ПУБЛИКАЦИИ

2002

- опубликованные и принятые к печати работы в рецензируемых журналах

1. Y.V.Nastaushev, T.Gavrilova, M.Kachanova, L.Nenasheva, V.Kolosanov, O.V.Naumova, V.P.Popov, A.L.Aseev, “20-nm Resolution of electron lithography for the nano-devices on ultrathin SOI film”.- Materials Science and Engineering C 19 (2002), pp. 189-192.
2. A.I.Klimovskaya, I.V.Prokopenko, S.V.Svechnikov, I.P.Ostrovskii, A.K.Gutakovsky, Yu.V.Nastaushev, A.L.Aseev, “Nanoporous wire-like superstructure of silicon and silicon/germanium solid solution”.- Materials Science and Engineering C 19 (2002), pp. 205-208.
3. Bykov A.A., Estibals O., Marchishin I.V., Litvin L.V., Bakarov A.K., Toropov A.I., Maude D.K., Portal J.C. “Small ring interferometer on the basis of a GaAs quantum well with a high density 2D electron gas” Physica E, 2002, v.12, pp.778-781.
4. Sotomayor C.N.M., Gusev G.M., Leite J.R., Bykov A.A., Litvin L.V., Moshegov N.T., Toropov A.I. “Chaotic electron dynamics in antidot lattice subjected to strong in-plane magnetic field” Phys.Rev.B, 2002, v.66, p.35324.
5. Z.D.Kvon, O.Estibals, A.E.Plotnikov, J.C.Portal, A.I.Toropov, J.L.Gauffier, “Single-electron conductance oscillations of small open quantum dot”.- Physica E, 12 (2002), pp.815-818.
6. L. Fedina. On the roles of bulk recombination of intrinsic point defects in Si and their interaction with the surface in the course of {113} defect growth: a kinetic study by in situ HVEM irradiation. In: Defects and Diffusion in Semiconductors, 2002, Trans Tech. Public.
7. Ю.Б. Болховитянов, А.К. Гутаковский, В.И. Машанов, О.П. Пчеляков, М.А. Ревенко, Л.В. Соколов. "Твердые растворы GeSi на низкотемпературном буферном слое Si(100): особенности пластической релаксации". ПОВЕРХНОСТЬ, №12, 2002, С. 100-105.
8. Yu. B. Bolkhovityanov, A. K. Gutakovskii, V. I. Mashanov, O. P.Pchelyakov, M. A. Revenko, and L. V. Sokolov. "Plastic relaxation of solid GeSi solutions grown by molecular-beam epitaxy on the low temperature Si(100) buffer layer", J. Appl. Phys. 91, pp. 4710 - 4714 (2002).
9. V.P.Popov,I.E.Tyschenko, L.N.Safronov, O.V.Naumova, I.V.Antonova, A.K.Gutakovskii, A.B.Talochkin, Properties of silicon oversaturated with implanted hydrogen, Thin Solid Films, 403-404, p 500-504, 2002.
10. A.V.Latyshev, S.S.Kosolobov, D.A.Nasimov, V.N.Savenko and A.L.Aseev “Atomic Steps on the Single Crystal Surface during Epitaxy, Sublimation and Gas Reaction”, Journal of Japanese Association of Crystal Growth 29 (2002) 39.
11. A.G. Pogosov, M. V. Budantsev, D. Uzur, A. Nogaret, A. E. Plotnikov, A. K. Bakarov, and I. Toropov, Thermopower of a multiprobe ballistic conductor.- Phys. Rev. B. (Rapid Communication), 15 November 2002.
12. D.V. Sheglov, A.V. Prozorov, D.A. Nasimov, A.V. Latyshev and A.L. Aseev, “Peculiarities of nanooxidation on flat surface”, Phys. Low-Dim. Struct. 5/6 (2002) pp.239-247.
13. S.S. Kosolobov, D.A. Nasimov, D.V. Sheglov, E.E. Rodyakina , A.V. Latyshev “Atomic force microscopy of silicon stepped surface”, Phys. Low-Dim. Struct. 5/6 (2002) pp.231-239.
14. A.V.Latyshev, S.S.Kosolobov, D.A.Nasimov, V.N.Savenko and A.L.Aseev, Atomic steps on the single crystal surface studied by in situ UHV Reflection Electron Microscopy, Crystal Growth, in M.Kotrla et al (eds), Atomistic Aspects of Epitaxial Growth, Kluwer Academic Publishers, 2002, pp.281-299.
15. A V Latyshev, D A Nasimov, V N Savenko, S S Kosolobov and A L Aseev, In situ REM studies of a Si(111) stepped surface during gold adsorption and oxygen treatments, Inst. Phys. Conf. Ser., 2002, No 169, pp153-162.

Послано в печать:

1. Yu.V.Nastaushev, V.Ya.Prinz, S.N.Svitasheva, “A technique for fabricating Au/Ti micro- and nanotubes”.- направлено в Nanotechnology (Ref. NANO/154626/PAP102496).
2. O.V. Naumova, I.V Antonova, V. P. Popov, Yu. V. Nastaushev,T.A. Gavrilova, L.V. Litvin, A. L. Aseev. «Silicon-on-insulator structures for nano-scale Devices».- направлено в Microelectronic Engineering.
3. O.V. Naumova, I.V Antonova, V.P.Popov, N. V. Sapognikova, Yu. V. Nastaushev, E.V. Spesivtsev, A. L. Aseev, Conductance oscillations near bonded interface in the ultra thin silicon-on-insulator layers at the room temperature, принята в Microelectronic Engineering, 2003.
4. A.V.Latyshev, S.S.Kosolobov, D.A.Nasimov, V.N.Savenko and A.L.Aseev, "Atomic steps on the single crystal surface studied by in situ UHV Reflection Electron Microscopy", Thin Solid Films, 2002, in press.
5. M.A. Putyato*, V.V. Preobrazhenskii, B.R. Semyagin, Yu.B.Bolkhovityanov, A.M. Gilinsky, A. K. Gutakovskii, M.A. Revenko, O.P. Pchelyakov, and D.F. Feklin, "InGaAsP/InGaP superlattices by conventional MBE with molten metal solution phosphorus source", J. Cryst. Growth, принята к печати.
6. И.Е. Тысченко, А.Б. Талочкин, А.Г. Черков, К.С. Журавлев, А. Мисюк*, М. Фельсков**, В. Скорупа "Свойства нанокристаллов Ge, сформированных имплантацией ионов Ge⁺ в пленки SiO₂ и последующим отжигом под гидростатическим давлением"//ФТП, принято к публикации в 2003г.
7. C.A. Londos, I.V.Antonova, M.Potsidou, A. Misiuk, J.Bak-Misiuk, A.K.Gutacovskii, "A study of the conversion of the VO to the VO₂ defect in heat-treated silicon under uniform stress conditions", принята в J.Appl.Phys. 91(3), 1198 – 1203, (2002).
8. В.Р. Галахов*, И.В.Антонова, С. Н. Шамин*, В. И. Аксенова*, В. И. Ободников**, А. К. Гутаковский**, В. П. Попов, Рентгеноэмиссионное исследование структуры слоев Si:H, сформированных имплантацией ионов водорода с низкой энергией, принята в ФТП, 36, 2002.
9. T.I. Baturina, D.W. Horsell, D.R. Islamov, I.V. Drebushchak, Yu.A. Tsaplin, A.A. Babenko, Z.D. Kvon, A.K. Savchenko, A.E. Plotnikov, "Josephson Junction Arrays on the Basis of Superconducting PtSi Films". Physica C

- доклады, опубликованные в трудах конференций:

1. Litvin L.V., Kolosanov V.A., Baksheev D.G., Tkachenko V.A., Mogilnikov K.P., Cherkov A.G., Aseev A.L. “Ti/TiOX/Ti lateral tunnel junctions for single electron transistor” Proceedings to 10th International Symposium “Nanostructures:Physics and Technology”, St Petersburg, Russia, 17-21, June 2002, p.339-342.
2. V.P.Popov, A.L.Aseev, I.V.Antonova, Yu.V.Nastaushev, T.A.Gavrilova, O.V.Naumova, A.A.Franzusov, G.N.Feafanov, V.A.Kolosanov. «Low dimension properties of nanostructures on ultrathin layers of silicon formed by oxidation of ion cut SOI wafers and electron lithogtraphy», F.Balestra et.al.(eds.) Progress in Semiconductor-On-Insulator Structures and Devices Operating at Extreme Conditions, Kluwer Academic Publishers, 87-91, 2002.
3. А.К.Гутаковский "Применение современных методов просвечивающей электронной микроскопии для исследования структуры и химического состава систем пониженной размерности", тезисы докладов, XIX Российская конференция по электронной микроскопии, Черноголовка, 2002, с.6.
4. Л.И.Федина, А.Т.Дрофа, В.И.Ободников, А.К.Гутаковский, А.Л.Асеев, "Анализ ростовых микродефектов в кристаллах FZ-SI, выращенных в условиях вакансионного пресыщения".
5. A. G. Pogosov, M. V. Budantsev, D. Uzur, A. Nogaret, A. E. Plotnikov, A. K. Bakarov, and I. Toropov, Thermopower of a caterpillar-like Sinai billiard.- Proceedings of 26th International Conference of the Physics of Semiconductors, Edinburgh, July, 2002.
6. I.E.Kalabin, T.I.Grigorieva, L.D. Pokrovsky, D.V. Sheglov, D.I.Shevtsov, V.V. Atuchin, “Nanofacetting of LINBO3(111) surface by high temperature annealing and titanium diffusion”, 8-th international conference on electronic materials Issue, Xi’An, China, 2002. F-56.
7. A.L. Aseev, S. S. Kosolobov, D. V. Sheglov, D. A. Nasimov and A. V. Latyshev, Monatomic Steps and Nano-Scale Science, ECOSS, June 2002.
8. A.V. Latyshev, S.S. Kosolobov, D.A. Nasimov, D.V. Scheglov and A.L. Aseev, “Structural transformations and nanostuctural formation on the stepped silicon surface”, 5-th Russia-Japan seminar on semiconductor surfaces issue, Vladivostok, B-2, 2002.
9. D.V. Sheglov, A.V. Prozorov, D.A.Nasimov, A.V. Latyshev and A.L. Aseev, “Peculiarities of nanooxidation on flat surface” SPM-2002 International Workshop Issue, 2002, 146-150.
10. Д.В. Щеглов, Е.Е. Родякина, А.В. Латышев, А.Л. Асеев, «Наноразмерная модификация поверхности GaAs зондом АСМ», труды 8-й российская конференция “GaAs и полупроводниковые соединения группы III-V”, Томск, 2002, стр. 192.
11. A.V. Latyshev, S.S. Kosolobov, D.A. Nasimov, and A.L. Aseev, Characterization of stepped silicon surface by reflection electron microscopy, International Congress of Electron Microscopy, Durban, 2002, p.561-562.

