Стандартная версия
Шрифт
А
А
А
Интервал
АБВ
АБВ
АБВ
Цветовая схема
А
А
А
Изображения
Вкл
Выкл
Искать...
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА
Сибирского отделения Российской академии наук
Главная
Институт
Наука
Образование
События
Главная
→
Образование
→
Аспирантура
→
Прием в аспирантуру
На общем собрании РАН отметили достижения ученых Института физики полупроводников
В Институте физики полупроводников сделали фотокатоды для «глаз» космического телескопа «Спектр-УФ» с эффективностью вдвое выше проектных требований
Поздравляем победителей конкурса научных работ ИФП СО РАН-2025!
Анатолий Васильевич Ржанов: путь от солдата до академика
C днем победы!
Физика твердого тела в студенческих докладах: особенности электронного транспорта, оптические методы исследования наноструктур, новые методы синтеза, фазовые переходы и резистивные переключения
Назад в будущее: первый в мире спиновый триод на основе наномембранного спин-детектора электронов сделали сибирские физики
К юбилею Виктора Яковлевича Принца
Поздравляем Анатолия Васильевича Двуреченского с юбилеем!
Подкатегории
Семинары
О нас
Диссовет
Ученый совет
Аспирантура
Конференции
Конкурсы и гранты
Информация о конкурсах и грантах в новостях на первой странице
Новости МинОбрНауки
Научные школы
Кафедры
Аспирантура
Общая информация
Обучение в аспирантуре
Прием в аспирантуру
Прием в аспирантуру
Документы для поступления
Вступительные испытания
Даты вступительных испытаний
Результаты экзаменов
Контакты
Подготовка и сдача кандидатских экзаменов
Государственная итоговая аттестация
Прикрепление для сдачи кандидатских экзаменов
Аспиранты
Преподавательский состав
Документы
Объявления
Контакты
Личный кабинет
Диссертационный совет
Научно-образовательные центры
Центры коллективного пользования