В журнале Nature описан метод субволновой фокусировки с помощью подстройки волнового фронта падающей волны...

На настоящий момент техпроцесс производства микросхем достиг линейного разрешения литографического оборудования 22 нм. Элементы формируются путём экспонирования маски светом с длиной волны 193 нм (ArF лазер) с применением иммерсионной оптики и сложных фазовых масок. В дальнейшем управление ближним полем будет играть ключевую роль в развитии субволновой оптики. Существующие подходы, такие как оптическая микроскопия сверхвысокого разрешения и использование плазмонных элементов, не позволяют непосредственно контролировать компоненты ближнего поля, и их применение часто существенно ограничено особенностями конструкции. В журнале Nature описан метод субволновой фокусировки с помощью  подстройки волнового фронта падающей волны. Для этого был использован тонкий слой краски со случайно расположенными наночастицами. Обычная оптика позволяет контролировать только распространяющиеся дальнепольные компоненты, что дифракционно ограничивает пространственный фокус λ/2 (Рис. b). При распространении света через плотную среду каждый акт рассеяния переводит исходный волновой вектор k в многочисленные значения k на выходе, которые содержат как дальне- так и ближнепольные компоненты. При этом распределение k на выходе из среды случайно (Рис. c). Оптимизируя волновой фронт падающей волны с помощью фазовой маски, можно добиться фазовой подстройки волновых векторов ближнепольных компонент рассеянного света и, соответственно, субволновой фокусировки на исследуемом объекте (Рис. d). В эксперименте 729 входных каналов были оптимизированы с использованием пространственной модуляции света и одновременным контролем выходного сигнала ближнепольной оптической микроскопией. Предложенный метод позволил добиться фокусировки λ/3.88 для длины волны лазера 632.8 нм. Описанная схема может найти применения в областях нанолитографии, наноэлектроники и нанофотоники. А.А.Лямкина

Рассеяние света на наночастицах: спеклы наблюдаются с использованием обычной оптики и с использованием ближнепольной оптической микроскопии.

Принцип ближнеполной оптической микроскопии рассеянного излучения.