СОТРУДНИКИ

 к списку сотрудников

Область научных интересов
Осуществляет руководство группой работников, выполняющих плановые исследования по тематике структурного подразделения, или самостоятельные научные исследования и разработки по наиболее перспективным направлениям, определяемым внутренней логикой развития науки и потребностью генерации новых знаний.

Образование
1984 г. - защитил диплом с отличием: "Исследование качественных характеристик двумерного векторного {цифрового} фильтра", специальность 0701 - "радиотехника".
1995 г. - защитил диссертацию на соискание ученой степени кандидат технических наук по теме: "Разработка и исследование устройств на основе ПЗС для корреляционной обработки и фильтрации сигналов", специальность 05.27.01 - "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах".

Трудовая деятельность
ИФП СО РАН: после окончания с отличием ВУЗа в 1984 г. - по настоящее время: стажер-исследователь, младший научный сотрудник, научный сотрудник, старший научный сотрудник.
В настоящее время - старший научный сотрудник.
Стаж работы в ИФП (на 2019г.): >35 лет.

Награды:

• Диплом третьей степени на конкурсе прикладных работ СО АН (1989 г.).
• Благодарность от Администрации Советского района г. Новосибирска (2004 г.).
• "Заслуженный ветеран Сибирского отделения РАН" (СО РАН, 2005 г.).
• Почетный знак "Серебряная сигма" за многолетний творческий труд и большой вклад в развитие науки (Сибирское отделение РАН, 2007 г.).
• Памятный знак "За труд на благо города" (Мэрия г. Новосибирска, 2008 г.).

Публикации:
Опубликовано 95 научных работ, в том числе, 37 научных статей, 1 монография, 13 патентов РФ и авторских свидетельств, 3 препринта, 6 докладов в сборниках трудов конференций, достигнутые научные результаты исследований представлены на 26 Научно-практических семинарах, совещаниях, Российских и Международных научно-технических конференциях.

1. Овсюк В. Н., Козлов А. И., Марчишин И.В., Клименко А.Г., Ромашко Л.Н., Талипов Н.Х., Васильев В.В. Фотоприемные устройства на основе слоев КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии // Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона. Новосибирск: Наука, 2001. Гл. 3. С. 180-241.

