Публикации

ПУБЛИКАЦИИ

Журналы

    2024

  1. N.N. Kurus, V. Kalinin, N.A. Nebogatikova, I.A. Milekhin, I.V. Antonova, E.E. Rodyakina, A.G. Milekhin, A.V. Latyshev, D.R.T. Zahn, Resonant Raman Scattering on Graphene: SERS and gap-mode TERS, RCS Advances, 14, 3667-3674 (2024), IF=3.9, Q2 10.1039/D3RA07018B
  2. S.A. Ponomarev, K.E. Zakhozhev, D.I. Rogilo, A.K. Gutakovsky, N.N. Kurus, K.A. Kokh, D.V. Sheglov, A.G. Milekhin, A.V. Latyshev, Low-defect-density SnSe2 films nucleated via thin layer crystallization, Journal of Crystal Growth, 631, 127615-1-5 (2024), Q2, IF=1,815, Doi:10.1016/j.jcrysgro.2024.127615
  3. А.В. Тараненко, Л.С. Басалаева, В.В. Фёдоров, В.С. Тумашев, А.Г. Милёхин, Усиление комбинационного рассеяния света в нанопроволоках GaP с галлиевой каплей, Автометрия, в печати

    4. 2023

  4. Pan Y. , He L., Milekhin I., Milekhin A. and Zahn D.R.T., Competing mechanisms of local photoluminescence quenching and enhancement in the quantum tunneling regime at 2D TMDC/hBN/plasmonic interfaces, Appl.Phys.Lett., v.122, pp.233106-6, 2023. DOI-PP. 10.1063/5.0152050
  5. Kurus N.N., Milekhin I.A., Nebogatikova N.A., Antonova I.V., Rodyakina E.E., Milekhin A.G., Latyshev A.V., Zahn D.R.T. Plasmon-Enhanced Raman Scattering by Multilayered Graphene at the Micro-and Nanoscale-PP. SERS and TERS Analysis. The Journal of Physical Chemistry C. v. 127, pp. 5013-5020, 2023. DOI-PP. 10.1021/acs.jpcc.2c07972
  6. Basalaeva L.S., Grafova V.P., Duda T.A., Kurus N.N., Vasiliev R.B., Milekhin A.G. Phonons of Atomically Thin ZnSe Nanoplatelets Grown by the Colloidal Method. The Journal of Physical Chemistry C. v. 127, №27, р 13112-13119, 2023. DOI-PP. 10.1021/acs.jpcc.3c02111
  7. Milekhin I., Anikin K., Kurus N. N., Mansurov V.G., Malin T.V., Zhuravlev K.S., Latyshev A.V., Zahn, D.R.T. Local phonon imaging of AlN nanostructures with nanoscale spatial resolution. Nanoscale Advances, v.5, №10, рp. 2820-2830, 2023, DOI-PP. 10.1039/D3NA00054K
  8. Милёхин А.Г., Басалаева Л.С., Курусь Н.Н., С.А. Кузнецов, Родякина Е.Е., Милёхин И.А., Васильев Р.Б., Гутаковский А.К. Мультиспектральное усиление и детектирование ИК-поглощения в полупроводниковых и органических наноматериалах на массивах металлических наноантенн. Вестник РФФИ, 1 (117), с. 109, 2023. DOI-PP. 10.22204/2410-4639-2022-114-02-.
  9. Krivonogova A.Y., Kurus N.N., Milekhin I.A., Milekhin A.G., Kolosvetov A.A. Optical Properties of Two-Dimensional Islands of Tungsten Disulfide (WS2). In 2023 IEEE 24th International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM) pp. 190-193, (2023), doi-PP. 10.1109/EDM58354.2023.10225062
  10. Калачев И.В., Милёхин И.А., Емельянов Е.А., Преображенский В.В., Тумашев В.С., Милёхин А.Г., Латышев А.В., Спектроскопия комбинационного рассеяния света и фотолюминесценция нанопроволок GaAs, Автометрия, №6, стр.3-11, (2023) DOI-PP. 10.15372/AUT20230601
  11. Милёхин А.Г., Милёхин И.А., Курусь Н.Н., Сайджонов Б.М., Васильев Р.Б. , Кривоногова А.Ю., Латышев A.В., Zahn D.R.T., Глава «Плазмон-усиленная оптическая спектроскопия полупроводниковых наноструктур» в книге Квантовые структуры для посткремниевой электроники, Под редакцией А.В. Латышева, Новосибирск, Параллель, 2023, с. 208-219, ISBN 978-5-98901-273-2
  12. Милёхин И.А., Курусь Н.Н., Басалаева Л.С., Милёхин А.Г., Чиглинцев Э.О., Чернов А.И., Латышев А.В. Ближнепольная фотолюминесценция монослоев WS2 и MoS2, выращенных методом газофазного химического осаждения, Сибирский физический журнал, том 18, № 4, 94-103 (2023), 10.25205/2541-9447-2023-18-4-94-103