- cписок опубликованных тезисов докладов:

1. Ю.В.Настаушев, О.В.Наумова, И.В.Антонова, Т.А.Гаврилова, В.П.Попов, А.Л.Асеев, «Создание и исследование кремниевых приборов наноэлектроники на ультратонких (менее 100 нм) слоях кремния на изоляторе».- Совещание по росту кристаллов, пленок и дефектам структуры кремния», Кремний-2002, 9-12 июля 2002 г., Новосибирск, Академгородок, Тезисы докладов, стр.78.
2. Л. Федина, А.Т. Дрофа, В.И.Ободников, А.К.Гутаковский, А.Л.Асеев. Анализ ростовых микродефектов в кристаллах FZ-Si, выращенных в условиях вакансионного пересыщения. Совещание по росту кристаллов, пленок и дефектам структуры кремния (с участием иностранных ученых) КРЕМНИЙ-2002. Новосибирск, 9-12 июля 2002.
3. Л.И.Федина. Реакции собственных точечных дефектов в Si : кластеризация, рекомбинация, взаимодействие с поверхностью и напряженными границами раздела. Совещание по росту кристаллов, пленок и дефектам структуры кремния (с участием иностранных ученых) КРЕМНИЙ-2002. Новосибирск, 9-12 июля 2002.
4. Д.А. Насимов, Е.Е. Родякина, Л.И.Федина, А.В.Латышев, А.Л.Асеев. Изучение особенностей структурных процессов на больших участках поверхности, свободных от моноатомных ступеней. Совещание по росту кристаллов, пленок и дефектам структуры кремния (с участием иностранных ученых) КРЕМНИЙ-2002. Новосибирск, 9-12 июля 2002.
5. Yu. Nastaushev, T.Gavrilova, M.Kachanova, O.Naumova, I.Antonova, V.Popov, A.Aseev, “FET on ultrathin SOI (fabrication and research)” SPIE International Conference on Microlithography , Emerging Lithographic Technologies VII Abstract (accepted, paper number 5037-132).
6. Yu.V.Nastaushev, V.Ya.Prinz, S.N.Svitasheva, “A technique for fabricating Au/Ti micro- and nanotubes”.- International Conference Micro- and Nanoengeneering 2002, Abstract (направлен, NEF-1/232).
7. O.V. Naumova, I.V Antonova, V. P. Popov, Yu. V. Nastaushev,T.A. Gavrilova, L.V. Litvin, A. L. Aseev. Silicon-on-insulator structures for nano-scale devices. NGCM (симпозиум Nano and Giga Challenges in Microelectronics Research and Opportunities in Russia), Moscow, 185, 2002 (стендовый доклад).
8. O.V. Naumova, I.V Antonova, V.P.Popov, N. V. Sapognikova, Yu. V. Nastaushev, E.V. Spesivtsev, A. L. Aseev, Conductance oscillations near bonded interface in the ultra thin silicon-on-insulator layers at the room temperature, (стендовый доклад в Китае -ICEM, M-67, 2002).
9. А.Г.Черков, И.Е.Тысченко, А.К.Гутаковский, А.Мисюк "Электронномикроскопические исследования структуры нанокристаллов германияв пленках диоксида кремния", тезисы докладов, XIX Российская конференция по электронной микроскопии, Черноголовка, 2002, с.20.
10. А.И.Никифоров, О.П.Пчеляков, В.А.Черепанов, В.В.Ульянов, С.А.Тийс, А.К.Гутаковский, "Образование островков германия на чистой поверхности оксида кремния", тезисы докладов, Совещание по росту кристаллов, пленок и дефектам структуры кремния, Кремний-2002, Новосибирск, 9-12 июля 2002, с.39.
11. М.Д.Ефремов, В.В.Болотов, В.А.Володин, А.В.Вишняков, С.А.Аржанникова, Л.И.Федина, А.К.Гутаковский, С.А.Кочубей, "Эффект взаимной ориентации зародышей в напряженных пленках аморфного кремния на неориентирующих подложках при неравновесном лазерном воздействии", тезисы докладов, XIX Российская конференция по электронной микроскопии, Черноголовка, 2002, с.143.
12. С. Я. Хмель, Р. Г. Шарафутдинов, В.М. Карстен, О. И. Семенова,А. Г. Черков, Л. Д. Покровский "Эпитаксия кремния газоструйным методом с активацией в электронно-пучковой плазме" // Новосибирск 2002, Тезисы совещания по росту кристаллов, плёнок и дефектам структуры кремния "Кремний – 2002" с.69.
13. G.A. Kachurin, S.G. Yanovskaya, V.A. Volodin, A.K. Gutakovsky, V.G. Kesler, and D.I. Tetelbaum. Ion-beam induced structural transformations of Si nanoprecipitates in SiO₂. IBMM-2002, Sept.1-6, Japan. Book of Abstracts, p. 74.
14. G.A. Kachurin, S.G. Yanovskaya, V.A. Volodin, V.G. Kesler and A.K. Gutakovsky. Radiation and doping effects in SiO₂ layers with embedded light emitting Si nanocrystals. International Ceramics Congress CIMTEC-2002. Florence, Italy, July 14-19, 2002.
15. G.A. Kachurin, S.G. Yanovskaya, V.A. Volodin, V.G. Kesler, A.K. Gutakovsky. Ion-beam induced phase transformations in Si nanostructures. The 5^th International Symposium on Swift Heavy Ions in Matter (SHIM-2002). May 22-25, Catania, Italy.
16. G.A. Kachurin, S.G. Yanovskaya, V.A. Volodin, V.G. Kesler, A.K. Gutakovsky. Radiation induced crystallization and amorphization processes in quantum-sized Si particles. International Conf. on Solid State Crystals -Material Science and Applications (ICSSC-2002), Oct. 14-18, 2002, Zakopane, Poland.
17. Gregory Kachurin, Svetlana Yanovskaya, Vladimir Volodin, Anton Gutakovsky, Konstantin Zhuravlev. Radiation and doping effects in light-emitting Si nanocrystals. MRS-2003 Spring, USA.
18. G.A. Kachurin, S.G. Yanovskaya, V.A. Volodin, V.G. Kesler, A.K. Gutakovsky, D.I. Tetelbaum. Modification of Si nanostructures by the radiation treatments. Intern. Conf. on Superlattices, Nanostructures and Nano-devices. Toulouse, France, 2002 .
19. G.A. Kachurin, S.G. Yanovskaya, V.A. Volodin, A.K. Gutakovskii. On the crystallization of Si nanoparticles in SiO2 layers. EMRS-2002, Symposium S, Strasbourg, France.
20. Gregory Kachurin, Svetlana Yanovskaya, Vladimir Volodin, Anton Gutakovsky. Effect of energetic beams on Si nanostructures in SiO₂. MRS-2003 Spring, USA.
21. Д.А.Насимов, Е.Е.Родякина, Л.И.Федина, А.В.Латышев, А.Л.Асеев, “Изучение особенностей структурных процессов на больших участках поверхности кремния, свободных от моноатомных ступеней”, Материалы совещания по росту кристаллов, пленок и дефектам структуры кремния «Кремний 2002», стр.54, 9-12 июля 2002г., Новосибирск.
22. А.В.Латышев, С.С.Косолобов, Д.А.Насимов, Д.В.Щеглов, Е.Е.Родякина, А.В.Прозоров, Л.И.Федина, А.Л.Асеев, “Атомно-силовая микроскопия ступенчатых поверхностей кремния”, Материалы совещания по росту кристаллов, пленок и дефектам структуры кремния «Кремний 2002», стр.168, 9-12 июля 2002г., Новосибирск.
23. А.В.Латышев, С.С.Косолобов, Д.А.Насимов и E.E.Родякина, “Atomic force microscopy of silicon stepped surface”, Materials of International Workshop “Scanning Probe Microccopy 2002”, p.11, Nizhny Novgorod, Russia, March 3-6, 2002.
24. D.V.Sheglov, A.V.Prozorov, D.A.Nasimov, A.V.Latyshev and A.L.Aseev, “Peculiarities of nanooxidation on the flat surface”, Materials of International Workshop “Scanning Probe Microcscopy 2002”, p.126, Nizhny Novgorod, Russia, March 3-6, 2002.
25. Родякина Е.Е. Изучение поверхности Si(111) методом атомно-силовой микроскопии, Материалы VIII Российской научной конференции по физике твёрдого тела, Томск – 2002, с.88-89.
26. A.V.Latyshev, Atomic processes and self-organization on stepped silicon surfaces studied by UHV-REM and AFM, Autumn School “Progress in Advanced Materials Science through electron microscopy”. Hunmboldt University of Berlin, Institute of Physics, Sep.28-Oct.3, 2002 (invited).
27. A. G. Pogosov, M. V. Budantsev, D. Uzur, A. Nogaret, A. E. Plotnikov, A. K. Bakarov, and A.I. Toropov, Thermopower of a caterpillar-like Sinai billiard.- Abstract book of 26^th International Conference of the Physics of Semiconductors, Edinburgh, July, 2002.
28. T.I. Baturina, D.W. Horsell, D.R. Islamov, I.V. Drebushchak, Yu.A. Tsaplin, A.A. Babenko, Z.D. Kvon, A.K. Savchenko, A.E. Plotnikov, "Josephson Junction Arrays on the Basis of Superconducting PtSi Films". Abstracts of 23rd International Conference on Low Temperature Physics, Hiroshima, Japan 2002, p. 116 (21EP20).
29. Д.В. Щеглов, Е.Е. Родякина, А.В. Латышев, А.Л. Асеев «Наноразмерная модификация поверхности кремния зондом АСМ», труды международного рабочего совещания «Кремний-2002», Новосибирск, 2002, стр. 68.

