СОТРУДНИКИ

Протасов Дмитрий Юрьевич с.н.с., к.ф.-м.н.

Изучение процессов переноса носителей заряда в гетероструктурах AlGaN/GaN и AlGaAs/InGaAs/GaAs, разработка технологии изготовления и исследование полупроводниковых приборов на основе соединений арсенида галлия и нитрида галлия.