1. Козлов А. И., Новоселов А. Р., Демьяненко М. А., Овсюк В. Н. Повышение эффективности преобразования изображений в мозаичных микроболометрических приёмниках // Оптический журнал. 2018. Т. 85, № 2. С. 60-66.
2. Козлов А. И., Демьяненко М. А., Овсюк В. Н. Оптимизация параметров системы "инфракрасный фоточувствительный элемент на основе многослойных структур с квановыми ямами - кремниевый мультиплексор фотосигналов" // Оптический журнал. 2017. Т. 84, № 9. С. 59-65.
3. Козлов А. И., Демьяненко М. А., Марчишин И. В., Овсюк В. Н. Создание аналого-цифровых кремниевых мультиплексоров сигналов фотоприемников инфракрасного диапазона // Автометрия. 2016. Том 52, № 6. С. 120 - 127.
4. Козлов А. И., Демьяненко М. А., Овсюк В. Н. Аналитическое сравнение характеристик фотоприемников инфракрасного диапазона на основе фотодиодов HgCdTe и фотодетекторов GaAs/AlGaAs с квантовыми ямами // Оптический журнал. 2016. Том 83, № 9. стр. 64 - 71.
5. Козлов А. И., Новоселов А. Р., Демьяненко М. А., Овсюк В. Н. О мозаичных неохлаждаемых микроболометрических приемниках инфракрасного и терагерцового диапазонов // Автометрия. 2016. Том 52, № 2. С. 115 - 123.
6. Kozlov A. I., Demyanenko M. A., Novoselov A. R., Esaev D. G., Ovsyuk V. N. Sviluppo principio mosaico di creare panoramico con raffreddamento microbolometro detector immagine a infrarossi e terahertz intervallo spettrale // Italian Science Review. 2015. №7 (28). P. 11-15.
7. Козлов А. И., Демьяненко М. А., Есаев Д. Г., Марчишин И. В., Овсюк В. Н. Исследование технологических ограничений в кремниевых схемах считывания сигналов инфракрасных фотоприемников на основе многослойных структур с квантовыми ямами // Автометрия. 2015. Т. 51, № 2. С. 110-118.
8. Козлов А. И., Васильев В. В., Марчишин И. В., Сидоров Ю. Г., Якушев М. В. Анализ структурно-технологических ограничений в кремниевых схемах считывания сигналов фотодиодов инфракрасного диапазона // Оптический журнал. 2014. Т. 81, №7. С. 39-45.
9. Новоселов А. Р., Козлов А. И., Демьяненко М. А., Есаев Д. Г., Клименко А. Г., Марчишин И. В., Овсюк В. Н. Преобразование изображений в мозаичных неохлаждаемых микроболометрических приемниках инфракрасного и терагерцового диапазонов форматом до 3072×576 и более // Оптический журнал. 2014. Т. 81, № 3. С. 35-43.
10. Новоселов А. Р., Козлов А. И., Демьяненко М. А., Есаев Д. Г., Клименко А. Г., Марчишин И. В., Овсюк В. Н. Разработка мозаичных неохлаждаемых микроболометрических приемников инфракрасного и терагерцового спектральных диапазонов форматом до 3072×576 и более // Успехи прикладной физики. 2014. Т. 2, № 2. С. 123-130.
11. Козлов А. И., Марчишин И. В. Промышленно ориентированные разработки кремниевых мультиплексоров для многоэлементных ИК фотоприемников // Автометрия. 2012. Т. 48, №4. С. 60-72.
12. Козлов А. И. Особенности проектирования и некоторые реализации кремниевых мультиплексоров для инфракрасных фотоприемников // Оптический журнал. 2010. 77, №7. С. 19 - 29.
13. Aseev A.L., Yakushev M.V., Kozlov A.I., Dvoretsky S.A., Sabinina I.V., Sidorov Yu.G., Sorochkin A.V., Fomin B.I. HgCdTe monolithic infrared detector // Physics status solidi (c). 2010. V. 7, № 6. P. 1681-1683.
