А.Б.Воробьев, К.Фридланд, Ю.С.Юкечева, В.Я.Принц
Лаборатория физики и технологии трехмерных наноструктур.
Институт электроники твердого тела им. Пауля Друде, Германия.
Создан высокоподвижный двумерный электронный газ (ДЭГ) на цилиндричес-
кой поверхности на основе GaAs; подвижность электронов в ДЭГ превышает 240 000
см2/В·с. Впервые продемонстрирован баллистический режим транспорта электронов
в цилиндрическом ДЭГ; реализован двумерный баллистический волновод, равномерно изогнутый в направлении квантования.
 |
Рис. Магнитосопротивление цилиндрического ДЭГ. Верхняя вставка показывает геометрию эксперимента, нижняя - магнитосопротивление rxx в увеличенном масштабе. Индексами указаны номера контактов, между которыми проводилось измерение магнитосопротивления. |
Экспериментально показано, что при протекании тока в ДЭГ на цилиндрической поверхности в направлении градиента магнитного поля магнитосопротивление ρxx в диффузионном режиме обладает сильной
асимметрией - отношение значений ρxx для противоположных направлений магнитного поля может превышать 1000 (см. Рис.). Этот эффект проявляется уже в классических магнитных полях и сохраняется в квантующих (до 14 Т); его причиной является
экспоненциальная зависимость плотности тока от поперечной координаты в двумерной системе, помещенной в неоднородное магнитное поле.
