На основе матричного фотоприемного устройства с размерностью 128х128 элементов на МДП-структурах InAs-SiO₂-Si₃N₄-In₂O₃ cоздан тепловизионный микроскоп для термографиеских исследований микро- и макрообъектов. Без дополнительной математической обработки в микроскопе достигнуто пространственное разрешение 6 мкм на длине волны λ = 3 мкм, что в настоящее время является наилучшим достижением в области применения инфракрасных приемников излучения. Использование оригинальных алгоритмов обработки изображений позволило улучшить разрешение до 3-3,5 мкм, т.е. приблизиться к дифракционному пределу пространственного разрешения.

Рис. 1. Общий вид тепловизионного микроскопа а - выход ИК-излучения из торца кристалла при работе транзистора на GaAs б - повышенная светимость p-n перехода в Si интегральной микросхеме

Проведены первые исследования эффектов возникновения ИК-излучения на различных объектах. В частности, на рис. 1А показан выход ИК-излучения из торца кристалла при работе транзистора на основе GaAs и 1B - повышенная светимость p-n перехода в кремниевой интегральной схеме.