14. Козлов А. И. Анализ принципов построения схем кремниевых мультиплексоров для многоэлементных ИК фотоприемников // Автометрия. 2010. 46, №1. С. 118 - 129.
15. Асеев А. Л., Якушев М. В., Козлов А. И., Сидоров Ю. Г., Дворецкий С. А., Васильев В.В., Фомин Б. И., Новоселов А. Р., Дегтярев Е. В., Захарьяш Т.И., Виноградов А.В. Разработка элементов технологии монолитного инфракрасного фотоприемника // Прикладная физика. 2009. №2. C. 120 - 127.
16. Асеев А. Л., Якушев М. В., Козлов А. И., Сидоров Ю. Г., Дворецкий С. А., Васильев В.В., Фомин Б. И., Новоселов А. Р., Дегтярев Е. В. Исследование процессов формирования инфракрасного фотоприемника на основе CdHgTe в монолитном исполнении // Оптический журнал. 2009. Т. 76, №12. C. 55 - 62.
17. Козлов А. И., Марчишин И. В., Овсюк В. Н. Кремниевые мультиплексоры 1×576 для ИК-фотодиодов на основе соединения кадмий-ртуть-теллур // Микроэлектроника. 2008. Т. 37, №4. C. 278 - 286.
18. Козлов А. И., Марчишин И. В., Овсюк В. Н., Асеев А. Л. Серия кремниевых мультиплексоров для КРТ-фотодиодов спектрального диапазона 8-16 мкм // Оптический журнал. 2008. Т. 75, №3. C. 60 - 67.
19. Козлов А. И., Марчишин И. В., Овсюк В. Н. Кремниевые мультиплексоры 320×256 для инфракрасных фотоприемных устройств на основе КРТ-диодов // Автометрия. 2007. Т. 43, №4. С. 74 - 82.
20. Козлов А. И., Марчишин И. В., Овсюк В. Н., Филиппова В. В. Унифицированные кремниевые мультиплексоры 128×128 для инфракрасных фотоприемных устройств // Автометрия. 2006. Т. 42, №4. С. 109 - 118.
21. Козлов А. И., Марчишин И. В., Овсюк В. Н., Шашкин В. В. Кремниевые мультиплексоры для многоэлементных фотоприемников ИК-диапазона // Автометрия. 2005. Т. 41, №3. С. 88 - 99.
22. Ovsuk V.N., Derkach Yu.P., Golenkov A.G., Klimenko A.G., Kozlov A.I., Marchishin I.V., Suslyakov A.O., Talipov N.Kh., Zahariash T.I., Sidorov Yu.G., Dvoretsky S.A., Reva V.P., Sizov F.F., Zabudsky V.V., Vasiliev V.V. The 4×288 linear FPA on the heteroepitaxial HgCdTe base // Proc of SPIE. Orlando, USA. V. 5126, 2003. P. 98-104.
23. Овсюк В. Н., Голенков А.Г., Есаев Д.Г., Козлов А. И., Марчишин И.В., Клименко А.Г., Сусляков А.О., Талипов Н.Х., Захарьяш Т.И., Сидоров Ю.Г., Дворецкий С.А., Рева В.П., Сизов Ф.Ф., Васильев В.В. Фотоприемники на основе гетероэпитаксиальных слоев Сd_xHg_1-xTe, для среднего и дальнего ИК диапазонов // Микроэлектроника. 2002. Т. 31, № 6. С. 414-422.
24. Овсюк В. Н., Есаев Д.Г., Козлов А. И., Марчишин И.В., Клименко А.Г., Сусляков А.О., Талипов Н.Х., Захарьяш Т.И., Сидоров Ю.Г., Дворецкий С.А., Васильев В.В. Фотоприемники на основе слоев CdHgTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии // Автометрия. 2001. Т. 37, № 3. С. 4-8.
25. Овсюк В. Н., Есаев Д.Г., Козлов А. И., Марчишин И.В., Клименко А.Г., Сусляков А.О., Талипов Н.Х., Захарьяш Т.И., Сидоров Ю.Г., Дворецкий С.А., Васильев В.В. Фотоприемники на основе молекулярно-лучевой эпитаксии слоев кадмий-ртуть-теллур для среднего и дальнего ИК диапазонов // Наука производству. 2001. № 12 (50). С. 9-11.
