
- Разработана технология получения массивов квантовых точек Ge в Si
- Создан макет нанотранзистора на структурах с квантовыми точками Ge в Si
Применение
- Новые квантовые электронные и оптоэлектронные приборы, функционирующие при комнатной температуре (электрометры, элементы памяти)
- Элементная база вычислительной техники ХХI века с повышенным быстродействием.
Свернуть