  13. Mansurov V., Malin T., Golyashov V., Milakhin D., Zhuravlev K. Investigation of the effect of different types of SiN layers and cap-GaN on the surface electronic states of AlGaN/GaN heterostructures with 2DEG using X-ray and UV photoelectron spectroscopy. Applied Surface Science, v. 640, 158313, 2023. DOI-PP. 10.1016/j.apsusc.2023.158313
  14. Estyunina T.P., Shikin A.M, Estyunin D.A., Eryzhenkov A.V., Klimovskikh I.I., Bokai K.A., Golyashov V.A., Kokh K.A., Tereshchenko O.E., Kumar S., Shimada K., Tarasov A.V. Evolution of Mn1−xGexBi2Te4 electronic structure under variation of Ge content. Nanomaterials, 13, 2151, 2023. DOI-PP. 10.3390/nano13142151.
  15. Aksenov M.S., Genze I.Yu., Chistokhin I.B., Zakirov E.R., Dmitriev D.V., Zhuravlev K.S., Gutakovskii A.K., Golyashov V.A., Tereshchenko O.E. Annealing effect on the barrier characteristics and interface properties of Au/Pt/Ti/n-InAlAs Schottky contacts. Surfaces and Interfaces, v. 39, 102920, 2023.
  16. Tanaka H., Telegin A.V., Sukhorukov Y.P., Golyashov V.A., Tereshchenko O.E., Lavrov, T. Matsuda A.N., Matsunaga R., Akashi R., Lippmaa M., Arai Y., Ideta S., Tanaka K., Kondo T., Kuroda K., Semiconducting electronic structure of the ferromagnetic spinel HgCr2Se4 revealed by soft-x-ray angle-resolved photoemission spectroscopy. Physical Review Letters, 130, 186402, 2023.
  17. Закиров Е.Р., Кеслер В.Г., Сидоров Г.Ю., Голяшов В.А., Терещенко О.Е., Марин Д.В., Якушев М.В. Жидкостные методы химической обработки поверхности HgCdTe. Журнал структурной химии, т.64, №3, 108216, 2023.
  18. Tarasov A.V., Makarova T.P., Estyunin D.A., Eryzhenkov A.V., Klimovskikh I.I., Golyashov V.A., Kokh K.A., Tereshchenko O.E., Shikin A.M. Topological phase transitions driven by Sn doping in (Mn1−xSnx)Bi2Te4. Symmetry, 15 (2), 469, 2023.
  19. Tereshchenko O.E., Golyashov V.A., Rusetsky V.S., Kustov D.A., Mironov A.V., Demin A.Y. Vacuum spin LED-PP. first step towards vacuum semiconductor spintronics. Nanomaterials, 13 (3), 422, 2023.
  20. Аксенов М.С., Голяшов В.A., Терещенко О.Е. Пассивация фтором границы раздела оксид/InAs(001). Письма в ЖТФ, т. 49, вып. 5, с. 6, 2023.
  21. Климов А.Э., Ахундов И.О., Голяшов В.А., Горшков Д.В., Ищенко Д.В., Сидоров Г.Ю., Пащин Н.С., Супрун С.П., Тарасов А.С., Федосенко Е.В., Терещенко О.Е. Письма в журнал технической физики, т. 49, вып. 3, с. 22=25, 2023.
  22. Kumar N., Pleshkov R.S., Prathibha B.S., Polkovnikov V.N., Chkhalo N.I., Golyashov V.A., Tereshchenko O.E. Depth-resolved oxidational studies of Be/Al periodic multilayers investigated by X-ray photoelectron spectroscopy. Physical Chemistry Chemical Physics, 25, 1205-1213, 2023.
  23. Filnov S.O., Estyunin D.A., Klimovskikh I.I., Estyunina T.P., Golyashov V.A., Tarasov A.S., Kosyrev N.N., Komarov V.A., Patrin G.S., Rybkina A.A., Vilkov O. Y., Shikin A.M., Tereshchenko O.E., Chumakov R.G., Lebedev A.M., Rybkin A.G. Room temperature ferromagnetism in graphene/SiC(0001) system intercalated by Fe and Co. Phys. Status Solidi RRL, 2300336, 2023.
  24. Pustovarov V.A., Zatsepin A.F., Biryukov D.Y., Aliev V.Sh., Iskhakzay R.M.Kh., Gritsenko V.A. Synchrotron-Excited Luminescence and Converting of Defects and Quantum Dots in Modified Silica Films. Journal of Non-Crystalline Solids, v. 602, p. 122077, 2023.

