В.А.Гайслер, А.И.Торопов
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений А3В5.
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе.
Institut fur Festkorperphysik and Center of NanoPhotonics Technische Universitat, Berlin.
Fraunhofer Institut fur Nachrichtentechnik.
Heinrich-Hertz-Institut Berlin.
NL-Nanosemiconductor GmbH, Dortmund.
Max-Planck-Institut fur Mikrostrukturphysik, Halle, Germany.
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе.
Institut fur Festkorperphysik and Center of NanoPhotonics Technische Universitat, Berlin.
Fraunhofer Institut fur Nachrichtentechnik.
Heinrich-Hertz-Institut Berlin.
NL-Nanosemiconductor GmbH, Dortmund.
Max-Planck-Institut fur Mikrostrukturphysik, Halle, Germany.
