В.Дмитриев, А.И.Торопов, С.Д.Ганичев. - Индуцированные терагерцовым излучением осцилляции магнитосопротивления двумерного электронного газа с высокой концентрацией и подвижностью. - Письма в ЖЭТФ. Том 97, вып.1, с.45-48, (2013).
  23. A.A.Bykov, Sean Byrnes, Scott Dietrich, and Sergey Vitkalov, I.V.Marchishin and D.V.Dmitriev. - Zero-differential conductance of two-dimensional electrons in crossed electric and magnetic fields. Phys. Rev. B, V. 87, P. 081409, (2013).
  24. A.A.Shevyrin, A.G.Pogosov, M.V.Budantsev, A.K.Bakarov, A.I.Toropov, S.V.Ishutkin, E.V.Shesterikov, and A.S.Arakcheev. - High-amplitude dynamics of nanoelectromechanical systems fabricated on the basis of GaAs/AlGaAs heterostructures. Appl. Phys. Lett. 103, 131905, (2013).
  25. Д.С.Абрамкин, М.А.Путято, Б.Р.Семягин, В.В.Преображенский, Т.C.Шамирзаев. - Фотолюминесценция полупроводниковых гетероструктур сформированных в матрице GaP. Известия вузов Физика, 56, №2/2, стр. 5, (2013).
  26. N.N.Rubtsova, S.A.Kochubei, A.A.Kovalyov, V.V.Preobrazhenskii, M.A.Putyato, B.R.Semyagin, T.S.Shamirzaev, G.M.Borisov, V.E.Kisel', N.V.Kuleshov, S.V.Kuril'chik, O.V.Buganov, S.A.Tikhomirov. - Semiconductor A3B5 nanostructures for infrared femtosecond lasers. Journal of Physics Conference Series 414, 012026, (2013).
  27. Н.А.Валишева, В.Н.Кручинин, О.Е.Терещенко, А.C.Кожухов, Т.А.Левцова, С.В. Рыхлицкий, Д.В.Щеглов. - Изучение морфологии и оптических свойств анодных оксидных слоев на InAs (111)A. ФТП, №4, стр. 532-537, (2013).
  28. A.V.Bakulin, S.E.Kulkova, S.V.Eremeev, O.E.Tereshchenko, Ab-initio study of new Ga-rich GaAs(001) surface (4 × 4) reconstruction. Surface Science 615, 97–102, (2013).
  29. O.E.Tereshchenko, A.V.Bakulin, S.E.Kulkova S.V.Eremeev. - Backward reconstructions on GaAs(001) surfaces induced by atomic hydrogen reactions: surfactant assisted low-temperature surface ordering. The Journal of Physical Chemistry C. - Vol. 117. - p. 9723-9733, (2013).
  30. Gabriel Landolt, Sergey V.Eremeev, Oleg E.Tereshchenko, Stefan Muff, Bartosz Slomski, Konstantin A.Kokh, Masaki Kobayashi, Thorsten Schmitt, Vladimir N.Strocov, Jurg Osterwalder, Evgueni V.Chulkov and J Hugo Dil, Bulk and surface Rashba splitting in single termination BiTeCl. New Journal of Physics 15, 085022, (2013).
  31. M.Nurmamat, E.E.Krasovskii, K.Kuroda, M.Ye, K.Miyamoto, M.Nakatake, T.Okuda, H.Namatame, M.Taniguchi, E.V.Chulkov, K.A. Kokh, O.E.Tereshchenko, and A.Kimura, Unoccupied topological surface state in Bi2Te2Se. Phys. Rev. B 88, 081301(R) (2013).
  32. J.Mauchain, Y.Ohtsubo, M.Hajlaoui, E.Papalazarou, M.Marsi, A.Taleb-Ibrahimi, J. Faure, K.A.Kokh, O.E.Tereshchenko, S.V.Eremeev, E.V.Chulkov, and L.Perfetti Circular Dichroism and Superdiffusive Transport at the Surface of BiTeI. Phys. Rev. Lett. 111, 126603 (2013).
  33. P.Sessi, M.M.Otrokov, T.Bathon, M.G.Vergniory, S.S.Tsirkin, K.A.Kokh, O.E.Tereshchenko, E.V.Chulkov, and M.Bode, Visualizing spin-dependent bulk scattering and breakdown of the linear dispersion relation in Bi2Te3. Phys. Rev. B 88, 161407(R) (2013).
  34. Ю.С.Поносов, Т.В.Кузнецова, О.Е.Терещенко, К.А.Кох, E.В.Чулков. - Динамика решетки BiTeI при высоких давлениях. Письма в ЖЭТФ, том 98, вып. 9, с. 626 – 630 (2013).
  35. F.G.G.Hernandez, L.M.Nunes, G.M.Gusev, and A.K.Bakarov. - Observation of the intrinsic spin Hall effect in a two-dimensional electron gas. Phys. Rev. B 88, 161305(R) (2013).
  36. F.G.G.Hernandez, G.M.Gusev, and A.K.Bakarov. - Tuning of the Lande g-factor in AlxGa1-xAs/AlAs single and double quantum wells. 20th International Conference on the Application of High Magnetic Fields in Semiconductor Physics,- J.Phys.: Conf. Ser. 456 012015 (2013).
  37. I.A.Larkin, Sebastian Ujevic, S.Wiedmann, N.Mamani, G.M.Gusev, A.K.Bakarov and J.C.Portal. - Shubnikov-de Haas effect in tilted magnetic fields in wide quantum well. 20th International Conference on the Application of High Magnetic Fields in Semiconductor.- Physics.- J. Phys.: Conf. Ser. 456 012025 (2013).
  38. M.V.Budantsev, A.G.Pogosov, D.A.Pokhabov, E.Yu.Zhdanov, A.K.Bakarov and A.I.Toropov. - Nonequilibrium currents in the quantum Hall effect regime spatially resolved by transport experiment. J. Phys.: Conf. Ser. 456 012005 (2013).
  39. A.A.Lyamkina and S.P Moshchenko Numerical Investigation of Surface Plasmon Resonance in Lens-Shaped Self-Assembled Nanodroplets of Group III Metals. J. Phys. Chem. 117 (32), 16564–16570 (2013).
  40. А.А.Лямкина, С.П.Мощенко. Подстройка в резонанс экситон-плазмонного взаимодействия в гибридной системе квантовая точка-капля индия при контролируемом окислении металла: численное моделирование. Известия высших учебных заведений, серия Физика, 56, №2/2, стр. 223 (2013).
  1. Проекты
  2. Оборудование
  3. Защищённые диссертации
  4. Сотрудники