    25. 2022

  25. Milekhin I.A., Kozhukhov A.S., Sheglov D.V., Fedina L.I., Milekhin A.G., Latyshev A.V., Zahn D.R.T.. Near-field Infrared Spectroscopy of SiOx Nanowires. Applied Surface Science, №584, 152583-1-6, 2022. DOI: 10.1016/j.apsusc.2022.152583
  26. Kurus N. N., Milekhin A. G., Sklyar R. I. , Saidzhonov B.M. , Vasiliev R. B., Adichtchev S.V., Surovtsev N. V., Latyshev A.V ., and Zahn D.R.Т. Phonons in Core–Shell CdSe/CdS Nanoplatelets Studied by Vibrational Spectroscopies. The Journal of Physical Chemistry C. №126(16), 7107-7116, 2022. DOI: 10.1021/acs.jpcc.2c00276
  27. Басалаева Л.С., Царев А.В., Аникин К.В., Вебер С.Л., Крыжановская Н.В., Настаушев Ю.В. Оптические свойства кремниевых нанопилларов со встроенным вертикальным p-n переходом. Физика и техника полупроводников, т.56, №3, стр. 340-348 2022. DOI: 10.21883/FTP.2022.03.52121.9761
  28. Милахин Д.С., Малин Т.В., Мансуров В.Г., Кожухов А.С., Новикова Н.Н., Яковлев В.А., Журавлев К.С. Определение толщины зародышевого слоя AlN, сформированного на поверхности Al2O3 (0001) в процессе нитридизации, методами РФЭС и ИК-спектроскопии. Физика и техника полупроводников, т. 56, №8, с. 734-741, 2022. DOI: 10.21883/FTP.2022.08.53137.23
  29. Перевалов Т.В., Исхакзай Р.М.Х., Просвирин И.П., Алиев В.Ш., Гриценко В.А. Бесформовочные мемристоры на основе оксида гафния, обработанного в водородной плазме электрон-циклотронного резонанса. Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, т. 115, №. 2, стр. 89-93, 2022. DOI: 10.31857/S1234567822020045
  30. Майдэбура Я.Е., Малин Т.В., Журавлев К.С. Формирование квантовых точек GaN при повышении температуры в потоке аммиака. Физика и техника полупроводников, т. 56, № 7, с. 667-671, 2022. DOI: 10.21883/FTP.2022.07.52757.12
  31. Вебер С.Л., Мельников А.Р., Самсоненко А.А., Милёхин И.А., Суровцев Н.В., Багрянская Е.Г., Федин В.П., Брылев К.А., Федин М.В., Милёхин А.Г., Латышев А.В., Кузнецов В.Л., Золотарев К.В., Зубавичус Я.В. Станция «ИК- диагностика» синхротронного источника «СКИФ»: концептуальный дизайн и ключевые экспериментальные методики, Электронный сборник статей, Под общей редакцией К. И. Шефер, В трех томах, Технологическая инфраструктура сибирского кольцевого источника фотонов «СКИФ», Том III. Устройства генерации и фронтенды, системы управления и ИТ-обеспечения экспериментальных станций первой, очереди, предварительные проекты экспериментальных станций второй очереди, Статья 3-11. стр.1-22, Новосибирск, 2022, ISBN 978-5-906376-43-5 (т.3), ISBN 978-5-906376-40-4
  32. Kumar N., Nezhdanov A.V., Smertin R.M., Polkovnikov V.N., Chkhalo N.I., Golyashov V.A., and Tereshchenko O.E. A volume plasmon blueshift in thin silicon films embedded within Be/Si periodic multilayer mirrors. Phys. Chem. Chem. Phys., т.24, с.15951-15957, 2022. DOI: 10.1039/D2CP01697D
  33. Семенова О.И., Федина Л.И., Гутаковский А.К., Ситников С.В., Курусь Н.Н., Дудин А.А., Павлов А.А., Щеглов Д.В Синтез CVD и структура массивов вертикально ориентированных УНТ. Журнал структурной химии, Т. 63, №. 7, С. 98018, 2022
  34. Пономарев С.А., Захожев К.Е., Рогило Д.И., Курусь Н.Н., Щеглов, Д.В., Милехин А.Г., Латышев А.В. Ван-дер-ваальсовый гетероэпитаксиальный рост слоистого SnSe2 на поверхностях Si (111) Bi2Se3 (0001), Автометрия т: 58, № 6 , с 21-27, 2022. DOI: 10.15372/AUT20220603
  35. Bashkatov D.D., Milakhin D.S., Malin T.V., Vdovin V.I., Kozhukhov A.S. and Zhuravlev K.S. Preparation of Silicon (111) Surface for Epitaxial Growth of III-Nitride Structures by MBE. 2022 IEEE 23rd International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM), p. 1-5, 2022. DOI: 10.1109/EDM55285.2022.9855155
  36. Maidebura Y.E., Malin T.V., Milakhin D.S., Ponomarev S.A. and Zhuravlev K.S. Morphology of GaN Monolayers Grown on AlN Surface During Ammonia Flow Cycling. 2022 IEEE 23rd International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM), p. 29-32, 2022. DOI: 10.1109/EDM55285.2022.9855073
  37. Исхакзай Р.М.Х., Кручинин В.Н., Алиев В.Ш., Гриценко В.А., Дементьева Е.В., Заморянская М.В. Транспорт заряда в нестехиометрическом SiOx, полученном обработкой термического SiO2 в водородной плазме электронно-циклотронного резонанса. Микроэлектроника, № 1, с. 28-40, 2022. DOI: 10.31857/S0544126921060089
  38. Tarasov A.S., Golyashov V.A., Akhundov I.O., Ishchenko D.V., Kozhukhov A.S., Kokh K. A., Tereshchenko O.E. Preparation of an atomically clean and structurally ordered Bi2Se3 (0001) surface without molecular beams and vacuum cleaving. Russian Journal of Physical Chemistry B, 16, p. 479–482, 2022. DOI: 10.1134/S1990793122030241