ПУБЛИКАЦИИ

2004

- опубликованные и принятые к печати работы в рецензируемых журналах

1. I.E.Tyschenko, A.B.Talochkin, A.G.Cherkov, K.S.Zhuravlev, R.A.Yankov “Optical transitions in Ge nanocrystals formed by high-pressure annealing of Ge⁺ ion implanted SiO₂ films”//Solid State Communications, v. 129, N1 (2004), pp. 63-68.
2. В.П. Попов, А.Л. Асеев, А.А. Французов, М.А. Ильницкий, Л.Н. Сафронов, О.В. Наумова, Ю.В. Настаушев, Т.А. Гаврилова, В.М. Кудряшов, Л.В. Литвин “Разработка нанотранзисторов на структурах кремний-на-изоляторе для нового поколения элементной базы микроэлектроники”.- Нанотехнологии в полупроводниковой электронике/ Отв. Редактор А.Л. Асеев.- Новосибирск: Издательство СО РАН, 2004, с. 337-362.
3. G.A. Kachurin , S.G. Cherkova, V.A. Volodin, V.G. Kesler, A.K. Gutakovskiy, A.G. Cherkov, A.V. Bublikov, D.I. Tetelbaum. “Implantation of P ion in SiO₂ layers with embedded Si nanocrystals”//Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, (2004),222 pp.497-504.
4. А.И. Никифоров, В.В. Ульянов, О.П. Пчеляков, С.А. Тийс, А.К. Гутаковский «Рост и структура наноостровков Ge на атомарно-чистой поверхности окиси кремния», Физика твердого тела, 2004, том46, вып.1, с.80-82.
5. И.Е. Тысченко, В.П. Попов, А.Б. Талочкин, А.К. Гутаковский, К.С. Журавлев «Формирование пленок нанокристаллического кремния имплантацией больших доз ионов H⁺ в слои кремния на изоляторе и последующим быстрым термическим отжигом», Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып.1, с. 111-116.
6. Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, M.A. Revenko,L.V. Sokolov. Heterostructures Ge_xSi_1-x/Si(001) (x = 0.18 - 0.62) grown by molecular beam epitaxy at a low (350°С) temperature: specific features of plastic relaxation. Thin. Solid Films, (2004), v 466/1-2, p. 69 - 74.
7. Н.Н. Михайлов, Р.Н. Смирнов, С.А. Дворецкий, Ю.Г. Сидоров, В.А. Щвец, Е.В. Спесивцев, С.В. Рыхлицкий, П.А. Бахтин, В.С. Варавин, А.Ф. Кравченко, А.В. Латышев, И.В. Сабинина, М.В. Якушев, Выращивание структур Cd_xHg_1-x с горизонтальным и вертикальным расположением нанослоев методом МЛЭ,- Нанотехнологии в полупроводниковой электронике/ Отв. Редактор А.Л. Асеев.- Новосибирск: Издательство СО РАН, 2004 с. 13-33.
8. Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, M.A. Revenko, L.V. Sokolov. Strain relaxation of GeSi/Si(001) heterostructures grown by low-temperature molecular beam epitaxy. J. Appl. Phys. (2004), in press.
9. Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, M.A. Revenko, L.V. Sokolov. Direct observations of dislocation half-loops inserted from the surface of the GeSi heteroepitaxial film. Appl. Phys. Lett. (2005), in press.
10. А.И.Никифоров, В.В.Ульянов, О.П.Пчеляков, С.А.Тийс, А.К.Гутаковский «Получение наноостровков Ge ультрамалых размеров с высокой плотностью на атомарно-чистой поверхности окиси кремния», Физика твердого тела, 2005, том 47, вып.1., с.67- 69.
11. Г.А. Качурин, В.А. Володин, Д.И. Тетельбаум, Д.В. Марин, А.Ф. Лейер, А.К. Гутаковский, А.Г. Черков, А.Н. Михайлов «Формирование кремниевых нанокристаллов в слоях SiO₂ при имплантации ионов Si с промежуточными отжигами», Физика и техника полупроводников, 2004, в печати.
12. Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, M.A. Revenko,L.V. Sokolov. Enhanced strain relaxation in a two-step process ofGe_xSi_1-x/Si(001) heterostructures grown by low-temperature molecular-beam epitaxy. Appl. Phys. Lett., (2004), v.84, N23, p.4599-4601.
13. Ю.Б. Болховитянов, А.С. Дерябин, А.К. Гутаковский, М.А. Ревенко, Л.В.Соколов. Оптимизация пластической релаксации механических напряжений несоответствия в гетероструктурах Ge_xSi_1-x/Si(001) (x = 0.61). Письма в ЖТФ, 2004, №30, вып. 2, с.61-65.
14. Yu.V.Nastaushev, T.A. Gavrilova, M.M. Kachanova, O.V. Naumova, I.V. Antonova, V.P. Popov, L.V. Litvin, D.V. Sheglov, A.V. Latyshev and A.L. Aseev, “Field effect nanotransistor on ultrathin silicon-on-insulator”.- International Journal of Nanoscience Vol. 3, Nos. 1&2 (2004) pp. 155-160.
15. Ю.Г.Сидоров, А.И.Торопов, В.В.Шашкин, В.Н.Овсюк, В.А.Гайслер, А.К.Гутаковский, А.В.Латышев, З.Д.Квон, В.А.Ткаченко, А.В.Двуреченский, О.П.Пчеляков, В.Я.Принц, В.П.Попов, А.Л.Асеев, Развитие нанотехнологий и их применение для разработки устройств полупроводниковой электроники, Автометрия, том. 40 (2004) 4-19.
16. Ю.В. Настаушев, Л.В. Литвин, Т.А. Гаврилова, А.Е. Плотников, А.Л. Асеев “Электронно-лучевая литография сфокусированными пучками и ее применение для изготовления квантовых структур и элементов наноэлектроники”.- Нанотехнологии в полупроводниковой электронике/ Отв. Редактор А.Л. Асеев.- Новосибирск: Издательство СО РАН, 2004 с. 120-132.
17. Д.В. Щеглов, А.В. Латышев, А.Л. Асеев, “Создание и исследование наноразмерных структур зондом АСМ”.- Нанотехнологии в полупроводниковой электронике/ Отв. Редактор А.Л. Асеев.- Новосибирск: Издательство СО РАН, 2004 с. 132-153.
18. К.С. Журавлев, В.Г. Мансуров, В.В. Преображенский, Ю.Г. Галицын, Б.Р. Семягин, В.А. Колосанов, О.А. Щегай, М.А. Ревенко, А.К. Гутаковский, А.В. Латышев, Т.С. Шамирзаев, А.Б. Талочкин, В.И. Ободников, В.Н. Овсюк, “Исследование процессов роста и свойств AlGaN/GaN - структур для мощных СВЧ-транзисторов на подложках сапфира”.- Нанотехнологии в полупроводниковой электронике/ Отв. Редактор А.Л. Асеев.- Новосибирск: Издательство СО РАН, 2004, с. 298-308.
19. А.В. Латышев, С.С. Косолобов, Д.А. Насимов, А.Л. Асеев, “Сверхвысоковакуумная отражательная электронная микроскопия», - Нанотехнологии в полупроводниковой электронике/ Отв. Редактор А.Л. Асеев.- Новосибирск: Издательство СО РАН, 2004 с. 202-235.
20. В.В. Атучин, М.А. Литвинов, Н.Ю. Маклакова, Л.Д. Покровский, В.И. Семенко, Д.В. Щеглов, Формирование нанокластеров TiO₂ и KTiOPO₄ на плоскости (001) кристалла KTiOPO₄ при термообработке, Журнал структурной химии, т.45, 2004, с.85-88.
21. Ткаченко В.А., Квон З.Д., Щеглов Д.В., Латышев А.В., Торопов А.И., Ткаченко О.А., Бакшеев Д.Г., Асеев А.Л. «Амплитуда осцилляций Ааронова-Бома в малых баллистических интерферометрах», - Письма в ЖЭТФ, 2004, т. 93, № 3, с. 168-172.
22. Д.В. Щеглов, Е.Е. Родякина, А.В. Латышев, А.Л.Асеев, Новые возможности нанолитографии зондов атомно-силового микроскопа, Микросистемная техника, 9 (2004), 8-16.
23. E.E. Rodyakina, S.S. Kosolobov, D.V. Sheglov, D.A. Nasimov, Se Ahn Song, and A.V. Latyshev, “Atomic Steps on Sublimating Si(001) Surface observed by Atomic Force Microscopy”, - Phys.Low-Dim.Struct., 2004 v. 1/2, pp. 9-18.
24. D.V. Sheglov, Yu.V. Nastaushev, A.V. Latyshev and A.L.Aseev, “Nano-patterning of silicon based nanostructures by AFM probe”, - International Journal of Nanoscience 3, 1&2 (2004) 155-160.
25. N.M. Sotomayor, G.M. Gusev, J.R. Leite, A.A. Bykov, A.K. Kalagin, V.M. Kudryashev, and A.I. Toropov, Negative linear classical magnetoresistance in a corrugated two-dimensional electron gas, Phys.Rev.B. (2004) in press.
26. Л.И Федина, А.Л. Асеев, “Атомные механизмы кластеризации собственных точечных дефектов в кремнии, - Нанотехнологии в полупроводниковой электронике/ Отв. Редактор А.Л. Асеев.- Новосибирск: Издательство СО РАН, 2004 с. 179-202.
27. V.A. Tkachenko, Z.D. Kvon, O.A. Tkachenko, D.G Baksheev, O. Estibals, J.-C. Portal, Coulomb blockade in triangular lateral small-size quantum dots, Physica E, 21, 469 (2004).
28. Z.D. Kvon, V.A. Tkachenko, O.A. Tkachenko, A.I. Toropov, A.K. Bakarov, V. Renard, J.-C. Portal, Magnetotransport of electrons in overfull quantum well, Physica E, 21, 742 (2004).
29. З.Д. Квон, В.А. Ткаченко, А.Е. Плотников, В.А. Сабликов, В. Рено, Ж.К. Портал, О кондактансе многоконтактной баллистической проволоки>, Письма в ЖЭТФ, т.79, 42 (2004).
30. В.А. Ткаченко, О.А. Ткаченко, З.Д. Квон, Д.Г. Бакшеев, А.Л. Асеев, Ж.К. Портал, Когерентное рассеяние электронов в малой квантовой точке, Письма в ЖЭТФ, т.80, 688 (2004).
31. C.-T. Liang, O.A. Tkachenko, V.A. Tkachenko, D.G. Baksheyev, M.Y. Simmons, D.A. Ritchie and M. Pepper, "Deviation from exact conductance quantization in a short clean one-dimensional channel "Int. Journal of Nanoscience, Vol 2, No. 6, 2003, p. 551-558.
32. C.-T. Liang, O.A. Tkachenko, V.A. Tkachenko, D.G. Baksheyev, M.Y. Simmons, D.A. Ritchie and M. Pepper, "Can the conductance step of a single-mode adiabatic ballistic constriction be lower than 2e²/h?" Physica E 22, 268 (2004).
33. C.-T. Liang, O.A. Tkachenko, V.A. Tkachenko, D.G. Baksheyev, M.Y. Simmons, D.A. Ritchie and M. Pepper, "Gradual decrease of conductance of an adiabatic ballistic constriction below 2e²/h", to be published in Phys. Rev. B (2004).
34. Dmitry Sheglov, Sergey Kosolobov and Ekaterina Rodyakina, Alexander Latyshev, “Some Advantages of AFM Involvement in Epitaxial Nanotechnology”, Microscopy&Analysis, in press.
35. D.V. Sheglov, A.V. Latyshev, A.L. Aseev, The deepness enhancing of an AFM-tip induced surface nanomodification, Applied Surface Science, in press.
36. D.G. Baksheyev, A.A. Bykov, V.A. Tkachenko, O.A. Tkachenko , L.V. Litvin, A.V. Latyshev, A.L. Aseev, O. Estibals and J.-C. Portal, COULOMB INTERACTION OF TRIANGULAR QUANTUM DOTS IN A SMALL RING INTERFEROMETER, International Journal of Nanoscience, Vol. 2, No. 6 (2003) 495-503.
37. О.А. Ткаченко, В.А. Ткаченко, Д.Г. Бакшеев, «Волновые функции баллистического электрона и отрицательное магнитосопротивление в малом кольцевом интерферометре» Письма в ЖЭТФ, т.79, 351 (2004).
38. Щеглов Д.В. «Наноразмерная модификация поверхности полупроводников и металлов зондом атомно-силового микроскопа» – Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Новосибирск, 2004. Диссертация защищена 29 июня 2004 г. на заседании диссертационного совета К003.037.01 в ИФП СО РАН.
39. Настаушев Ю.В., Принц В.Я. «Способ создания нанотрубок». Патент на изобретение № 2238239. Зарегистрирован в Госреестре 20 октября 2004 г. Приоритет 03.04.2003 г.
40. V.L. Alperovich, O.E. Tereshchenko, N.S. Rudaya, D.V. Sheglov, A.V. Latyshev, A.S. Terekhov, “Surface passivation and morphology of GaAs(1 0 0) treated in HCl-isopropanol solution”, Applied Surface Science, in press.
41. I.V. Sabinina, A.K. Gutakovsky, Yu.G. Sidorov, A.V. Latyshev, “Nature of V-shaped defects in HgCdTe epilayers grown by molecular beam epitaxy, Crystal Growth, in press.