26. Демьяненко М. А., Клименко А. Г., Козлов А. И., Марчишин И. В., Шашкин В. В., Савченко А. П., Торопов А. И., Овсюк В. Н. Матричные ИК-фотоприемники на основе многослойных гетероструктур с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs // Прикладная физика. 2000. № 6. С. 94-100.
27. Ovsuk V.N., Esaev D.G., Suslyakov A.O., Klimenko A.G., Kozlov A.I., Marchishin I.V., Talipov N.Kh., Zahariash T.I., Sidorov Yu.G., Dvoretsky S.A., Vasiliev V.V. 128×128 FPAs on MBE grown CdHgTe layers for medium and far IR range // Proc of SPIE, Photoelectro-nics and Night Vision Devices. Orlando, USA. V. 4340, 2000. P. 49-55.
28. Овсюк В. Н., Есаев Д.Г., Козлов А. И., Марчишин И.В., Клименко А.Г., Талипов Н.Х., Захарьяш Т.И., Сидоров Ю.Г., Дворецкий С.А., Васильев В.В. Матричное фотоприемное устройство 128×128 на основе слоев CdHgTe, выращенных методом МЛЭ на подложке GaAs // Автометрия. 1998. Т. 34, № 4. С. 27-34.
29. Ovsuk V.N., Esaev D.G., Klimenko A.G., Kozlov A.I., Marchishin I.V., Talipov N.Kh., Zahariash T.I., Sidorov Yu.G., Dvoretsky S.A., Vasiliev V.V. 128×128 hybrid FPAs using MBE HgCdTe films on GaAs substrates // Proc of SPIE, IR detectors and focal plane arrays V. Orlando, USA. V. 3379, Part V, 1998. P. 594-600.
30. Овсюк В. Н., Войнов В.Г., Есаев Д.Г., Козлов А. И., Марчишин И.В., Клименко А.Г., Крымский А.И., Ромашко Л.Н., Свиташев К.К., Сусляков А.О., Талипов Н.Х., Захарьяш Т.И., Сидоров Ю.Г., Дворецкий С.А., Варавин В.С., Васильев В.В., Михайлов Н.Н. Фокальные фотоприемные матрицы на основе гетероэпитаксиальных слоев КРТ, выращенных методом МЛЭ на подложках GaAs // Оптический журнал. 1998. Т. 65, № 1.
31. Ovsuk V.N., Esaev D.G., Klimenko A.G., Krymsky A.I., Kozlov A.I., Marchishin I.V., Romashko L.N., Suslyakov A.O., Talipov N.Kh., Zahariash T.I., Sidorov Yu.G., Dvoretsky S.A., Varavin V.S., Vasiliev V.V., Mikhailov N.N. LWIR focal plane array based on MBE HgCdTe films // Proc of 8th Int. Conf. on Narrow Gap Semicon. Shanghai, Chine. 1997. P. 121-124,
32. Ovsuk V.N., Esaev D.G., Klimenko A.G., Krymsky A.I., Kozlov A.I., Marchishin I.V., Romashko L.N., Suslyakov A.O., Talipov N.Kh., Zahariash T.I., Sidorov Yu.G., Dvoretsky S.A., Varavin V.S., Vasiliev V.V., Mikhailov N.N. Focal plane array based on HgCdTe epitaxial layers MBE-grown on GaAs substrates // Proc of SPIE. Orlando, USA. V. 3061, Part 2, 1997. P. 956-966.
33. Козлов А. И., Губарев В. В., Черепов Е. И. Вычислитель рангов на приборах с зарядовой связью // Автометрия. 1997. Т. 33, № 3.
34. Козлов А. И. Устройство для свертки сигналов // Автометрия. 1991. Т. 27, № 3. С. 90-93.
35. Козлов А. И., Кляус Х. И., Мусливец В. П., Черепов Е. И. 5-точечный аналоговый свертыватель на приборах с зарядовой связью // Автометрия. 1991. Т. 27, № 1. С. 103-107.
36. Кляус Х. И., Козлов А. И., Бокк Н. Э., Черепов Е. И. Определение неэффективности переноса в ПЗС по затуханию гармонического сигнала // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. 1990. № 6. С. 38-42.
37. Козлов А. И., Вороновицкий И. Э., Кляус Х. И., Черепов Е. И. 32-точечный аналоговый свертыватель на приборах с зарядовой связью // Автометрия. 1990. Т. 26, № 5. С. 36-42.