    39. 2021

  39. Malin T.V., Mansurov V.G., Galitsyn Yu.G., Milakhin D.S., Protasov D.Yu., Ber B.Ya., Kazantsev D.Yu., Ratnikov V.V., Shcheglov M.P., Smirnov A.N., Davydov V.Yu., Zhuravlev K.S., Mg3N2 nanocrystallites formation during the GaN:Mg layers growth by the NH3-MBE technique. Journal of Crystal Growth, 554, 125963 (2021).
  40. Milakhin D.S., Malin T.V., Mansurov V.G., Galitsyn Yu.G., Kozhukhov A.S., Utkin D.E., Zhuravlev K.S. Peculiarities of the AlN crystalline phase formation in a result of the electron-stimulated reconstruction transition (√31×√31)R±9°-(1×1). Applied Surface Science, 541, 148548 (2021).
  41. S.A. Ponomarev, D.I. Rogilo, N.N. Kurus, L.S. Basalaeva, K.A. Kokh, A.G. Milekhin, D.V. Sheglov and A.V. Latyshev, In situ reflection electron microscopy for investigation of surface processes on Bi2Se3(0001), J. Phys.: Conf. Ser. 1984 012016 (2021) 
  42. L.S. Basalaeva, N.N. Kurus, E.E. Rodyakina, K.V. Anikin, A.G. Milekhin Fabrication of Au and Ag – Coated AFM Probes for Tip-Enhanced Raman Spectroscopy, VI International Conference on Metamaterials and Nanophotonics (METANANO 2021), Tbilisi, Georgia, 13 - 17 September, 2021, Journal of Physics: Conference Series 2015(1):012013 (2021) doi:10.1088/1742-6596/2015/1/012013
  43. N.N. Kurus, A.G. Milekhin, R.B. Vasiliev, B.M. Saidzhonov, K.V. Anikin, R.I. Sklyar, S.A. Batsanov, A.K. Gutakoskii, A.V. Latyshev, D.R.T. Zahn, Investigation of the Phonon Spectra in CdSe/CdS Nanoplatelets by Raman Spectroscopy, VI International Conference on Metamaterials and Nanophotonics (METANANO 2021), Tbilisi, Georgia, 13 - 17 September, 2021, Journal of Physics: Conference Series, 2015 012076 (2021) doi:10.1088/1742-6596/2015/1/012076
  44. A. Milekhin, M. Rahaman, I. Milekhin, L. Basalaeva, T. Duda, E. Rodyakina, K. Anikin, R. Vasiliev, S.A. Kuznetsov, A. Latyshev, D. Zahn, Plasmon Enhancement of Emission and Absorption by CdSe-based Nanocrystals, 46th International Conference on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves, Aug29 -Sep3  2021 Chengdu，Sichuan，China 10.1109/IRMMW-THz50926.2021.9567353, IEEE
  45. А.В. Марченко, Н.Н. Курусь, А.А. Колосветов, А.Г. Милёхин, Эмиссия света монослоями дисульфида молибдена, Автометрия, 57(5), 99-105 (2021) DOI: 10.15372/AUT20210512

