В.В.Васильев, В.Н.Овсюк, А.О.Сусляков, Т.И.Захарьяш, В.С.Варавин, С.А.Дворецкий, Н.Н.Михайлов, Ю.Г.Сидоров

Предложен способ изготовления высокочастотных (гетеродинных) планарных n⁺-p фотодиодов на диапазон 8-12 мкм на основе гетероэпитаксиальных структур, содержащих варизонные слои Cd_xHg_1-xTe и тонкий узкозонныйц высокопроводящий слой. Проведенный анализ влияния узкозонного слоя показал, что его наличие приводит к существенному снижению последовательного сопротивления R_s базы фотодиода, а эффект возможного снижения чувствительности устраняется повышенным содержанием кадмия на границе узкозонного и рабочего слоя.

Рис.3. Типичный профиль состава по глубине МЛЭ слоев КРТ, используемых для изготовления фотодиодов с низким последовательным сопротивлением Rs.

Изготовлены фотодиоды с длинноволновой границей фоточувствительности в области 8-12 мкм с низким последовательным сопротивлением, имеющие высокие пороговые параметры как для прямого, так и для гетеродинного методов приема.

Проведены сравнительные испытания на высокой частоте (до 40 МГц) при прямом детектировании и на частоте 11,3 МГц при гетеродинном приеме. Испытания показали, что изготовленные нами фотодиоды на варизонных эпитаксиальных слоях КРТ при гетеродинном приеме не уступают по пороговым характеристикам фотоприемникам, изготовленным на объемном КРТ, а при прямом детектировании на высоких частотах обеспечивают более высокие пороговые характеристики.