Федина Людмила Ивановна

ведущий научный сотрудник, к.ф.-м.н.

тел. 330-90-82, вн. 1263

105 ТК

email:

Научная деятельность: In situ высоковольтная и высокоразрешающая просвечивающая электронная микроскопия. Механизмы кластеризации собственных точечных дефектов, формирование и атомная структура протяженных дефектов в кремнии при различных технологических воздействиях (окисление, имплантация, эпитаксия). Топологические дефекты.

Образование:
1972 г. - окончила Новосибирский государственный технический университет по специальности физическая электроника.
В 1991 г. - защитила кандидатскую диссертацию.
В 1998 г. присвоено звание старший научный сотрудник.

Трудовая деятельность: основное место работы - Институт физики полупроводников. 1973-1975 аспирантура НЭТИ. 1976-1982 – НИС НГУ - м.н.с. 1983 - по настоящее время - ИФП СО РАН, где с 1989 г. - в должности в.н.с.

Педагогическая деятельность: руководство студентами, аспирантами, соискателями.

Избранные публикации: с 1973 по 2012 гг. опубликовано 85 научных работ. Среди опубликованных работ можно выделить следующие оригинальные статьи, характеризующие область научной деятельности:

  • Л.Н.Александров, Е.А.Криворотов, Р.Н.Ловягин, Л.И.Федина. Электронно-микроскопические исследования начальных стадий роста эпитаксиальных пленок кремния на реальной поверхности кремния и германия при ионном распылении. 1974. Известия АН СССР, сер. физ. Т.38, в. №7. 5с.
  • F. L. Edelman, L. N. Aleksandrov, V. S. Latuta, L. I. Fedina. The structure of GeO2 films grown on Ge. 1976. Thin.Solid Films. Vol.34. 127-136. Л.И.Федина, В.М.Кудряшов, А.Асеев. Анализ структуры дефектов упаковки окисления в кремнии с помощью методов электронной микроскопии. 1985, Электронная техника., сер.3, микроэлектроника. В.1. с.43-45.
  • L. Fedina, A. Aseev. Study of point defects interaction with dislocation in silicon by means of irradiation in an electron microscope. 1986, Phys.stat.sol.(a). Vol.95, 517-529.
  • Л.И.Федина, А.Л.Асеев, С.Г.Денисенко, Л.С.Смирнов. Пороговая энергия образования точечных дефектов в кремнии по данным электронной микроскопии. 1987, Физика и техника полупроводников. Т.21, в.4. 6с.
  • Л.И.Федина, А.Л.Асеев. Взаимодействие точечных дефектов с атомами бора и фосфора в кристаллах кремния при большой скорости генерации вакансионно-междоузельных пар. 1990, Физика твердого тела, т.32,№1.
  • А.Качурин, Л.И.Федина, И.Е.Тысченко. Структурные нарушения в кремнии, облученном ионами при 600-1100оС. 1990, Поверхность. Физ.хим.мех.№1. L. Fedina, S. Denisenko, A. Aseev. Self-interstitial atoms and structure of intrinsic getter in Si crystals. 1991, Solid State Phenomena. Vol.20, 20-24.
  • В.Ф. Тришункин, Л.Федина, Е.Б.Горохов, А.Л.Асеев, В.Л.Денисов, А.Н.Бельц, А.Л.Чулинина, Б.Г.Тепман. Авторское свидетельство №1635827 (СССР). Способ формирования внутреннего геттера в пластинах кремния. ДСП, №795, 26.07.91.
  • J. L. Hutchison, A. Aseev, L. Fedina, {113} defects in He+ implanted Germanium.1993, Inst.Phys.Conf.Ser.No. Oxford 1993, 134, 1993, 41-46. L. Fedina, J. Van Landuyt, J. Vanhellemont. Observation of vacancy clustering in FZ-Si during in situ electron irradiation in a high voltage electron microscope. 1996, Nucl. Instr. and Methods in Phys. Res. B, Vol. 112, 133-138.
  • L. Fedina, A. Gutakovskii, A. Aseev, J. Van Landuyt, J. Vanhellemont, On the mechanism of {111} defect formation in silicon studied by in situ electron irradiation in a high resolution electron microscope. 1998, Philosophical Magazine A, Vol. 77, No2, 423-435
  • V. Buschmann, L. Fedina, G. Van Tendeloo, M. Rodewald. A new model for the (2x1) reconstructed CoSi2/Si(001) interface based on the intermediate defect configuration. 1998, Philosophical Magazine Letters, No.2, 12-17.
  • Fedina, L.; Gutakovskii, A.; Aseev, A.; Landuyt, van, Joseph; Vanhellemont, J. - Extended defects formation in Si crystals by clustering of intrinsic point defects studied by in-situ electron irradiation in an HREM - In: Phys. stat. sol: A: applied research, 171:1(1999), p. 147-157. http://hdl.handle.net/10067/214120151162165141
  • L. Fedina, O. Lebedev, G. Van Tendeloo, J. Van Landuyt, O. Mironov, E. Parker. In situ HREM irradiation study of point defect clustering in in MBE-grown strained GexSi1-x/(001)Si heterostructure, 2000, Physical Review B, Volume 61, issue 15 (April 15, 2000), p. 10336-10345. ISSN: 0163-1829.
  • Л. И Федина. О рекомбинации и взаимодействии точечных дефектов с поверхностью при кластеризации точечных дефектов в Si. 2001, ФТП, т. 35, № 9, стр. 1120-1127.
  • L. Fedina, A. Gutakovskii, A. Aseev. FZ-Si crystal growth and HREM study of new types of extended defects during in situ electron irradiation. 2001, J. Crystal Growth, V. 229, pp. 1-5.
  • LI Fedina, SA Song, AL Chuvilin, AK Gutakovskii and AV Latyshev, On the mechanism of {113}-defect formation in Si, In; Microscopy of semiconducting Materials, Proceedings of the 14th Conference, April 11-14 2005, Oxford UK, A.G. Cullis and J.L. Hutchison (eds.), Springer proceedings in Physics No 107, 2005 pp. 359-362.
  • Konstantin Feklistov, Ludmila I. Fedina, Boron nonuniform precipitation in Si at the Ostwald ripening stage, Physica B 404, 4641-4644 (2009). Л.И.Федина, Д.В.Щеглов, А.К. Гутаковский, С.С. Косолобов, А.В. Латышев, Прецизионные измерения параметров наноструктур, Автометрия, т.46 (2010), №4, с. 5-18.
  • L I Fedina, D V Sheglov, S S Kosolobov, A K Gutakovskii and A V Latyshev, Precise surface measurements at the nanoscale. Meas. Sci. Technol. 21 (2010) 054004 (6pp) doi:10.1088/0957-0233/21/5/054004