    46. 2020

  46. K.V. Anikin, V.А. Timofeev, D. Solonenko, А.I. Nikiforov. A.G. Milekhin, D.R.T. Zahn, Acoustic Phonons in periodical GeSiSn/Si nanostructures, Journal of Physics: Conference Series, 1461 (2020) 012005, doi:10.1088/1742-6596/1461/1/012005
  47. A.G. Milekhin, S.A. Kuznetsov, E.E. Rodyakina, K.V. Anikin, I.A. Milekhin, S.L. Veber, A.V. Latyshev, D.R.T. Zahn, Arrays of Metal Nanostructures for Plasmon-enhanced Spectroscopy, Journal of Physics: Conf. Series, 1461 (2020) 012100, doi:10.1088/1742-6596/1461/1/012100
  48. А.Г. Милёхин, Т.А. Дуда, Е.Е. Родякина, К.В. Аникин, С.А. Кузнецов, I.A. Milekhin, D.R.T. Zahn, А.В. Латышев, Плазмон-усиленная колебательная спектроскопия полупроводниковых нанокристаллов, Автометрия, 56 (5), 64-71 (2020).
  49. I.A. Milekhin, M. Rahaman, K.V. Anikin, E.E. Rodyakina, T.A. Duda, B.M. Saidzhonov, R.B. Vasiliev, V.M. Dzhagan, A.G. Milekhin, A.V. Latyshev, D.R.T. Zahn, Resonant Tip-enhanced Raman Scattering by CdSe Nanocrystals on Plasmonic Substrates, Nanoscale Advances, 2, 5441–5449 (2020), DOI: 10.1039/D0NA00554A
  50. I.A. Milekhin, K.V. Anikin, M. Rahaman, E.E. Rodyakina, T.A. Duda, B.M. Saidzhonov, R.B. Vasiliev, V.M. Dzhagan, A.G. Milekhin, A.V. Latyshev, D.R.T. Zahn, Resonant plasmon enhancement of light emission from CdSe/CdS nanoplatelets on Au nanodisk arrays, Journal of Chemical Physics, 153, 164903 (2020); https://doi.org/10.1063/5.002308
  51. Kurus N.N., Dultsev F.N., Golyshev V.M. Nekrasov D.V., Pyshnyi D.V. and Lomzov A.A. A QCM-based rupture event scanning technique as a simple and reliable approach to study the kinetics of DNA duplex dissociation. Analytical Methods, v.12, №30, р.3771-3777, 2020 (https://doi.org/10.1039/D0AY00613K)
  52. Golod S.V., Gayduk A.E., Kurus N.N., Kubarev V.V., and Prinz V.Ya. 3D micro/ nanoshaping of metal strip arrays by direct imprinting for chiral metasurfaces. Nanotechnology, v. 31, № 43, p. 435302, 2020 (https://doi.org/10.1088/1361-6528/aba46c)
  53. Климов А.Э., Акимов А.Н., Ахундов И.О., Голяшов В.А., Горшков Д.В., Ищенко Д.В., Матюшенко Е.В., Неизвестный И.Г., Сидоров Г.Ю., Супрун С.П., Тарасов А.С., Терещенко О.Е., Эпов В.С. Особенности МДП-структур на основе изолирующих пленок PbSnTe : In с составом вблизи инверсии зон, обусловленные их сегнетоэлектрическими свойствами. Физика и техника полупроводников, Т. 54, №. 10, С. 1122 (2020).
  54. Akimov A.N., Akhundov I.O., Ishchenko D.V., Klimov A.E., Neizvestny I.G., Paschin N.S., Suprun S.P., Tarasov A.S., Tereshchenko O.E., Fedosenko E.V. & Sherstyakova V.N. Sign-Alternating Photoconductivity in PbSnTe: In Films in the Space-Charge-Limited Current Regime. Semiconductors, 54 (8), 951-95 (2020).