- доклады, опубликованные в трудах конференций:

1. D.V. Sheglov, Yu.V. Nastaushev, E.E. Rodyakina, O.V. Naumova, I.V. Antonova, V.P. Popov, A.V. Latyshev and A.L. Aseev “AFM-tip induced nanolithography on ultra thin SOI for nanodevice fabrication”.-12th International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, St Petersburg, Russia, 2004, pp.199-200.
2. L.I. Fedina, , A.L. Chuvilin, A.K. Gutakovskii . On the mechanism of {113} defect formation in Si. Proceedings of 10^th International conference on Extended Defects in Semiconductors. September 11-17, 2004.
3. E.B.Olshanetsky, V.A.Tkachenko, O.A.Tkachenko, Z.D.Kvon, V.Renard, D.V.Scheglov, A.V.Latyshev, and J.C.Portal “The effect of microscopic state of a ballistic ring on the Aharonov-Bohm oscillations temperature dependence”, Workbook of 16th International Conference on High Magnetic Fields in Semiconductor Physics, ThP23, Tallahassee, USA, 2004.
4. A.V. Latyshev, D.V. Sheglov, E.E. Rodyakina, S.S.Kosolobov, D.A. Nasimov, AFM of nanostructures: growth and fabrication, International conference of Scanning Probe Microscopy, May 2004, Nizhny Novgorod, Russia, p. 19-21.
5. A.V. Latyshev, Silicon based nanostructure fabrication: in situ characterization, growth mechanisms and anomalies, 12th International symposium “NANOSTRUCTURES: Physics and technology”, St Petersburg, Russia, June 21-25, 2004, p.316-317.
6. M.D. Efremov, S.A. Arzhannikova, V.A. Volodin, L.I. Fedina, A.K. Gutakovskii and S.A. Kochubei “Phonon-electron interaction in Si nanocrystals formed in a-Si films by pulse excimer laser impact”, 12th International symposium “NANOSTRUCTURES: Physics and technology”, St Petersburg, Russia, June 21-25, 2004, p.308-309.
7. A.I. Nikiforov, V.V. Ulyanov, O.P. Pchelykov, S.A. Teys and A.K. Gutakovsky “Germanium quantum dots formation on silicon and silicon oxide surface by MBE”, 12th International symposium “NANOSTRUCTURES: Physics and technology”, St Petersburg, Russia, June 21-25, 2004, p.316-317.
8. D. Sheglov, E. Rodyakina and A. Latyshev, Complex modification of surface by AFM probe: “TINE&MEMO” Technique, International Phantoms conference “Ultimate Lithography and Nanodevice Engineering”, Agelonde, France 13-16, June 2004.
9. А.Л. Асеев, В.Н. Пармон, А.В. Латышев, А.К. Гутаковский, Г.Н. Крюкова, В.Г. Кеслер «Опыт работы центров коллективного пользования по электронной микроскопии и исследованию поверхности при Сибирском Отделении Российской Академии Наук», Всероссийская конференция «Центры коллективного пользования: состояние и перспективы развития», Санкт-Петербург, 31 Мая - 2 июня, 2004 г.
10. Л.И. Федина, Т.С. Шамирзаев, А.К. Гутаковский, А. Л.Чувилин, А.Г.Черков, М.С. Сексенбаев, В.Ю.Яковлев. Атомная структура дислокаций в Si и их фотолюминесценция. Тезисы докладов Совещания «Кремний 2004», Иркутск, 5-9 июля 2004г. Издательство Института Географии СО РАН, 2004, 244с.
11. Yu.V. Nastaushev, V.M. Kudryashov, F.N. Dultsev, T.A. Gavrilova, M.M. Kachanova, D.V. Sheglov, A.A. Franzusov, V.P. Popov, A.V. Latyshev and A.L. Aseev “100-nm MOSFET-GATE FORMATION BY E-BEAM LITHOGRAPHY”.- Second Conference of the Asian Consortium for Computational Materials Science “ACCMS-2”, Novosibirsk, 2004, Abstracts, p. 134.
12. А.В.Латышев, С.С.Косолобов, Д.В.Щеглов, Д.А.Насимов, А.Л.Асеев, “Структурные процессы на поверхности монокристаллов кремния при сублимации и эпитаксии”, Совещание по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе, Кремний 2004, Иркутск, тезисы докладов, с. 98.
13. А.Р.Галимзянов, С.С.Косолобов, Д.В.Щеглов, А.В.Латышев, "Применение метода фазового контраста в АСМ для анализа процессов адсорбции и эпитаксиального роста", Национальная конференция по росту кристаллов, Москва, 2004.
14. С.С.Косолобов, К.Н.Гарбузов, А.В.Латышев, А.Л.Асеев, "Влияние адсорбции золота и кислорода на структурные процессы на поверхности кремния при молекулярно лучевой эпитаксии". Национальная конференция по росту кристаллов, Москва, 2004.
15. D.V.Sheglov, A.V.Latyshev, A.L.Aseev, “AFM TIP-INDUCED NANO ELECTRO- MECHANICAL SURFACE MODIFICATION” Second Conference of the Asian Consortium for Computational Materials Science “ACCMS-2”, Novosibirsk, 2004, Abstracts, p. 137.
16. Yu.V. Nastaushev, O.V. Naumova, F.N. Dultsev, L.V. Litvin, M.M. Kachanova, D.V. Sheglov, V.P. Popov, A.V. Latyshev, A.L. Aseev “GATE DIELECTRIC BASED ON TiO₂ FOR SOI NANODEVICES” .- Second Conference of the Asian Consortium for Computational Materials Science “ACCMS-2”, Novosibirsk, 2004, Abstracts, p. 135.
17. Федина Л.И., Шамирзаев Т.С., Гутаковский А.К., Чувилин А.Л., Черков А.Г., Сексенбаев М.С., Яковлев В.Ю., «Атомная структура дислокаций и их фотолюминесценция», Четвертая Российская конференция по проблемам получения и очистки рафинированного металлургического кремния и создания на его основе материала для солнечных батарей. «Кремний-2004» Иркутск, 5-9 июля 2004 г.
18. L. Fedina, A. Chuvilin, A. Gutakovskii, “On the mechanism of {113} defect formation in Si: a study by in situ HREM irradiation”, 13th European Microscopy Congress, EMC-2004, August 22-27, 2004, Antwerp. Belgium.
19. L.Fedina, A.Chuvilin, A.Gutakovskii. On the mechanism of {113} defect formation in Si, 10^th International Conference on Extended Defects in Semiconductors, EDS-2004, Москва, 2004.
20. Соколов Л.В, Болховитянов Ю.Б., Гутаковский А.К., Дерябин А.С., М.А. Ревенко М.А. «Релаксация напряжений несоответствия в гетеросистемах GeSi/Si(001), выращенных низкотемпературной МЛЭ., сборник тезисов Кремний 2004, Иркутск, 5-9 июля, 2004, с. 155.
21. G.A. Kachurin, V.A. Volodin, D.I. Tetelbaum, D.V.Marin, A.K. Gutakovsky, A.F. Leier, A.N. Mikhaylov, A.G. Cherkov, “Luminescent Si nanocrystals in SiO₂ layers by ion-beam synthesis with intermediate annealing”, V-th Inter. Conf. "Ion Implantation and Other Applications of Ions and Electrons" (ION 2004). Poland, June 2004.
22. G.A. Kachurin, V.A. Volodin, S.G. Cherkova, V.G. Kesler, A.K. Gutakovsky, D.I. Tetelbaum, H. Becker, “Synthesis and modification of light-emitting Si nanocrystals in non-stoichiometric SiO₂”, Fourth International Conference on Inorganic Materials, Antwerp, Belgium, Sept. 2004.

- приглашенные доклады на конференциях, симпозиумах, совещаниях и т.д:

1. A.V.Latyshev, Silicon based nanostructure fabrication: in situ characterization, growth mechanisms and anomalies, 12th International symposium “NANOSTRUCTURES: Physics and technology”, St Petersburg, Russia, June 21-25, 2004, p.316-317.
2. А.К.Гутаковский «Диагностика полупроводниковых материалов современными методами просвечивающей электронной микроскопии», Научно-Технический семинар фирмы «TOKYO BOEKI Ltd», Южно – Уральский государственный университет, Челябинск, 13–14 мая 2004 г.
3. А.Л.Асеев, В.Н.Пармон, А.В.Латышев, А.К.Гутаковский, Г.Н.Крюкова, В.Г.Кеслер «Опыт работы центров коллективного пользования по электронной микроскопии и исследованию поверхности при Сибирском Отделении Российской Академии Наук», Всероссийская конференция «Центры коллективного пользования: состояние и перспективы развития», Санкт-Петербург, 31 Мая - 2 июня, 2004г.
4. Л.И. Федина, Т.С. Шамирзаев, А.К. Гутаковский, А. Л.Чувилин, А.Г.Черков, М.С. Сексенбаев, В.Ю. Яковлев. Атомная структура дислокаций в Si и их фотолюминесценция. Тезисы докладов Совещания «Кремний 2004», Иркутск, 5-9 июля 2004г. Издательство Института Географии СО РАН, 2004, 244с.
5. D.Sheglov, E.Rodyakina and A.Latyshev, Complex modification of surface by AFM probe: “TINE&MEMO” Technique, International Phantoms conference “Ultimate Lithography and Nanodevice Engineering”, Agelonde, France 13-16, June 2004.