1. Пат. РФ № 2602373. Кремниевый мультиплексор / Козлов А. И., Демьяненко М. А., Есаев Д. Г., Марчишин И. В., Овсюк В. Н., Филиппова В. В. Опубл. 20.11.2016, Бюл. №32.
2. Пат. РФ № 2542898. Двухкаскадный динамический сдвиговый регистр / Козлов А. И., Демьяненко М. А., Есаев Д. Г., Марчишин И. В., Овсюк В. Н., Филиппова В. В. Опубл. 27.02.2015, Бюл. №6.
3. Пат. РФ № 2542913. Динамический регистр сдвига / Козлов А. И., Демьяненко М. А., Есаев Д. Г., Марчишин И. В., Овсюк В. Н., Филиппова В. В. Опубл. 27.02.2015, Бюл. №6.
4. Пат. РФ № 2549136. Двухтактный сдвигающий регистр / Козлов А. И., Демьяненко М. А., Есаев Д. Г., Марчишин И. В., Овсюк В. Н., Филиппова В. В. Опубл. 20.04.2015, Бюл. №11.
5. Пат. РФ № 2556437. Двухтактный динамический регистр сдвига / Козлов А. И., Демьяненко М. А., Есаев Д. Г., Марчишин И. В., Овсюк В. Н., Филиппова В. В. Опубл. 10.07.2015, Бюл. №19.
6. Пат. РФ № 2522306. Сдвиговый регистр / Козлов А. И., Демьяненко М. А., Есаев Д. Г., Марчишин И. В., Овсюк В. Н., Филиппова В. В. Опубл. 10.07.2014, Бюл. №19.
7. Пат. РФ № 2527188. Сдвиговый регистр / Козлов А. И., Демьяненко М. А., Есаев Д. Г., Марчишин И. В., Овсюк В. Н., Филиппова В. В. Опубл. 27.08.2014, Бюл. №24.
8. Пат. РФ № 2530271. Сдвиговый регистр (варианты) / Козлов А. И., Демьяненко М. А., Есаев Д. Г., Марчишин И. В., Овсюк В. Н., Филиппова В. В. Опубл. 10.10.2014, Бюл. №28.
9. Пат. РФ № 2095850. Вычислитель рангов / Козлов А. И., Эпов А.Е., Черепов Е.И. Бюл. №_, 1997.
10. А.с. № 1795448. Вычислитель рангов / Козлов А. И., Эпов А.Е., Черепов Е.И. Бюл. №6, 1993.
11. А.с. № 1700765. Устройство считывания фотосигнала / Козлов А. И., Кляус Х.И., Мусливец В.П., Черепов Е.И. Бюл. №47, 1991.
12. А.с. № 1654834. Устройство для корреляционной обработки / Козлов А. И., Кляус Х.И., Бакут П.А., Вороновицкий И.Э., Ольшанецкая В.В., Черепов Е.И. Бюл. №21, 1991.
13. А.с. № 1469569. Устройство считывания фотосигнала / Болдырев В.А., Козлов А. И., Кляус Х.И., Фомин Б.И., Черепов Е.И. Бюл. №12, 1989.

