Сканирующая электронная микроскопия

Сканирующая электронная микроскопия

Эффективным и информативным методом структурного анализа поверхности является сканирующая электронная микроскопия (СЭМ). Этот метод, не являясь разрушающим методом, позволяет оперативно проводить количественный морфологический анализ и измерение линейных размеров микрорельефа поверхности твердотельных структур с разрешением до одного нанометра. Применение источника полевой эмиссий для формирования диагностического пучка, позволяет сканирующей электронной микроскопии визуализировать неоднородности рельефа в пределах одного монослоя, проводить анализ химического состава поверхности с помощью встроенного блока энерго-дисперсионного анализа, определять электрическую активность дефектов по методике наведенного тока и т.д.

Сканирующий электронный микроскоп LEO 1430 (LEO Electron Microscopy LTD, Англия)
  • Пространственное разрешение 3,5 нм;
  • Ускоряющее напряжение 200В÷30кВ
  • Ток пучка 1 пА÷1 мкмА
  • Увеличение 15х÷300кх
  • Угол наклона образца 0°÷90°
  • Давление в камере лучше, чем 2×10-6 Торр


Специалист:н.с. Гаврилова Т.А. (ТК к. 107, тел. 330-90-82)

Примеры изображений, полученные методом СЭМ:

Монокристаллы серебра, созданные взрывом

Полупроводниковая нанооболочка с управляемой кривизной поверхности (Воробьёв А.Г., лаб.№7)

Болометрический детектор ИК излучения (Фомин Б.И., лаб. №19)

Микроструктура Si (селективное газовое травление, Девятова С.Ф. лаб. №14)

Массив киральных структур из напряженной плёнки Si0.65Ge0.35/Si0.85Ge0.15 (24 нм) с осажденным на них слоем Pd толщиной 26 нм. Предназначен для управления поляризацией ТГц излучения (Голод С.В., Наумова Е.В и др., лаб.7 совместно с ИНХ СО РАН)

Двумерный массив In0.2Ga0.8As/GaAs/Ti/Au микроспиралей на подложке GaAs. Предназначен для управления поляризацией ТГц излучения (Наумовой Е.В. и др., лаб.7)

h-MoO3 (гексогональнальный, содержит водород) (Атучин В.В., лаб.№6)

Мезопористый рутил (TiO2) (Атучин В.В., лаб. №6)

Массив тонкоплёночных InGaAs/GaAs/Ti/Au одновитковых парных спиралей. Предназначен для ТГц неотражающих покрытий и линз с субволновым разрешением ( Голод С.В. и др., лаб.7)