Монографии, главы монографий, обзоры:

  • А.Л.Асеев, Л.И.Федина, Х.Барч, Д.Хеэль. Скопления междоузельных атомов в кремнии и германии. Книга, «Наука», Сиб. отд., 1991, 147с.
  • A. Aseev, L. Fedina, D. Hoehl, H. Barsch, Clusters of interstitial atoms in Silicon and Germanium. Academy Verlag, Berlin, 1994, 152p.
  • Fedina, L.; Gutakovskii, A.; Aseev, A.; Landuyt, van, Joseph; Vanhellemont, J. - Intrinsic point defect clustering in Si: a study by HVEM and HREM in situ electron irradiation - In: In-situ microscopy in materials research: leading international research in electron and scanning probe microscopies. Pratibha, L. Gai [edit.]: Kluwer Academic, 1997. p. 63-92 (invited). http://hdl.handle.net/10067/214120151162165141
  • Liudmila I Fedina. "On the roles of bulk recombination of intrinsic point defects in Si and their interaction with the surface in the course of {113} defect growth: a kinetic study by in situ HVEM irradiation". -In: Defects and Diffusion in Semiconductors, Trans Tech. Public. Ed. by D. J. Fisher, 2002, (V. 210-212), pp. 21-36 (invited). DOI: 10.4028/www.scientific.net/DDF.210-212.21.
  • Л.И.Федина, А.Л.Асеев. "Атомные механизмы кластеризации собственных точечных дефектов в Si". Нанотехнологии в полупроводниковой электронике(под редакцией А.Л.Асеева), Издательство СОРАН, 2004, с.179-201 (глава 5).

Щеглов Дмитрий Владимирович

старший научный сотрудник, к.ф.-м.н.

тел. 330-90-82, вн. 1275

107 ТК

email:

Шалыгина Надежда Алексеевна

инженер-технолог 1 категории

тел. 330-90-82, вн. 1288, 1294

109, 351 ТК

email:

Образование: окончила Новосибирский электротехнический институт связи (НЭИС) по специальности многоканальная электросвязь.

