Эллипсометрический комплекс предназначен для in situ диагностики поверхности металлов и полупроводников методом быстродействующей эллипсометрии в процессах электрохимического окисления и роста тонкопленочных оксидных структур. Работа комплекса основана на измерении эллипсометрических параметров во времени, на базе которых могут быть в деталях описаны свойства отражающей системы, такие как: толщина растущей оксидной пленки и ее оптические характеристики, наличие рельефа оксидной пленки и подложки, образование пористой структуры анодного оксида.

Общий вид комплекса

Основные технические характеристики прибора:

Технико – экономическое преимущество

Разработанный комплекс наряду с традиционными эллипсометрическими задачами измерения оптических констант и толщин растущих оксидных пленок позволяет проводить оценку пористой структуры и рельефа поверхности растущего анодного оксида. Кроме того, возможность измерения in situ (через раствор электролита) дает широкую возможность целенаправленного управления свойствами растущего слоя во времени, что очень важно при создании современных наноструктур, обладающих уникальными физико-химическими свойствами. Эллипсометрические комплексы подобного типа нашей промышленностью до настоящего времени не выпускались.

Области применения

Научные учреждения, а также предприятия-производители, занимающиеся научно-исследовательскими задачами в области создания современных материалов для нанотехнологий. Одним из наиболее актуальных направлений использования комплекса можно рассматривать синтез нанообъектов в гетерогенных матрицах заданной морфологии и функциональности. Среди объектов изучения данного комплекса можно указать: солнечные элементы, пористые пленочные структуры, объекты нелинейной оптики, кристаллофизики, нанобиологии. Кроме того, подобные матрицы могут применяться в качестве адсорбентов, фильтрующих сред, носителей для катализаторов и красителей, несущего каркаса функциональных нанокомпозитов и гибридных наноматериалов.

Уровень практической реализации

Опытный образец