СОТРУДНИКИ

 к списку сотрудников

Область научных интересов
Оптика, спектроскопия, фото-приемные устройства.

Образование
1973 г. окончил НИИГАиК по специальности «Оптика и спектроскопия».

Трудовая деятельность
Основное место работы ИФП СО РАН с 1985 г. по настоящее время.

• Измерение состава гетероструктур GaAs/AlGaAs для фотоприёмников на основе МСКЯ методом пьезоотражения.
• Разработка технологии и проведение микросборок фотоприёмных устройств МСКЯ на установке Flip-Chip фирмы «Laurier»
• Вакууммирование и термообработка микроболометрических фотоприемников.
• Системное администрирование компьютерного оборудования лаборатории.

1. Есаев Д.Г., Савченко А.П., Фатеев В.А., Марчишин И.В., Торопов А.И., Калагин А.К., Валишева Н.А., Вицина Н.Р., «Матричный фотоприемный модуль на основе многослойных гетероструктур GaAs/AlGaAs с квантовыми ямами» XIII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения. 28-30 мая 2014, Москва, Труды конференции, стр. 47-50.
2. Д.Г. Есаев, И.В. Марчишин, В.Н.Овсюк, А.П Савченко., В.А Фатеев, В.В Шашкин., А.В. Сухарев, А.А. Падалица, И.В. Будкин, А.А. Мармалюк, «Инфракрасное фотоприемное устройство 320х256 на основе многослойных структур с квантовыми ямами» Автометрия, 43, 112-118 (2007)
3. П.Ю.Пак, В.А.Фатеев, В.В.Шашкин, «Исследование слоев МЛЭ КРТ методом сканирующей лазерной микроскопии»Прикладная физика, 2003, № 6, с. 113-119.
4. В.А.Ботте, В.К.Малютенко, Э.М.Скок, В.А.Фатеев, «Спектры теплового излучения пленок CdxHg1-xTe на краю фундаментального поглощения», Журнал прикладной спектроскопии, т.52, №4, 1990, стр. 679-681.
5. В.А.Фатеев, «О возможности создания фокусирующих дифракционных решеток с постоянным периодом», Письма в ЖТФ, т.4, вып.8, 1978, стр. 484-488.
6. Koronkevich V.P., Lenkova G.A., Mikhaltsova I.A., Remesnik V.G., Fateev V.A., and Tsukerman V.G., “Kinoform optical elements” in: Proc. Of the American-Soviet Seminar on Optical Information Processing, Plenum Press, N.Y., 1975, p. 153-170.

СОТРУДНИКИ

 к списку сотрудников

Область научных интересов
Разработка и исследование кремниевых мультиплексоров для матричных приемников излучения различных спектральных диапазонов.

Образование
1971 г. — диплом Томского политехнического института по специальности «физическая электроника».

Трудовая деятельность
С 1976 — основное место работы ИФП СО РАН
С 2000 г. и по настоящее время ведущий инженер-конструктор.

1. Согласование технологического маршрута изготовления фотоприемников.
2. Разработка и проектирование фотошаблонов для изготовления фотоприемников.
3. Измерение электрических параметров моделей разрабатываемых экспериментальных мультиплексоров для монолитных приемников излучения различных спектральных диапазонов на основе многослойных структур с квантовыми ямами, гетероструктур ГЭС МЛЭ КРТ и микроболометров.

1. Патент на изобретение РФ » №913563, «Программируемый трансверсальный фильтр, 15.03.1982,
2. «Унифицированные кремниевые мультиплексоры 128х128 для инфракрасных фотоприемных устройств»//Автометрия, т.42,с. 109-118 (2006)
3. Патент РФ на изобретение №2602373, «Кремниевый мультиплексор», 29.10.2015
4. Патент на изобретение РФ №2522306, «Сдвиговой регистр», 05.04.2013,
5. Патент на изобретение РФ №2542898, «Двухкаскадный динамический регистр», 05.03.2014 и т.д.

СОТРУДНИКИ

 к списку сотрудников

Образование
В 1972-м году окончила физико-технический факультет НГЭТУ по специальности инженер-физик (специализация полупроводниковая микроэлектроника),
Курсы автоматизации при НГУ.

Трудовая деятельность
С 1972 НПП «Восток», затем в Институте автоматики СО РАН.
С 1981 года по настоящее время ИФП СО РАН.

• Участвует в выполнении тематических планов работ лаборатории, занимается разработкой, оформлением и согласованием документации по НИР и ОКР, подготовкой отчетных документов, обеспечением проводимых работ материалами и оборудованием.
• Участие в испытаниях матричных фотоприёмных модулей, разработке и изготовлении экспериментальной аппаратуры для проведения испытаний.

1. Фокальные матрицы 2х64 для спектрального диапазона 8-10 мкм на объемных кристаллах CdHgTe. Васильев В.В., Захарьяш Т.И., Клименко А.Г., Крымский А.И., Марчишин И.В., Недосекина Т.Н., Овсюк В.Н., Ромашко Л.Н., Свиташев К.К., Сусляков А.О., Талипов Н.X., Тишковская Л.В., Автометрия 1996 №04
2. Использование обобщенных параметров для описания дисперсионных канальных волноводов. В.В. Васильев, К.К. Зилинг, Л.В. Тишковская, Квантовая электроника, 13:7 (1986), 1369–1375