ПУБЛИКАЦИИ

2003

- опубликованные и принятые к печати работы в рецензируемых журналах

1. D.A.Nasimov, D.V.Sheglov, E.E.Rodyakina, S.S.Kosolobov, L.I.Fedina, S.A.Teys and A.V.Latyshev, "AFM and STM studies of quenched Si(111) surface", Physics of Low-Dimensional Structures, 2003, №3/4 с.157-166.
2. А.К. Бакаров, А.А. Быков, Н.Д. Аксенова, Д.В. Щеглов, А.В, Латышев, А.И. Торопов, Соизмеримые осцилляции магнетосопротивления двумерного электронного газа в GaAs квантовых ямах с корругированными гетерограницами, Письма в ЖЭТФ, 2003, т.77, №12, стр. 662-665.
3. I.E. Kalabin, T.I. Grigorieva, L.D. Pokrovsky, D.V. Sheglov, D.I. Shevtsov and V.V. Atuchin, NANOFACETING OF LiNbO3 X-CUT SURFACE BY HIGH TEMPERATURE ANNEALING AND TITANIUM DIFFUSION, Optics Communications, V221/4-6, pp. 359-363,2003.
4. D.V. Sheglov, A.V. Latyshev and A.L. Aseev, “Nano-patterning On Flat Surfaces By AFM Tip”, Proceedings of the 12th International Conference on Scanning Tunneling Microscopy/Spectroscopy and Related Techniques (STM'03), in press.
5. D.V. Sheglov, Yu.V. Nastaushev, A.V. Latyshev and A.L.Aseev, Nano-Pattering of silicon based nanostructures by AFM probe, International Journal of Nanoscience, 2003 , in press.
6. R. Bilyalov, J. Poortmans, R. Sharafutdinov, S. Khmel, V. Schukin , O. Semenova, L. Fedina, “Micro- and Polycrystalline Silicon Films For Solar Cells Obtained By Gas-Jet Electron-Beam PECVD Method” // IEE Proceedings Circuits, Devices and Systems, 2003, V.150, Issue 4, p.293-299 (invited).
7. М.Д. Ефремов, В.А. Володин, Л.И.Федина, А.К. Гутаковский, Д.В. Марин, С.А. Кочубей, А.А.Попов, Ю.А.Миноков, В.Н.Уласюк. Получение нанокристал-лических пленок кремния на подложках из полиимида. Письма ЖТФ, 2003, том 29, № 13, с. 89-94.
8. M.D.Efremov, V.A.Volodin, L.I.Fedina, A.K.Gutakovskii, D.V.Marin, S.A.Kochubei, A.A.Popov, Yu.A.Minakov, V.N.Ulasyuk. Laser Crystallization of Thin a-Si Films on Plastic Substrates Using Excimer Laser Treatments. Solid State Phenomena, Vols. 95-96 (2003), pp. 29-34.
9. R. Bilyalov, J. Poortmans, R. Sharafutdinov, S. Khmel, V. Shchukin, O. Semenova, L. Fedina, B. Kolesov, “Microcrystalline silicon films for solar cells obtained by gas-jet electron –beam PECVD method” // Proceeding of the 3 World Conference on Photovoltaic Energy Conversion. – 11-18 May. – 2003. – Osaka, Japan, 4 pages, in press.
10. О.В. Наумова, И.В. Антонова, В.П. Попов, Ю.В. Настаушев, Т.А. Гаврилова, Л.В. Литвин, А.Л. Асеев, «КНИ-нанотранзисторы: перспективы и проблемы реализации»,- Физика и Техника Полупроводников, Т. 37, Вып. 10, С. 1253-1259, 2003.
11. O.V. Naumova, I.V. Antonova, V.P. Popov, N.V. Sapognikova, Yu.V. Nastaushev, E.V. Spesivtsev, A.L. Aseev, "Conductance oscillations near bonded interface in the ultra thin silicon-on-insulator layers at the room temperature",- Microelectronic Engineering , Vol.66, pp.457-462 (2003).
12. Yu.V. Nastaushev, T.A. Gavrilova, M.M. Kachanova, O.V. Naumova, I.V. Antonova, V.P. Popov, L.V. Litvin, D.V. Sheglov, A.V. Latyshev and A.L. Aseev, "Field effect nanotransistor on ultrathin silicon-on-insulator",- “International Journal of Nanoscience”, 3 (2004) 155-160.
13. O.V. Naumova, I.V. Antonova, V.P. Popov, Yu.V. Nastaushev, T.A. Gavrilova, L.V. Litvin, A.L. Aseev, “Modification of silicon-on-insulator structures under nano-scale device fabrication”",- Microelectronic Engineering, 69 (Issues 2-4), pp. 168-172, 2003.
14. R.G.Sharafutdinov, V.M.Karsten, S.Ya.Khmel, A.G.Cherkov, A.K.Gutakovskii, L.D.Pokrovsky, O.I.Semenova “Epitaxial silicon films deposited at high rates by gas-jet electron beam plasma CVD” Surface and Coating Technology, 173-174 (2003), 1178-1181.
15. И.Е. Тысченко, А.Б. Талочкин, А.Г. Черков, К.С. Журавлев, А. Мисюк, М. Фельсков, В. Скорупа "Свойства нанокристаллов Ge, сформированных имплантацией ионов Ge⁺ в пленки SiO₂ и последующим отжигом под гидростатическим давлением"//ФТП, т.37, вып 4 с. 479- 484 (2003).
16. M.A.Putyato, Yu.B. Bolkhovityanov, S.I. Chikichev, D.F. Feklin, A.M. Gilinsky, A.K. Gutakovskii, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Revenko, B.R.Semyagin and K.D. Chtcherbatchev «InP decomposition phosphorus beam source for MBE: design, properties and superlattice growth, Semicond. Sci. Technol., 18 (2003) 417–422.
17. D.I. Tetelbaum, S.A. Trushin, A.N. Mikhaylov, V.K. Vasiljev, G.A. Kachurin, S.G. Yanovskaya, D.M. Gaponova. The influence of the annealing conditions on the photoluminescence of ion-implantad SiO₂:Si nanosystem at additional phosphorus implantation. Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. V.16. No.3-4. P.410-413, 2003.
18. Г.А. Качурин, С.Г. Яновская, Д.И. Тетельбаум, А.Н. Михайлов. Влияние имплантации ионов Р на фотолюминесценцию нанокристаллов Si в слоях SiO₂. ФТП, т.37, в.6, с.738, 2003.
19. В.А. Бурдов, Д.М. Гапонова, О.Н. Горшков, Г.А. Качурин, А.Н. Михайлов, Д.И. Тетельбаум, С.А. Трушин, С.Г. Яновская. Некоторые особенности влияния ионного легирования фосфором на фотолюминесценцию слоев SiO₂:Si. Известия АН, сер. физ., 67, №2, 184-186, 2003.
20. H Bender, O Richard, L Nistor, A Gutakovskii, C Stuer and C Detavernier, «Structural characterisation of advanced silicides», To be published in the proceeding of Microscopy of Semiconducting Materials 2003, Inst. Phys. Conf. Ser., 10 pages.
21. N.Stenina, A.Gutakovskii “TEM study of incommensurate phases in minerals: implication for materials science”, Materials Chemistry and Physics, 81 (2003), 237-240.
22. Ю.Б. Болховитянов, А.С. Дерябин, А.К. Гутаковский, М.А. Ревенко, Л.В. Соколов. Оптимизация пластической релаксации механических напряжений несоответствия в гетероструктурах Ge_xSi_1-x/Si(001) (x ≤ 0.61). Письма в ЖТФ, 2004, т. 30, в. 2, стр. 61-65.
23. I.E. Tyschenko, A.B. Talochkin, A.K. Gutakovskii, V.P. Popov. “Recrystallization of Silicon on Insulator Layers Implanted with High Doses of Hydrogen Ions”. Solid State Phenomena, v. 95-96 (2004) 23-28.
24. И.Е. Тысченко, В.П. Попов, А.Б. Талочкин, А.К. Гутаковский, К.С. Журавлев. Формирование пленок нанокристаллического кремния имплантацией больших доз ионов Н⁺ в слои кремния на изоляторе и последующим быстрым термическим отжигом. ФТП, т. 38, в. 1, с. 111-116. (2004).
25. E. Tyschenko, A.B. Talochkin, A.G. Cherkov, and K.S. Zhuravlev “Optical transitions in Ge nanocrystals formed by high-pressure annealing of Ge⁺ ion implanted SiO₂ films”//Solod State Communication (in press).