Трудовая деятельность: с 1977 г. по настоящее время работает инженером-технологом 1 категории в Институте физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН.

Премии и награды: ветеран СО РАН.

Общественная деятельность: с 1986 по 1988 работала в профкоме ИФП СО РАН.

Шкляев Александр Андреевич

ведущий научный сотрудник, д.ф.-м.н.

тел. 8-913-001-0085

НОК НГУ

email:

Область научных интересов: Эпитаксиальный рост полупроводниковых слоёв, морфология поверхностей германия и кремния, сканирующая туннельная микроскопия, люминесценция, двумерные фотонные кристаллы.

Образование: 1974г. - окончил НГУ по специальности физика
1981 г. - защитил к.ф.-м.н. и 2008 д.ф.-м.н.

Трудовая деятельность: в.н.с. ИФП СО РАН с 2008 года.

Избранные публикации: с 1977 по 2013 гг. опубликовано 85 научных работ. Среди опубликованных:

Монографии, главы монографий, обзоры:

  • Shklyaev A.A. and Ichikawa M., Chapter 8, Single and Highly Dense Germanium/Silicon Nanostructures, in Handbook of Semiconductor Nanostructures and Nanodevices, Vol. 1, edited by A.A. Balandin and K.L. Wang (American Scientific Publishers, California, 2006), p. 337-387.
  • Шкляев А.А. и Ичикава М., Создание наноструктур германия и кремния с помощью зонда сканирующего туннельного микроскопа, УФН, 2006, т. 176, № 9, стр. 913-930.
  • Ichikawa M. and Shklyaev A., Formation of Si and Ge nanostructures at given points by using surface microscopy and ultrathin SiO2 film technology, in Nanoscience and technology. Lateral alignment of epitaxial quantum dots, edited by Schmidt O.G. (Springer, Berlin, 2007), p. 569-588.
  • Шкляев А.А. и Ичикава М., Предельно плотные массивы наноструктур германия и кремния, УФН, 2008, т. 178, № 2, стр. 139-169.

Оригинальные работы:

  • Shklyaev A.A., Shibata M. and Ichikawa M., High-density ultrasmall epitaxial Ge islands on Si(111) surfaces with a SiO2 coverage, Phys. Rev. B 2000, v. 62, № 3, p. 1540-1543.
  • Shklyaev A.A., Nobuki S., Uchida S., Nakamura Y., Ichikawa M., Photoluminescence of Ge/Si structures grown on oxidized Si surfaces, Appl. Phys. Lett. 2006, v. 88, p. 121919-1-3.
  • Shklyaev A. A., Dultsev F. N., Mogilnikov K. P., Latyshev A. V. and Ichikawa M., Electroluminescence of dislocation-rich Si layers grown using the oxidized Si surfaces, J. Phys. D: Appl. Phys. 44 (2011) 025402-1—7.
  • Шкляев А. А., Романюк К. Н., Латышев А. В., Аржанников А. В., Влияние дислокаций на форму островков при росте кремния на оксидированной поверхности Si(111), Письма в ЖЭТФ 2011, Т.94, Вып. 6, С.477-480.
  • Shklyaev A. A., Kozhukhov A. S., Armbrister V. A. and Gulyaev D. V., Surface morphology of Si layers grown on SiO2. Appl. Surf. Sci. available online 20 May 2012.
  • Shklyaev A. A., Gulyaev D. V., Zhuravlev K. S., Latyshev A. V., Armbrister V. A. and Dvurechenskii A. V., Resonant photoluminescence of Si layers grown on SiO2, Optics Communications, 2013, V. 286, P. 228–232.

Шевченко Галина Николаевна

инженер-технолог 1 категории

тел. 330-78-86, вн. 1248

321 ТК

Образование: 1970 г. – окончила химико-технологический техникум по специальности технология изделий из пластмасс.

Трудовая деятельность: с 1977 г. по настоящее время работает инженером-технологом 1 категории в Институте физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН.

Премии и награды: медаль к 100-летию В.И. Ленина (1970 г.), является Ветераном СО РАН.

Общественная деятельность: с 1986-1989 гг. работала в комиссии социального страхования.

  1. Черков Александр Глебович
  2. Уткин Дмитрий Евгеньевич
  3. Ткаченко Ольга Александровна
  4. Ткаченко Виталий Анатольевич