  55. Kaveev A.K., Golyashov V.A., Klimov A. E., Schwier F., Suturin S.M., Tarasov A.S., Tereshchenko O.E., Structure and magneto-electric properties of Co-based ferromagnetic films grown on the Pb0.71Sn0.29Te crystalline topological insulator. Materials Chemistry and Physics, 240, 122134 (2020).
  56. Kokh K.A., Nebogatikova N.A., Antonova I.V., Kustov D.A., Golyashov V.A., Goldyreva E.S., Stepina N.P., Kirienko V.V., Tereshchenko O.E. Vapor growth of Bi2Se3 and Bi2O2Se crystals on mica. Materials Research Bulletin, 129, 110906 (2020). (10.1016/j.materresbull.2020.110906).
  57. Paulish A.G., Gusachenko A.V., Morozov A.O., Golyashov V.A., Dorozhkin K.V., Suslyaev V.I. Sensitivity of the tetraaminodiphenyl based pyroelectric sensor from visible to sub-THz range. Sensor Review, 40(3), 0260-2288 (2020). (10.1108/SR-03-2020-0047)
  58. Zhuravlev K., Mansurov V., Galitsyn Yu., Malin T., Milakhin D. and Zemlyakov V. Evolution of the surface states during the in situ SiN layer formation on AlN/GaN heterostructures. Semiconductor Science and Technology, v.35, p.075004 (2020). (doi.org/10.1088/1361-6641/ab7e44)
  59. Utkin D.E., Anikin K.V., Veber S.L., Shklyaev A.A. Dependence of light reflection of germanium Mie nanoresonators on their aspect ratio. Optical Materials, v.109, p.110466 (2020). (10.1016/j.optmat.2020.110466)
  60. Gospodarič J., Dziom V., Shuvaev A., Dobretsova A.A., Mikhailov N.N., Kvon Z.D., Novik E.G., and Pimenov A. Band structure of a HgTe-based 3D topological insulator. Physical Review B v.102, p.115113 (2020).
  61. Aleksandrov I. A., Malin T. V., Milakhin D. S., Ber B. Ya., Kazantsev D. Yu. and Zhuravlev K. S., Donor-acceptor nature of orange photoluminescence in AlN, Semiconductor Science and Technology, v. 35, pp. 125006 (2020).
  62. Milakhin, D. S., Malin, T. V., Mansurov, V. G., Galitsyn, Y. G., Zhuravlev, K. S. Optimal Stage Determination of Sapphire Nitridation Process Completion under High-Energy Electron Beam Influence. 21st International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices (EDM), p. 14-18 (2020) DOI: 10.1109/EDM49804.2020.9153543
  63. Malin T.V., Mansurov V.G., Galitsyn Yu.G., Milakhin D.S., Protasov D.Yu., Ber B.Ya., Kazantsev D.Yu., Ratnikov V.V., Shcheglov M.P., Smirnov A.N., Davydov V.Yu., Zhuravlev K.S., Mg3N2 nanocrystallites formation during the GaN:Mg layers growth by the NH3-MBE technique. Journal of Crystal Growth, 554, 125963 (2021).
  64. Milakhin D.S., Malin T.V., Mansurov V.G., Galitsyn Yu.G., Kozhukhov A.S., Utkin D.E., Zhuravlev K.S. Peculiarities of the AlN crystalline phase formation in a result of the electron-stimulated reconstruction transition (√31×√31)R±9°-(1×1). Applied Surface Science, 541, 148548 (2021).