- доклады, опубликованные в трудах конференций:

1. Д.В. Щеглов, В.Л. Альперович, Н.С. Рудая, А.С. Терехов, А.В. Латышев и А.Л. Асеев, « Диагностика электрофизических свойств поверхности полупроводников зондом АСМ». VI Российская конференция по физике полупроводников, Полупроводники 2003, Санк-Петербург, Тезисы докладов, стр.232.
2. С.С. Косолобов, Д.В. Щеглов, Д.А. Насимов, Е.Е. Родякина,Л.И. Федина, А.В. Латышев, А.Л. Асеев, «Анализ структуры ступенчатых поверхностей кремния методом атомно-силовой микроскопии», VI Российская конференция по физике полупроводников, Полупроводники 2003, Санк-Петербург, Тезисы докладов, стр.122.
3. А.В.Попова, Д.В. Щеглов, А.И. Торопов, «Формирование микрорельефа поверхности GaAs(001) при молекулярно-пучковой эпитаксии», VI Российская конференция по физике полупроводников, Полупроводники 2003, Санк-Петербург, Тезисы докладов, стр.265.
4. А.К. Бакаров, А.А. Быков, А.В. Горан, Д.В. щеглов, Н.Д. Аксенова, А.В. Латышев, А.И. Торопов, «Латеральная потенциальная модуляция двумерного электронного газа в GaAs квантовых ямах с корругированными гетерограницами», VI Российская конференция по физике полупроводников, Полупроводники 2003, Санк-Петербург, Тезисы докладов, стр.338.
5. A.V. Latyshev, D.V. Sheglov, E.E. Rodyakina, S.S.Kosolobov, D.A.Nasimov and A.L. Aseev, AFM contributions in epitaxy, SCANNING PROBE MICROSCOPY - 2003 International Workshop, Nizhny Novgorod, Procedings, pp.3-7, 2003.
6. N.I.Plusnin, V.M.Iliyashenko, A.P.Milenin, V.V.Rybnikov, S.A.Kitan A.V.Latyshev, A.A.Bykov, D.V.Sheglov, L.I.Fedina, FAST RE-EVAPORATION OF 3-D METAL NANOLAYERS ON SILICON AND THEIR STUDY BY AES, EELS, AFM AND CONDUCTIVITY MEASUREMENTS, ASCIN-7 Nara, Japan, 2003 in press.
7. Dmitry Sheglov, Dmitry Kwon, Alexander Toropov, Alexander Latyshev and Alexander Aseev, “Nanoscale local anodic oxidation and direct scratching of GaAs films by AFM probe”, Tenth APAM topical seminar and third conference "Materials of Siberia" "NANOSCIENCE AND TECHNOLOGY", Novosibirsk, Proceedings, 2003, pp.245-246.
8. I.E. Kalabin, T.I.Grigorieva, L.D. Pokrovsky, D.V. Sheglov, D.I. Shevtsov, V.V. Atuchin, “Surface structure and optical properties of proton-exchanged Ti-diffused LiNbO₃ waveguides”, Proc.SPIE Vol.4944, p.146-149, 2003.
9. I.E. Kalabin, T.I.Grigorieva, L.D. Pokrovsky, D.V. Sheglov, D.I. Shevtsov, V.V. Atuchin, “Surface structure of proton-exchanged Ti-diffused lithium Niobade single crystal”, Tenth APAM topical seminar and third conference "Materials of Siberia" "NANOSCIENCE AND TECHNOLOGY", Novosibirsk, Proceedings, 2003, pp.256-257.
10. V.V. Atuchin, M.A.Litvinov, N.Yu. Maklakova, L.D. pokrovsky, V.N.Semenenko, and D.V. Sheglov, Nano-size TiO₂, “Anatase, particles precipitation on KTiOPO4 surface by annealing”, Tenth APAM topical seminar and third conference "Materials of Siberia" "NANOSCIENCE AND TECHNOLOGY", Novosibirsk, Proceedings, 2003, pp.181-182.
11. D.V. Sheglov, Yu.V. Nastaushev, A.V. Latyshev and A.L. Aseev, Nano-patterning of silicon based nanostructures by AFM probe, 11th International Symposium NANOSTRUCTURES: Physics and Technology, St Petersburg, 2003, Proceedings, pp.143-144.
12. Yu. V. Nastaushev, T.A. Gavrilova, M.M. Kachanova, O.V. Naumova, I.V. Antonova, V.P.Popov, L.V. Litvin, D. V. Sheglov, A. V. Latyshev and A. L. Aseev, Field effect nanotransistor on ultrathin silicon-on-insulator, 11th International Symposium NANOSTRUCTURES: Physics and Technology, St Petersburg, 2003, Proceedings, pp.240-241.
13. Калабин И.Е., Азанова И.С., Атучин В.В., Щеглов Д.В., Шевцов Д.И., «Стабильность оптических свойств и микрорельеф поверхности Н:Ti:NL волноводных слоев», Тезисы Научно-технической конференции «Аэрокосмическая техника и технологии – 2003», стр 78.
14. Калабин И.Е., Григорьева Т.И., Покровский Л.Д., Атучин В.В., Щеглов. Д.В., Шевцов Д.И., «Нестабильность оптических свойств и морфология поверхности волноводных слоев Н_хLi_1-хMO₃ (M=Nb, Ta)», Материалы 6 международной конференции «Кристаллы: рост, свойства , реальная структура, применение» 8-12 сентября 2003, Александров, ВНИИСИМС, стр 187.
15. В.В. Атучин, М.А. Литвинов, Н.Ю. Маклакова, Л.Д. Покровский, В.Н. Семененко, И.С. Солдатенков, Д.В. Щеглов. «Автоэпитаксия нанокластеров KTiOPO4 на плоксости (001) кристалла KTiOPO₄ при отжиге», Материалы XV международного совещания «Рентгенография и Кристаллохимия Минералов» Санкт-Петербург 15-19 сентября, 2003», стр 329.
16. D.V. Sheglov, A.V. Latyshev, A.L. Aseev, “Nano-patterning on flat surfaces by AFM tip”, 12th International Conference on Scanning Tunneling Microscopy Eindhoven, Netherlands (STM'03), in Press, 2003.
17. Soldatenkov I.S., Atuchin V.V., Kirpichnikov A.V., Mikhailov E.V., Sheglov D.V., “Kinoform optical elements in fused silica for high-power laser optics”, Proc. IEEE, 03th8697, 5-th International Workshop on Lazer and Fiber-Optical Networks Modeling, 19-20 september, 2003, Alushta, Crimea, Ukraine, pp.227-229.
18. Atuchin V.V., Soldatenkov I.S., Kirpichnikov A.V., Pestryakov E.V., Sheglov D.V., Multilevel kinoform microlens arrays in fused silica for high-power laser Optics, June 30- July 4, 2003, St.-Petersburg, Russia, XI Conference on Laser Optics.
19. Д.В. Щеглов, С.С. Косолобов, А.В. Латышев и А. Л. Асеев, Структурные трансформации поверхности кремния (111) при субмонослойной адсорбции золота и меди, III Российская конференция по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе, Кремний 2003, Москва, тезисы докладов, стр. 277.
20. Ю.В. Настаушев, О.В. Наумова, И.В. Антонова, Т.А. Гаврилова, Л.В. Литвин, С.Ф. Девятова, Ф.Н. Дульцев, Д.В. Щеглов, В.П. Попов, А.В. Латышев и А. Л. Асеев, Приборные структуры в нанометровых слоях кремния на изоляторе, III Российская конференция по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе, («Кремний-2003»), Москва, МИСиС, Тезисы докладов, стр.325-326, 2003.
21. C.C. Косолобов, Д.В. Щеглов, Д.А. Насимов, А.В. Латышев, Атомно-силовая микроскопия ступенчатых поверхностей кремния, XIII Российский симпозиум по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел, Черноголовка, тезисы докладов, 2003, стр. 54.
22. Ю.В. Настаушев, В.М. Кудряшов, Т.А. Гаврилова, Д.В. Щеглов, М.М. Качанова, Ф.Н. Дульцев, В.П. Попов, А.В. Латышев, А.Л.Асеев, Особенности электронно-лучевой литографии при создании полевых нанотранзисторов на КНИ, XIII Российский симпозиум по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел, Черноголовка, тезисы докладов, 2003, стр. 102.
23. А.Г.Черков, В.Г.Щукин, С.Я.Хмель, О.И.Семенова, Л.И.Федина. «Исследование пленок кремния, осажденных из сверхзвуковых потоков, активированных электронно-пучковой плазмой», Третья Российская конференция по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе, Москва, 26-30 мая 2003 года. Р.Г.Шарафутдинов.
24. R. Bilyalov, J. Poortmans, R. Sharafutdinov, S. Khmel, V. Shchukin, O. Semenova, L. Fedina, B. Kolesov, “Microcrystalline silicon films for solar cells obtained by gas-jet electron –beam PECVD method”, 3 World Conference on Photovoltaic Energy Conversion. – 11-18 May. – 2003. – Osaka, Japan.
25. М.Д.Ефремов, В.А.Володин, С.А.Кочубей, Л.И.Федина, А.А.Гутаковский, Д.В.Марин, А.В.Вишняков, С.А.Аржанникова, А.А.Попов, Ю.А.Минаков, В.Н.Уласюк. Наноструктурированные пленки кремния на стеклянных и пластиковых подложках: получение и свойства, IV Российская Конференция по физике полупроводников, Санкт-Петербург, 27-31 октября.
26. M.D.Efremov, V.A.Volodin, S.A.Arzhannikova, A.V.Vishnyakov, S.A.Kochubei, L.I.Fedina, A.K.Gutakovskii. Nanostructured Si films on glass and plastic substrates: synthesis and properties, X APAM Topical Seminar “Nanoscience and Technology”, Novosibirsk, 2003.
27. Yu. Nastaushev, T. Gavrilova, M. Kachanova, L. Nenasheva, O. Naumova, L. Litvin, V. Popov, A. Aseev, "Electron Nanolithography for SOI Nanoelectronic Devices Fabrication and Research",- X APAM Topical Seminar and III Conference "Materials of Siberia" "Nanoscience and Technology", Novosibirsk, June 2-6, Proceedings, pp. 226-227, 2003.
28. O.P. Pchelyakov, A.I. Toropov, V.P. Popov, A.V. Latyshev, L.V. Litvin, Yu.V. Nastaushev, A.V. Dvurechensky, A.L. Aseev, “Quantum Size Effects and Nanoelectronic Devices”,- X APAM Seminar and III Conference "Materials of Siberia" "Nanoscience and Technology", Novosibirsk, June 2-6, 2003, Proceedings, p. 223.
29. Yu.V. Nastaushev, T. Gavrilova, M. Kachanova, O. Naumova, I. Antonova, V. Popov, A. Aseev, "FET on ultrathin SOI (fabrication and research)",-SPIE International Conference on Microlithography, Emerging Lithographic Technologies VII, 2003, 5037-132.
30. O.V. Naumova, I.V. Antonova, V.P. Popov, Y.V. Nastaushev, T.A. Gavrilova, M.M. Kachanova, L.V. Litvin, A.L. Aseev, “FET on Ultrathin SOI (Fabrication and Research)” International Conf. "Micro- and nanoelectronics- 2003" October 6th-10th, 2003, Moscow-Zwenigorod, Russia, Abstracts, O1-10, SPIE, в печати.
31. В.П. Попов, А.А. Французов, О.В. Наумова, Н.В. Сапожникова, И.В. Антонова, Ю.В. Настаушев, Т.А. Гаврилова, Л.В. Литвин, А.Л. Асеев, «КНИ-нанотранзисторы и их свойства »,-Третья Российская конференция по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе («Кремний-2003»). Москва, МИСиС, 2003, Тезисы докладов, стр.341-343.
32. О.В. Наумова, И.В. Антонова, В.П. Попов, Ю.В. Настаушев, Т.А. Гаврилова, Л.В. Литвин, А.Л. Асеев, «Нанотранзисторы на структурах кремний на изоляторе, альтернативные классическому МОП-транзистору»,- VI Российская конференция по физике полупроводников. Санкт-Петербург, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, 2003, Тезисы докладов, стр.493-494.
33. А.К.Гутаковский «Диагностика полупроводниковых материалов современными методами просвечивающей электронной микроскопии», VI Российская конференция по физике полупроводников, Санкт-Петербург, 27-31 октября 2003, тезисы докладов, с.120-122.
34. А.К.Гутаковский «Современная просвечивающая электронная микроскопия для исследования структуры и химического состава полупроводниковых материалов», Научно-Технический семинар фирмы «TOKYO BOEKI Ltd» Днепропетровск -2003.
35. Tyschenko, A. Talochkin, A. Cherkov “Raman Characterization of Unstrained and Hydrostatically Compressed Ge Nanocrystals in SiO2 matrix” // Novosibirsk, proceedings of X APAM TOPICAL SEMINAR and III CONFERENCE “Materials of Siberia” p. 284 (2003).
36. E. tyschenko, V. P. Popov, A. B. Talochkin, A. K. Gutakovskii, K. S. Zhuravlev. The formation of nanocrystalline-nanoporous Si films by pulse annealing of the high-dose H+ ion implanted silicon-on-insulator structures. X APAM Topical Seminar and III Conference “Materials of Siberia”, “Nanoscience and Technology”, Proc., 2-6 June, 2003, Novosibirsk, Russia, 2003, p. 228-229.
37. I.E. Tyschenko, A.B. Talochkin, A.K. Gutakovskii, V.P. Popov. Recrystallization of Silicon on Insulator Layers Implanted with High Doses of Hydrogen Ions. In: "Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology" (GADEST'2003).
38. Р.Г. Шарафутдинов*, А. Г. Черков, В.Г.Щукин*, С.Я. Хмель* О. И. Семёнова, Л. И. Федина ” Исследования плёнок кремния, осаждённых из сверхзвуковых потоков, активированных электронно-пучковой плазмой”//Москва 2003, тезисы III Российской конференции по по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе “Кремний 2003” с. 271, 272.
39. М.Д. Ефремов, В.А. Володин, С.А. Кочубей, Л.И. Федина, А.К. Гутаковский, Д.В. Марин, А.В. Вишняков, С.А. Аржанникова, А.А. Попов, Ю.А. Минаков, В.Н. Уласюк «Наноструктурированные пленки кремния на стеклянных и пластиковых подложках: получение и свойства», VI Российская конференция по физике полупроводников, Санкт-Петербург, 27-31 октября 2003, тезисы докладов, с.492-493.
40. Ю.Б. Болховитянов, А.С. Дерябин, А.К. Гутаковский, А.В. Колесников, М.А. Ревенко, Л.В.Соколов, Роль низкотемпературного буферного слоя Si в пластической релаксации гетероструктур Ge_xSi_1-x/Si(001) (x=0.18-0.62), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. «Кремний-2003», Москва, 2003 г.
41. Ю.Б. Болховитянов, А.С. Дерябин, А.К. Гутаковский, А.В. Колесников, М.А. Ревенко, Л.В.Соколов, Пластическая релаксация механических напряжений несоответствия в гетероструктурах Ge_xSi_1-x/Si(001) со ступенчатым изменением состава пленок. «Кремний-2003», Москва, 2003.
42. A.G.Pogosov, M.V.Budantsev, A.E.Plotnikov, A.K.Bakarov and A.I.Toropov Commensurability oscillations of thermopower in a two-dimensional square lattice of antidots, Proceedings of11th International Symposium NANOSTRUCTURES: Physics and Technology, St Petersburg, Russia, 23-28, June 2003.
43. А.Г. Погосов, М.В. Буданцев, А.Е. Плотников, А.К. Бакаров, А.И. Торопов Термоэдс в твердотельных наноструктурах, Тезисы VI Российской конференций по физике полупроводников, стр. 102, Санкт-Петербург, 27-31 октября, 2003 г.

