Сверхвысоковакуумный отражательный электронный микроскоп

СВВ ОЭМ позволяет проводить in situ эксперименты при высоких температурах, имеет высокую чувствительность к элементам структуры поверхности и обеспечивает пространственное разрешение, достаточное для визуализации индивидуальных моноатомных ступеней (высотой 0.31 нм на Si(111) и 0.14 нм на Si(001)), двумерных островков и сверхструктурных доменов при высокой температуре (например, 1300 °С). Оборудование для СВВ ОЭМ не выпускается и, согласно литературным обзорам, метод СВВ ОЭМ в наиболее полном объёме реализован в Токийском Институте Технологий (Япония) и в Институте физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН. Система СВВ ОЭМ включает устройство дифференциальной криогенной откачки, обеспечивающее сверхвысокий вакуум в районе образца, и позволяет нагрев и охлаждение образцов от температуры жидкого азота до температуры плавления; имеется возможность проводить осаждение на исследуемую поверхность атомов различных элементов из молекулярных пучков.

СВВ ОЭМ на базе ПЭМ JEM-7A (JEOL, Япония) СВВ условия вокруг образца (Рост<10-9 Торр) Резистивный нагрев (Si(111) до 1400 °C) Ускоряющее напряжение до 150 кВ Режим дифракции Осаждение различных элементов из молекулярных пучков Проведение in situ экспериментов при высоких температурах

Специалисты: с.н.с. Косолобов С.С., ТК к. 106, т. 330-90-82 аспирант Ситников С.В., ТК к. 106 аспирант Рогило Д.И., ТК к. 106 студент Петров А.С., ТК к. 106

Результаты и изображения, полученные методом ОЭМ (из-за малого угла падения электронов на поверхность изображения сжаты по одной из осей в 30-50 раз):

		Формирование контраста на ОЭМ изображении
		Моноатомные островки на поверхности Si(111)
Спиралевидная ступень, формирующаяся в месте выхода винтовой дислокации на поверхность	Эффект торможения атомных ступеней на частицах SiC