    65. 2019

  65. K. Anikin, E. Rodyakina, S. Veber, A. Milekhin, A. Latyshev, D.R.T.Zahn, Localized surface plasmon resonance in gold nanoclusters arrays, Plasmonics, 14, 1527–1537 (2019), https://doi.org/10.1007/s11468-019-00949-2, IF=2.366, Q2
  66. S.V. Adichtchev, N.V. Surovtsev, T.A. Duda, and A.G. Milekhin, Brillouin Scattering From Langmuir–Blodgett Films Doped With CdS and CuS Nanoclusters Phys. Physica Status Solidi B, 256, 1800328-1-4, (2019) IF= 1.454, Q3
  67. К.В. Аникин, А.Г. Милёхин, Е.Е. Родякина, С.Л. Вебер, А.В. Латышев, D.R.T. Zahn Оптические плазмонные резонансы в массивах нанокластеров Au, Сибирский физический журнал, 14 (1) 63-75 (2019). DOI: 10.25205/2541-9447-2019-14-1-63-76
  68. M. Rahaman, A.G. Milekhin, A. Mukherjee, E.E. Rodyakina, A.V. Latyshev, V.M. Dzhagan, and D.R.T. Zahn, The Role of a Plasmonic Substrate on the Enhancement and Spatial Resolution of Tip-enhanced Raman Scattering, Faraday Discussions, (2019) 214, 309-323, doi: 10.1039/C8FD00142A, IF= 3.427. Q2
  69. E.Sheremet L.Kim, D.Stepanichsheva, V.Kolchuzhin, A.Milekhin, D.R.T.Zahn, R.D.Rodriguez, Localized surface curvature artifacts in tip-enhanced nanospectroscopy imaging, Ultramicroscopy, 206 (2019) 112811, doi: 112811, 10.1016/j.ultramic.2019.112811, IF= 2.644, Q1
  70. К.В. Аникин, А.Г. Милёхин, M. Rahaman, Т.А. Дуда, И. Милёхин, Е.Е. Родякина, Р.Б. Васильев, V.M. Dzhagan, D.R.T. Zahn, А.В. Латышев, Плазмон-усиленная ближнепольная оптическая спектроскопия многокомпонентных полупроводниковых наноструктур, Автометрия, 55, 69-77 (2019). DOI: 10.15372/AUT20190511
  71. Milakhin D.S., Malin T.V., Mansurov V.G., Galitsyn Yu.G., and Zhuravlev K.S., Electron-stimulated aluminum nitride crystalline phase formation on the sapphire surface. Physica Status Solidi B, v. 256, №6, p. 1800516 (1-5), 2019.
  72. Некрасов Д.В., Курусь Н.Н., Дульцев Ф.Н., Ломзов А.А., Шевелёв Г.Ю., Пышный Д.В., Использование кварцевого резонатора для определения термодинамических параметров механической денатурации двойной спирали ДНК, Молекулярная генетика, микробиология и вирусология, спецвыпуск, с. 38, 2019.
  73. Е.С. Дюдеева, Н.Н. Курусь, Ф.Н. Дульцев, А.А. Ломзов, Г. Ю. Шевелёв, Д.В. Пышный, Исследование кинетики гибридизации олигонуклеотидов ДНК методом VFDM, Молекулярная генетика, микробиология и вирусология, спецвыпуск, с. 26, 2019.
  74. Климов А.Э., Акимов А.Н., Ахундов О.И., Голяшов В.А., Горшков Д.В., Ищенко Д.В., Сидоров Г.Ю., Супрун С.П., Тарасов А.С., Эпов В.С., Терещенко О.Е. Динамика поверхностной проводимости в пленках PbSnTe:In с составом вблизи инверсии зон. Физика и техника полупроводников, т. 53, №9, с. 1207, 2019.
  75. Тарасов А.С., Ищенко Д.В., Акимов А.Н., Ахундов О.И., Голяшов В.А., Климов А.Э., Пащин Н.С., Супрун С.П., Федосенко Е.В., Шерстякова В.Н., Терещенко О.Е. Модификация поверхностных свойств эпитаксиальных слоёв PbSnTe с составом вблизи инверсии зон, Журнал технической физики, т. 89, №11, с. 1795-1799, 2019.
  76. Kaveev A.K., Golyashov V.A., Klimov A.E., Schwier E.F., Suturin S.M., Tarasov A.S., Tereshchenko O. E. Structure and magneto-electric properties of Co-based ferromagnetic films grown on the Pb0.71Sn0.29Te crystalline topological insulator, Materials Chemistry and Physics, v. 240, p. 122134, 2020.
  77. Фильнов C.О., Сурнин Ю.А., Королёва А.В., Климовских И.И., Естюнин Д.А., Варыхалов A.Ю., Бокай К.А., Кох K.A., Терещенко O.E., Голяшов В.А., Шевченко E.В., Шикин A.M. Магнитная и электронная структуры Gd-легированного топологического изолятора Bi1.09Gd0.06Sb0.85Te3. ЖЭТФ, т. 156, вып. 2 (8), стр. 1–10, 2019.