- приглашенные доклады:

1. А.К.Гутаковский «Диагностика полупроводниковых материалов современными методами просвечивающей электронной микроскопии», VI Российская конференция по физике полупроводников, Санкт-Петербург, 27-31 октября 2003, тезисы докладов, с.120-122.
2. А.К.Гутаковский «Современная просвечивающая электронная микроскопия для исследования структуры и химического состава полупроводниковых материалов», Научно-Технический семинар фирмы «TOKYO BOEKI Ltd» Днепропетровск -2003.
3. Gutakovskii, A.Aseev “HREM characterization of low dimensional structures and interfaces”, Autumn School 2003 on Advanced Materials Science and Electron Microscopy, «New developments in nanostructured materials – synthesis, characterization, functionality», Humboldt University of Berlin, Institute of Physics, September 27 th – October 1 st, 2003.

ПУБЛИКАЦИИ

2005

- опубликованные и принятые к печати работы в рецензируемых журналах

1. Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, M.A. Revenko, L.V. Sokolov. Strain relaxation of GeSi/Si(001) heterostructures grown by low-temperature molecular beam epitaxy. J. Appl. Phys., 2004, v. 96, No 12, p.7665-7674.
2. Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, M.A. Revenko, L.V. Sokolov. Direct observations of dislocation half-loops inserted from the surface of the GeSi heteroepitaxial film. Appl. Phys. Lett. 2004, v. 85, No 25, p. 6140-6142.
3. А.И. Никифоров, В.В. Ульянов, О.П. Пчеляков, С.А. Тийс, А.К. Гутаковский «Получение наноостровков Ge ультрамалых размеров с высокой плотностью на атомарно-чистой поверхности окиси кремния», Физика твердого тела, 2005, том 47, вып.1., с.67- 69.
4. Nikiforov, AI; Ulyanov, VV; Pchelyakov, OP; Teys, SA; Gutakovsky, AK, Germanium nanoislands formation on silicon oxide surface by molecular beam epitaxy, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2005, 8 (1-3): p. 47-50.
5. Г.А.Качурин, В.А.Володин, Д.И.Тетельбаум, Д.В.Марин, А.Ф.Лейер, А.К.Гутаковский, А.Г.Черков, А.Н.Михайлов «Формирование кремниевых нанокристаллов в слоях SiO2 при имплантации ионов Si с промежуточными отжигами», Физика и техника полупроводников, 2005, т.39, вып.5, с.582-586.
6. Sabinina, IV; Gutakovsky, AK; Sidorov, YG; Latyshev, A., Nature of V-shaped defects in HgCdTe epilayers grown by molecular beam epitaxy, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2005, 274, p.339-346.
7. Berdinsky, AS; Chadderton, LT; Yoo, JB; Gutakovsky, AK; Fedorov, VE; Mazalov, LN; Fink, D, Structural changes of MoS2 nano-powder in dependence on the annealing temperature, APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2005, v.80, No1, p. 61-67.
8. Сидоров Ю.Г., Торопов А.И., Шашкин В.В., Овсюк В.Н., Гайслер В.А., Гутаковский А.К., Латышев А.В., Ткаченко В.А., Квон З.Д., Двуреченский А.В., Пчеляков О.П., Принц В.Я., Попов В.П., Асеев А.Л. Развитие нанотехнологий и их применение для разработки устройств полупроводниковой электроники, Автометрия, 2004, т.40, №2, с. 4-19.
9. А.К. Гутаковский, А.Л. Асеев Исследование полупроводниковых гетеросистем современными методами просвечивающей электронной микроскопии, Нанотехнологии в полупроводниковой электронике (под ред. А.Л. Асеева), издательство СО РАН, 2004, с.154-179.
10. A.V. Dvurechenskii, J.V. Smagina, R. Groetzschel, V.A. Zinovyev, V.A. Armbrister, P.L. Novikov, S.A. Teys and A.K. Gutakovskii, Ge/Si quantum dot nanostructures grown with low-energy ion beam-assisted epitaxy, Surface and Coatings Technology, 2005, v.196, Issues 1-3, p. 25-29.
11. Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, M.A. Revenko, L.V. Sokolov, Heterostructures Ge_xSi_1-x/Si(001) grown by low temperature (300 - 400°C) molecular beam epitaxy: Misfit dislocation propagation, J. Cryst.Growth, 2005, v.280, 1-2, p.309-319.
12. М.Ю. Ладанов, А.Г. Милехин, А.И. Торопов, А.К. Бакаров, А.К. Гутаковский, Д.А. Тэннэ, Ш. Шульце, Д.Р.Т. Цан, Интерфейсные фононы в полупроводниковых наноструктурах с квантовыми точками, ЖЭТФ, 2005, 101, с.554-561.
13. Д.Д. Ри, В.Г. Мансуров, А.Ю. Никитин, К.С. Журавлев, А.К. Гутаковский, П. Тронк,-Кинетика фотолюминесценции вюрцитных GaN квантовых точек в матрице AlN,- Письма в ЖЭТФ, 2005, т.81, вып.2, с. 70-73.
14. Е.Б. Горохов, В.А. Володин, Д.В. Марин, Д.А. Орехов, А.Г. Черков, А.К. Гутаковский, В.А. Швец, А.Г. Борисов, М.Д. Ефремов, Влияние квантово-размерного эффекта на оптические свойства нанокристаллов Ge в пленках GeO₂ \ Физика и техника полупроводников, 2005, т.39, вып.10, с.1210-1217.
15. Yu.V. Nastaushev, V.Ya. Prinz, S.N. Svitasheva “A technique for fabricating Au/Ti micro- and nanotubes”.- Nanotechnology Vol.16, 2005, pp.908-912.
16. Т.И. Батурина, Ю. А. Цаплин, А. Е. Плотников, М. Р. Бакланов. «Аномальное поведение вблизи T{c} и синхронизация андреевского отражения в двумерных решетках SNS-переходов».- Письма в ЖЭТФ. 2005. Т. 81, Вып. 1. С. 12-17.
17. T.I. Baturina, Yu. A. Tsaplin, A. E. Plotnikov, and M. R. Baklanov. “Anomalous Behavior near Tc and Synchronization of Andreev Reflection in Two-Dimensional Arrays of SNS Junctions”.- JETP Letters. 2005. V. 81, Issue 1, pp. 10-14.
18. А. Г. Погосов/, М. В. Буданцев, Р. А. Лавров, А. Е. Плотников, А. К. Бакаров, А. И. Торопов. “Наблюдение соизмеримых осцилляций термоэдс в решетке антиточек “.- Письма в ЖЭТФ. 2005. Т. 81, Вып. 9. С. 12-17.
19. A.G. Pogosov, M.V. Budantsev, R.A. Lavrov, A.E. Plotnikov, A.K. Bakarov, and A.I. Toropov. “Observation of Commensurability Oscillations of Thermopower in an Antidot Lattice”.- JETP Letters. 2005. V. 81, Issue 9, pp. 462-466.
20. D.V. Sheglov, S.S. Kosolobov, E.E. Rodyakina and A.V. Latyshev, “Applications of atomic force microscopy in epitaxial nanotechnology”.-Microscopy and analysis, 19 (5) (2005), 9-11.
21. A.L. Aseev, S.S. Kosolobov, A.V. Latyshev, Se Ahn Song, A.A.Saranin, A.V. Zotov and V.G. Lifshits, “In situ REM and ex situ SPM studies of silicon (111) surface”.- Phys. Stat. Sol. (a), 202, 12 (2005) 2344-2354.
22. S.S. Kosolobov, S.A. Song, L.I. Fedina, A.K. Gutakovski and A.V. Latyshev, "Instability of the Distribution of Atomic Steps on Si(111) upon Submonolayer Gold Adsorption at High Temperatures".- JETP Letters Vol. 81 No. 3 (2005). 117-121.
23. С.С. Косолобов, С.А. Цонг, Л.И. Федина, А.К. Гутаковский, А.В.Латышев, "Нестабильность распределения атомных ступеней на Si(111) при субмонослойной адсорбции золота при высоких температурах" Письма в ЖЭТФ том. 81, вып. 3 (2005), с. 149-153.
24. D.V. Sheglov, A.V. Latyshev and A.L. Aseev, The deepness enhancing of an AFM-tip induced surface nanomodification, Applied Surface Science, Volume 243, Issues 1-4, 30 April 2005, Pages 138-142.
25. V.T. Renard, I.V. Gornyi, O.A. Tkachenko, V.A. Tkachenko, Z.D. Kvon, E.B. Olshanetsky, A.I. Toropov, and J.-C. Portal, Quantum corrections to the conductivity and Hall coefficient of a two-dimensional electron gas in a dirty Al_xGa_1-xAs/GaAs/Al_xGa_1-xAs quantum well: From the diffusive to the ballistic regime, Phys. Rev. B 72, 075313 (2005).
26. Щеглов Д.В., Латышев А.В. Асеев А.Л., Российский патент, «Способ создания окисных пленок» (заявка 2004123698/02(025511) одобрена в 2005).
27. Ю.В. Настаушев, О.В. Наумова, В.П. Попов «Полевой нанотранзистор».- Патент Российской Федерации № 2250535 от 20.04.2005 г., Бюл.№11.

