Характеристика
Быстродействующий pin фотодиод на основе сверхчистого кремния в сопряжении со сцинтилляционным кристаллом (например, германатом висмута BGO) предназначен для регистрации жесткого гамма излучения энергией более 1 МэВ. Сцинтилляционное световое излучение, образующееся при взаимодействии излучения гамма квантов со сцинтилляционным кристаллом длиной волны 480 нм регистрируется pin фотодиодом, к которому приложено обратное напряжение порядка 40-50 В. Возможна прямая регистрация pin диодом светового излучения в диапазоне длин волн 350-1000 нм, отдельных ядерных частиц: протонов, дейтронов и α-частиц. При необходимости возможна сборка модулей 2×8.
Основные технические характеристики:
| Размер кристалла | 5×5 мм2 |
| Активная площадь | 4,4×4,1 мм2 |
| Темновой ток (при 40 В), | не более 1,5 нА |
| Рабочее напряжение | 40-50 В |
| Емкость (при 40 В) | менее 9 пФ |
| Квантовая эффективность (на длине волны 500 нм) | 0,8 |
| Диапазон энергий прямого детектирования отдельных ядерных частиц (протонов, дейтронов и α-частиц) | 2 кэВ - 5 МэВ |
Рис. Собранный модуль 2×8 pin фотодиодов
Технико - экономическое преимущество
Быстродействующий pin фотодиод на основе высокоомного сверхчистого кремния разработан с использованием современной планарной технологии. Низкое значение темнового тока и емкости обеспечивает высокий динамический диапазон по регистрации светового излучения и быстродействие в наносекундном диапазоне, а малая толщина p+ области диода большой динамический диапазон (2 кэВ - 5 МэВ) по прямой регистрации отдельных ядерных частиц: протонов, дейтронов и α-частиц.
Области применения
Научные учреждения, а также промышленные предприятия высокотехнологичных областей производства, занимающиеся научно-исследовательскими и опытно-технологическими работами в области ядерной физики и полупроводниковой электроники.