Доклады на конференциях

Приглашенные

    2024

  1. А.Г. Милёхин, Ближнепольная спектроскопия графеноподобных материалов, Тезисы докладов Молодежной конференции по физике полупроводников «Зимняя школа 2024» «Углеродные и ван-дер-ваальсовы наноструктуры», Санкт-Петербург (г. Зеленогорск), 29 февраля – 4 марта 2024 года, стр.20-21

    2. 2023

  2. А.Г. Милёхин, I.A. Milekhin, Н.Н. Курусь, Л.С. Басалаева, Р.Б. Васильев, К.В. Аникин, В.Г. Мансуров, К.С. Журавлев, Е.А. Емельянов, М.А. Путято, В.В. Преображенский, А.В. Латышев, D.R.T. Zahn, Комбинационное рассеяние света и фотолюминесценция полупроводниковых наноструктур с нанометровым пространственным разрешением, Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам спектроскопии комбинационного рассеяния света, Новосибирск, 5-9 июня 2023 г. / ИФП СО РАН. – М. : Издательство "Перо", 2023. , стр.16
  3. A.G. Milekhin, I.A. Milekhin, N.N. Kurus, L.S. Basalaeva, R.B.Vasiliev, K.V. Anikin, V.G. Mansurov, K.S. Zhuravlev, A.V. Latyshev, D.R.T. Zahn, Near-field plasmon-enhanced spectroscopies of semiconductor nanostructures, International conference «Advanced laser technology-2023 (ALT-2023)», 18-21 сентября 2023, Самара
  4. А.Г. Милёхин, I.A. Milekhin, Н.Н. Курусь, Л.С. Басалаева, Р.Б. Васильев, К.В. Аникин, В.Г. Мансуров, К.С. Журавлев, Е.А. Емельянов, В.В. Преображенский, А.В. Латышев, D.R.T. Zahn, Локальный спектральный анализ полупроводниковых наноструктур для устройств фотоники, Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники, Новосибирск, 4-8 сентября 2023 г. / ИФП СО РАН. – М. : Издательство "Перо", 2023, стр. 97, DOI 10.34077/RCSP2023-97

    5. 2022

  5. А.Г. Милёхин, Н.Н. Курусь, Л.С. Басалаева, I.A. Milekhin, D.R.T. Zahn, А.В. Латышев, Ближнепольное плазмон-усиленное комбинационное рассеяние света для локального анализа полупроводниковых наноструктур, XXIV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников,14 - 19 февраля 2022, Екатеринбург
  6. A.G. Milekhin, I.A. Milekhin, N.N. Kurus, L.S. Basalaeva, R.B.Vasiliev, K.V. Anikin, V.G. Mansurov, K.S. Zhuravlev, A.V. Latyshev, D.R.T. Zahn, Near-field Optical and IR Spectroscopies of Semiconductor Nanostructures, 29th International Conference on Advanced Laser Technologies (ALT’22), 11-16 September 2022, Moscow, Russia, Book of Abstracts, p.165
  7. А.Г. Милёхин, I.A. Milekhin, Н.Н. Курусь, Л.С. Басалаева, Р.Б. Васильев, К.В. Аникин, В.Г. Мансуров, К.С. Журавлев, А.В. Латышев, D.R.T. Zahn, Ближнепольное плазмон-усиленное комбинационное рассеяние света полупроводниковыми наноструктурами, Всероссийская научная конференция с международным участием Енисейская фотоника — 2022, 19–24 сентября 2022 г., Красноярск, тезисы докладов, Том 1, стр.10-11
  8. А. Милёхин, Н.Н. Курусь, К. Аникин, Е. Родякина, Р.Б. Васильев, I.A. Milekhin, D.R.T. Zahn, А.В. Латышев, Наноскопия полупроводниковых наноструктур, XV Российская конференция по физике полупроводников (Полупроводники-2022), 3 -7 октября 2022, Нижний Новгород, Тезисы докладов, стр.280