- доклады, опубликованные в трудах конференций:

1. O.A. Tkachenko, V.A. Tkachenko, Z.D. Kvon, D.G. Baksheev, J.-C. Portal, and A.L. Aseev, Steering of electron wave in three-terminal small quantum dot. In Proc. 13th Intl. Symp. Nanostructures: Physics and Technology (St. Petersburg, Russia, 20-25 June 2005), pp. 8-9.
2. O.A. Tkachenko, V.A. Tkachenko, D.G. Baksheev, and J.-C. Portal, Mesoscopical behavior of Aharonov-Bohm effect in small ring interferometer. In Proc. 13th Intl. Symp. Nanostructures: Physics and Technology (St. Petersburg, 2005), pp. 205-206.
3. V.T. Renard, O.A. Tkachenko, Z.D. Kvon, E.B. Olshanetsky, A.I. Toropov, J.-C. Portal, and I.V. Gornyi, Observation of quantum corrections to the transport coefficients of a 2DEG up to 110 K, . In Proc. 13th Intl. Symp. Nanostructures: Physics and Technology (St. Petersburg, 2005), pp. 401-402.
4. Z.D. Kvon, V.A. Tkachenko, A.E. Plotnikov, V.A. Sablikov, V. Renard, and J.C. Portal. “Conductance of a Multiterminal Ballistic Wire”.- AIP Conference Proceedings. June 30, 2005. Volume 772, Issue 1, pp. 911-912.
5. Yu.B. Bolkhovityanov, S.I. Chikichev, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, M.A. Revenko, L.V. Sokolov. /Molecular beam epitaxy of GeSi/Si heterostructures : artificial substrates for advanced semiconductor devices./ Int. Conf. “ Crystal Materials’ 2005”, May 30 – June 2, 2005, Scientific & Tech. Corp. “Inst for Single Crystals”, Kharkov, UKRAINE, Abstracts book, p. 67.
6. N.G.Stenina, A.K.Gutakovskii, L.M.Plyasova, Generation of hydrocarbons: Mechanism of reaction, geologic and experimental evidence, Proceeding of the Eight Biennial SGA Meeting, Beijing, China, 18-21 August, 2005, p.2-27.
7. Н.В. Галкин, Д.Л. Горошко, С.А. Доценко, В.О. Полярный, А.М. Маслов, Е.А. Чусовитин, А.К. Гутаковский, Т.С. Шамирзаев, К.С. Журавлев, А.В. Латышев, W. Park, Y.S. Park “Формирование электрические и люминесцентные свойства многослойных эпитаксиальных кремниевых структур с захороненными кластерами дисцилида железа Полупроводники 2005. Москва, 18-23 сентября 2005 г. (Звенигород, пансионат «Ершово»). Тезисы докладов, стр. 71.
8. A.G. Cherkov, K.V. Feklistov, A K. Gutakovskiy, V.I. Obodnikov and L.I. Fedina \\ Boron precipitates of nm size formed by high-dose implantation and annealing in silicon,International Autumn School on Materials Science and Electron Microscopy 2005 “Microscopy of Tomorrow’s Industrial Materials”/ poster #1 in section “semiconductors ” Berlin, 2005г.
9. О.В. Наумова, Ю.В. Настаушев, Ф.Н. Дульцев, А.С. Медведев, Л.А. Ненашева, А.К. Гутаковский, Д.В. Щеглов, А.В. Латышев, А.Л. Асеев, В.П. Попов, Свойства тонких пленок Ti на кремнии после окисления и азотирования, Полупроводники 2005. Москва, 18-23 сентября 2005 г. (Звенигород, пансионат «Ершово»). Тезисы докладов, стр. 327.
10. Е.Б.Горохов, В.А. Володин, Д.В. Марин, М.Д. Ефремов, А.Г. Черков, А.К. Гутаковский, А.Г. Борисов, В.А.Швец, Оптические свойства нанокристаллов Ge в GeO2: влияние квантоворазмерного эффекта, Полупроводники 2005. Москва, 18-23 сентября 2005 г. (Звенигород, пансионат «Ершово»). Тезисы докладов, стр. 261.
11. А.К.Гутаковский, А.Л.Чувилин, Применение высокоразрешающей электронной микроскопии для визуализации и количественных измерений полей деформации в гетеросистемах, Полупроводники 2005. Москва, 18-23 сентября 2005 г. (Звенигород, пансионат «Ершово»). Тезисы докладов, стр. 195.
12. И.Б. Чистохин, А.К. Гутаковский, А.С. Дерябин, Структура и электронный транспорт в поликристаллических пленках SiGe для микроболометров, Полупроводники 2005. Москва, 18-23 сентября 2005 г. (Звенигород, пансионат «Ершово»). Тезисы докладов, стр. 168.
13. Г.А. Качурин, С.Г. Черкова, А.К. Гутаковский, Д.И. Тетельбаум, Д.В. Марин. «Действие ионного облучения на кремниевые наноструктуры". Материалы XVII Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью», 2005, т. 2, с. 82-85.
14. G.A. Kachurin, S.G. Cherkova, V.A. Volodin, A.K. Gutakovsky, D.I. Tetelbaum. Radiation effects in Si nanostructures. Intern. Conf. GADEST-2005 (France).
15. 15. G.A. Kachurin, S.G. Cherkova, V.A. Volodin, A.K. Gutakovsky, D.I. Tetelbaum. Ion beam induced defects in Si nanocrystals. Intern. Conf. IBA-2005 (Spain).
16. G.A. Kachurin, S.G. Cherkova, V.A. Volodin, D.V. Marin, V.G. Kesler, A.K. Gutakovsky, D.I. Tetelbaum, H. Becker. Thermal and laser annealing of Si nanocrystals, implanted with B and P ions. Meeting MRS-2005 Spring (USA).
17. G.A. Kachurin, S.G. Cherkova, V.A. Volodin, A.K. Gutakovsky, D.I. Tetelbaum. Radiation Effects in Si Nanostructures. Meeting MRS-2005 Fall (USA).
18. G.A. Kachurin, S.G. Cherkova, V.A. Volodin, A.K. Gutakovsky, D.I. Tetelbaum. Ion implantation in Si nanocrystals embedded in SiO₂ layers. Intern. Conf. SEMINANO-2005 (Hungary).
19. G.A. Kachurin, S.G. Cherkova, V.A. Volodin, D.V. Marin, A.K. Gutakovsky, D.I. Tetelbaum, H. Becker. Implantation of B and P ions in Si nanostructures with subsequent thermal and laser annealing. Intern. Conf. EMRS-2005 (France).
20. О.В. Наумова, Ю.В. Настаушев, Ф.Н. Дульцев, А.С. Медведев, А.К. Гутаковский, Д.В. Щеглов, А.В. Латышев, А.Л. Асеев, В.П. Попов «Свойства тонких пленок титана на кремнии после окисления и азотирования».- VII Российская конференция по физике полупроводников. 2005. Тезисы докладов.
21. O.A. Tkachenko, V.A. Tkachenko, D.G. Baksheyev, Realistic modeling of submicron ballistic structures, Advanced Research Workshop, Fundamentals of electronic nanosystems, NanoPiter 2005,(St. Petersburg, June 25 - July 1, 2005), pp. 30-31.
22. В.А. Ткаченко, О.А. Ткаченко, З.Д. Квон, А.Л. Асеев, Интерференция и рулевое управление электроном в малой открытой трехвходовой квантовой точке, VII Российская конференция по физике полупроводников. Тезисы докладов Полупроводники 2005. (Москва, Звенигород, 2005) с.111.
23. О.А. Ткаченко, В.А. Ткаченко, Д.В. Щеглов, А.В. Латышев, А.Л. Асеев, Структурная диагностика и теория малых кольцевых интерферометров, VII Российская конференция по физике полупроводников. Тезисы докладов Полупроводники 2005. (Москва, Звенигород, 2005) с.264.

- приглашенные доклады на конференциях, симпозиумах, совещаниях и т.д:

1. А.В. Латышев, Д.В. Щеглов, Атомно-силовая микроскопия полупроводниковых наноструктур: диагностика и литография, симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, март 2005.
2. A.V.Latyshev, Atomistic aspect of silicon surface processes studied by in situ electron microscopy and atomic force microscopy, Autumn School on "Microscopy of tomorrow's industrial materials”, Humboldt University of Berlin, October 2005.